公开(公告)号：CN113692639B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202080025487.2

申请日：2020-05-26

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 井谷贤哉 ,  栗田英树 ,  林英昭

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种主面与定向平面相接的棱线的直线性的精度良好的磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其特征在于，所述磷化铟基板具有主面和定向平面，在主面与定向平面相接的在棱线上，除了从棱线的两端起向内侧3mm的长度部分以外，在棱线上以2mm的间隔设定从起点至终点的多个测定点，将连结起点和终点的直线设为基准线，将各测定点距基准线的距离设为各测定点的偏差时，偏差的最大值为棱线的长度的1000分之1以下。

公开(公告)号：CN113692639A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202080025487.2

申请日：2020-05-26

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 井谷贤哉 ,  栗田英树 ,  林英昭

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种主面与定向平面相接的棱线的直线性的精度良好的磷化铟基板以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其特征在于，所述磷化铟基板具有主面和定向平面，在主面与定向平面相接的在棱线上，除了从棱线的两端起向内侧3mm的长度部分以外，在棱线上以2mm的间隔设定从起点至终点的多个测定点，将连结起点和终点的直线设为基准线，将各测定点距基准线的距离设为各测定点的偏差时，偏差的最大值为棱线的长度的1000分之1以下。

公开(公告)号：CN113207310A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202080006111.7

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。

公开(公告)号：CN113207309A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202080006107.0

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板是具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面的磷化铟基板，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的SORI值为2.5μm以下。

公开(公告)号：CN109689946A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201880002582.3

申请日：2018-04-06

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 吉田拓 ,  栗田英树

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的课题在于提供一种自边缘塌边(ERO)较小且即便在晶圆端部的附近平坦性也充分高的观点而言最佳化的InP晶圆、以及对此种InP晶圆的制造有效的方法。使用包括二阶段研磨步骤的方法制成晶圆的塌边值(ROA)为-1.0μm～1.0μm的InP晶圆，所述二阶段研磨步骤是对InP单晶基板的至少单面供给包含溴的研磨液，同时以加工压力10～200g/cm2、加工时间0.1～5分钟进行第一阶段的研磨，及以加工压力200～500g/cm2且较上述第一阶段的研磨高50g/cm2以上的加工压力、加工时间0.5～10分钟进行第二阶段的研磨。

公开(公告)号：CN113207310B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202080006111.7

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。

公开(公告)号：CN118127640A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410255174.6

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: C30B33/08 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。

公开(公告)号：CN113646873A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080025556.X

申请日：2020-05-26

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 井谷贤哉 ,  栗田英树 ,  林英昭

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种定向平面的平坦度的精度良好的磷化铟基板以及使用了该磷化铟基板的磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其特征在于，所述磷化铟基板具有主面和定向平面，在定向平面端面的长尺寸方向上，在除了从定向平面端面的两端起向内侧3mm的宽度部分以外的面中，以基板厚度的5分之1的间隔设定四根剖面曲线，在分别测定四根剖面曲线中的JIS B 0601：2013中规定的最大高度Pz时，四根剖面曲线的最大高度Pz的最大值与最小值之差为定向平面端面的长尺寸方向的长度的10000分之1.50以下。

公开(公告)号：CN113207308A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202080006105.1

申请日：2020-06-04

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 冈俊介 ,  栗田英树 ,  铃木健二

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板是具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面的磷化铟基板，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的WARP值为3.5μm以下。

公开(公告)号：CN109689946B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201880002582.3

申请日：2018-04-06

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 吉田拓 ,  栗田英树

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明的课题在于提供一种自边缘塌边(ERO)较小且即便在晶圆端部的附近平坦性也充分高的观点而言最佳化的InP晶圆、以及对此种InP晶圆的制造有效的方法。使用包括二阶段研磨步骤的方法制成晶圆的塌边值(ROA)为‑1.0μm～1.0μm的InP晶圆，所述二阶段研磨步骤是对InP单晶基板的至少单面供给包含溴的研磨液，同时以加工压力10～200g/cm2、加工时间0.1～5分钟进行第一阶段的研磨，及以加工压力200～500g/cm2且较上述第一阶段的研磨高50g/cm2以上的加工压力、加工时间0.5～10分钟进行第二阶段的研磨。