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公开(公告)号：CN111937163B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880091974.1
申请日：2018-09-14
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种放射线检测元件，在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板(200)的表面具备多个电极部(202)和电极部间的绝缘部(201)，在所述多个电极部(202)与基板(200)之间存在包含碲的氧化物的中间层(204)，将距离所述电极部间的绝缘部(201)的端部500nm内侧的碲氧化物层的厚度设为100nm以下，电极的密合性高，即使在为了得到高清晰的放射线描绘图像而制成电极间的间隔窄的放射线检测元件的情况下，也不会产生由多个电极部间的绝缘不充分引起的性能不良。
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公开(公告)号：CN111344602A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201980005599.9
申请日：2019-03-15
Applicant: JX金属株式会社
IPC: G01T1/24 , G01T7/00 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种放射线检测元件，其即使在制成电极部与基板的密合性高、为了得到高清晰的放射线描绘图像而电极部之间的间隔窄的放射线检测元件这样的情况下，也不会产生因多个电极部之间的绝缘不充分而引起的性能不良。一种放射线检测元件，其特征在于，在由含有碲化镉或碲化镉锌的化合物半导体晶体构成的基板的表面具备多个电极部和设于电极部之间的绝缘部，在多个电极部与基板之间存在含有碲的氧化物的中间层，在绝缘部的上部存在碲氧化物，并且，绝缘部的上部的碲氧化物的最大厚度为30nm以下。
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公开(公告)号：CN111937163A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091974.1
申请日：2018-09-14
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种放射线检测元件，在由包含碲化镉或碲化锌镉的化合物半导体晶体构成的基板(200)的表面具备多个电极部(202)和电极间的绝缘部(201)，在所述多个电极部(202)与基板(200)之间存在包含碲的氧化物的中间层(204)，将距离所述电极间的绝缘部(201)的端部500nm内侧的碲氧化物层的厚度设为100nm以下，电极的密合性高，即使在为了得到高清晰的放射线描绘图像而制成电极间的间隔窄的放射线检测元件的情况下，也不会产生由多个电极间的绝缘不充分引起的性能不良。
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公开(公告)号：CN111344602B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201980005599.9
申请日：2019-03-15
Applicant: JX金属株式会社
IPC: G01T1/24 , G01T7/00 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种放射线检测元件，其即使在制成电极部与基板的密合性高、为了得到高清晰的放射线描绘图像而电极部之间的间隔窄的放射线检测元件这样的情况下，也不会产生因多个电极部之间的绝缘不充分而引起的性能不良。一种放射线检测元件，其特征在于，在由含有碲化镉或碲化镉锌的化合物半导体晶体构成的基板的表面具备多个电极部和设于电极部之间的绝缘部，在多个电极部与基板之间存在含有碲的氧化物的中间层，在绝缘部的上部存在碲氧化物，并且，绝缘部的上部的碲氧化物的最大厚度为30nm以下。
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公开(公告)号：CN110366612A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880004429.4
申请日：2018-09-14
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C30B29/48 , C30B11/02 , C30B33/02 , H01L31/0296
Abstract: 本发明提供一种碲化锌镉(CdZnTe)单晶、及它的有效制造方法，该碲化锌镉(CdZnTe)单晶具有面积为100mm2以上、且移动率寿命乘积(μτ乘积)成为1.0×10-3cm2/V以上的区域为整体的50％以上即在宽范围成为高μτ乘积的主面。
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