晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法

    公开(公告)号:CN112005323B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201980027009.2

    申请日:2019-04-08

    Abstract: 提供一种晶片电阻器,其可提高突波特性,且可高精度地微调整电阻值。晶片电阻器1具有电阻体5,其是以第1弯折部6与第2弯折部7隔着矩形状的调整部8而连续的方式印刷形成;通过在调整部8上形成第1修整槽9,而延长电阻体5的电流路径来提高突波特性,并且以电阻体5的电阻值接近目标电阻值的方式进行粗调整。又,通过在第2弯折部7中电流分布少的区域形成第2修整槽10,从而以随着第2修整槽10的切入量,电阻体5的电阻值与目标电阻值一致的方式进行微调整。

    片式电阻器
    2.
    发明公开
    片式电阻器 审中-实审

    公开(公告)号:CN118553490A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410676913.9

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种尤其能够使热点分散并能够减轻因微裂纹而对特性造成不良影响的片式电阻器。本发明的片式电阻器(1)的特征在于,具有:绝缘基板(2)、电阻体(3)和电极(4、5),在电阻体上形成有第一调整槽(11)和第二调整槽(12),第一调整槽的第一纵槽(11a)和第二调整槽的第二纵槽(12a)在X1‑X2方向上隔着间隔形成,第一调整槽的第一横槽(11b)和第二调整槽的第二横槽(12b)朝向彼此接近的方向延伸,并且第一横槽和第二横槽的各终端(11c、12c)在X1‑X2方向上隔开形成而在Y1‑Y2方向上不重叠。

    片式电阻器
    3.
    发明公开
    片式电阻器 审中-实审

    公开(公告)号:CN111868852A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201980018899.0

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种尤其能够使热点分散并能够减轻因微裂纹而对特性造成不良影响的片式电阻器。本发明的片式电阻器(1)的特征在于,具有:绝缘基板(2)、电阻体(3)和电极(4、5),在电阻体上形成有第一调整槽(11)和第二调整槽(12),第一调整槽的第一纵槽(11a)和第二调整槽的第二纵槽(12a)在X1‑X2方向上隔着间隔形成,第一调整槽的第一横槽(11b)和第二调整槽的第二横槽(12b)朝向彼此接近的方向延伸,并且第一横槽和第二横槽的各终端(11c、12c)在X1‑X2方向上隔开形成而在Y1‑Y2方向上不重叠。

    片式电阻器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115376768B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN202210538120.1

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 提供一种可使浪涌特性提高且可高精度微调电阻值的片式电阻器。片式电阻器(1)具有:长方体形状的绝缘基板(2)、在绝缘基板(2)的长边方向两端部设置的第一表面电极(3)和第二表面电极(4)、以及与其连接的电阻体(5),电阻体(5)为印刷形成体并具有与第一表面电极(3)连接的蜿蜒形状的第一区域(8)、和经由连结部(10)与第一区域(8)连接且与第二表面电极(4)连接的第二区域(9)。在第一区域(8)形成I形切口形状的第一调整槽(11),在第二区域(9)形成L形切口形状的第二调整槽(12),位于第二调整槽(12)的转弯部(12b)所朝方向的第二区域(9)的边形成为随着靠近连接部(7)而接近第二表面电极(4)的倾斜的斜边(9a)。

    片式电阻器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115376768A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202210538120.1

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 提供一种可使浪涌特性提高且可高精度微调电阻值的片式电阻器。片式电阻器(1)具有:长方体形状的绝缘基板(2)、在绝缘基板(2)的长边方向两端部设置的第一表面电极(3)和第二表面电极(4)、以及与其连接的电阻体(5),电阻体(5)为印刷形成体并具有与第一表面电极(3)连接的蜿蜒形状的第一区域(8)、和经由连结部(10)与第一区域(8)连接且与第二表面电极(4)连接的第二区域(9)。在第一区域(8)形成I形切口形状的第一调整槽(11),在第二区域(9)形成L形切口形状的第二调整槽(12),位于第二调整槽(12)的转弯部(12b)所朝方向的第二区域(9)的边形成为随着靠近连接部(7)而接近第二表面电极(4)的倾斜的斜边(9a)。

    晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法

    公开(公告)号:CN112005323A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201980027009.2

    申请日:2019-04-08

    Abstract: 提供一种晶片电阻器,其可提高突波特性,且可高精度地微调整电阻值。晶片电阻器1具有电阻体5,其是以第1弯折部6与第2弯折部7隔着矩形状的调整部8而连续的方式印刷形成;通过在调整部8上形成第1修整槽9,而延长电阻体5的电流路径来提高突波特性,并且以电阻体5的电阻值接近目标电阻值的方式进行粗调整。又,通过在第2弯折部7中电流分布少的区域形成第2修整槽10,从而以随着第2修整槽10的切入量,电阻体5的电阻值与目标电阻值一致的方式进行微调整。

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