金属基板和使用该金属基板的沉积掩膜

    公开(公告)号:CN107709601A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201580080724.4

    申请日:2015-08-25

    IPC分类号: C23C14/04 H01L51/56

    摘要: 本发明的实施方式涉及一种可适用于有机发光器件等的沉积工艺的掩膜结构,并且允许提供一种沉积掩膜,该沉积掩膜包括:第一表面和第二表面,该第一表面和第二表面在金属板的厚度方向正交并且彼此面对;以及多个单位孔,多个单位孔具有穿过第一表面和第二表面并且彼此连通的第一表面孔和第二表面孔,其中,基于在任选的单位孔之间的尺寸变化将在相邻单位孔之间的第一表面孔或第二表面孔的尺寸变化控制在2%至10%之内,或者基于第一表面的表面将第一表面孔的中心和第二表面孔的中心布置在中心彼此不重合的位置。

    金属板、沉积用掩模及其制造方法

    公开(公告)号:CN112103403B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202010848326.5

    申请日:2017-01-31

    IPC分类号: H10K71/16 C23C14/04

    摘要: 公开了一种金属板、沉积用掩模及其制造方法。根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板包括:通过距离金属板的表面1μm或更小的厚度限定的外层;和除外层之外的内层,其中外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢,以及其中当在用包含35重量%至45重量%的FeCl3的蚀刻剂在45℃下进行蚀刻的条件下测量时,外层的蚀刻速率为0.03μm/秒或更小,内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒。

    沉积掩膜
    3.
    发明公开
    沉积掩膜 审中-实审

    公开(公告)号:CN110760793A

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201911112607.8

    申请日:2015-08-25

    IPC分类号: C23C14/04 H01L51/56

    摘要: 本发明的实施方式涉及一种可适用于有机发光器件等的沉积工艺的掩膜结构,并且允许提供一种沉积掩膜,该沉积掩膜包括:第一表面和第二表面,该第一表面和第二表面在金属板的厚度方向正交并且彼此面对;以及多个单位孔,多个单位孔具有穿过第一表面和第二表面并且彼此连通的第一表面孔和第二表面孔,其中,基于在任选的单位孔之间的尺寸变化将在相邻单位孔之间的第一表面孔或第二表面孔的尺寸变化控制在2%至10%之内,或者基于第一表面的表面将第一表面孔的中心和第二表面孔的中心布置在中心彼此不重合的位置。

    沉积掩膜
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110923622B

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN201911112620.3

    申请日:2015-08-25

    IPC分类号: C23C14/04 H01L51/00 H01L51/56

    摘要: 本发明的实施方式涉及一种可适用于有机发光器件等的沉积工艺的掩膜结构,并且允许提供一种沉积掩膜,该沉积掩膜包括:第一表面和第二表面,该第一表面和第二表面在金属板的厚度方向正交并且彼此面对;以及多个单位孔,多个单位孔具有穿过第一表面和第二表面并且彼此连通的第一表面孔和第二表面孔,其中,基于在任选的单位孔之间的尺寸变化将在相邻单位孔之间的第一表面孔或第二表面孔的尺寸变化控制在2%至10%之内,或者基于第一表面的表面将第一表面孔的中心和第二表面孔的中心布置在中心彼此不重合的位置。

    金属板、沉积用掩模及其制造方法

    公开(公告)号:CN112103403A

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN202010848326.5

    申请日:2017-01-31

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/00 C23C14/04

    摘要: 公开了一种金属板、沉积用掩模及其制造方法。根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板包括:通过距离金属板的表面1μm或更小的厚度限定的外层;和除外层之外的内层,其中外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢,以及其中当在用包含35重量%至45重量%的FeCl3的蚀刻剂在45℃下进行蚀刻的条件下测量时,外层的蚀刻速率为0.03μm/秒或更小,内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒。

    金属板、沉积用掩模及其制造方法

    公开(公告)号:CN108701776B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201780011646.1

    申请日:2017-01-31

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/00 C23C14/04

    摘要: 根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板包括:通过距离金属板的表面1μm或更小的厚度限定的外层;和除外层之外的内层,其中外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢,以及其中当在用包含35重量%至45重量%的FeCl3的蚀刻剂在45℃下进行蚀刻的条件下测量时,外层的蚀刻速率为0.03μm/秒或更小,内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒。

    沉积掩膜
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110923622A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911112620.3

    申请日:2015-08-25

    IPC分类号: C23C14/04 H01L51/00 H01L51/56

    摘要: 本发明的实施方式涉及一种可适用于有机发光器件等的沉积工艺的掩膜结构,并且允许提供一种沉积掩膜,该沉积掩膜包括:第一表面和第二表面,该第一表面和第二表面在金属板的厚度方向正交并且彼此面对;以及多个单位孔,多个单位孔具有穿过第一表面和第二表面并且彼此连通的第一表面孔和第二表面孔,其中,基于在任选的单位孔之间的尺寸变化将在相邻单位孔之间的第一表面孔或第二表面孔的尺寸变化控制在2%至10%之内,或者基于第一表面的表面将第一表面孔的中心和第二表面孔的中心布置在中心彼此不重合的位置。

    金属基板和使用该金属基板的沉积掩膜

    公开(公告)号:CN107709601B

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201580080724.4

    申请日:2015-08-25

    IPC分类号: C23C14/04 H01L51/56

    摘要: 本发明的实施方式涉及一种可适用于有机发光器件等的沉积工艺的掩膜结构,并且允许提供一种沉积掩膜,该沉积掩膜包括:第一表面和第二表面,该第一表面和第二表面在金属板的厚度方向正交并且彼此面对;以及多个单位孔,多个单位孔具有穿过第一表面和第二表面并且彼此连通的第一表面孔和第二表面孔,其中,基于在任选的单位孔之间的尺寸变化将在相邻单位孔之间的第一表面孔或第二表面孔的尺寸变化控制在2%至10%之内,或者基于第一表面的表面将第一表面孔的中心和第二表面孔的中心布置在中心彼此不重合的位置。

    金属板、沉积用掩模及其制造方法

    公开(公告)号:CN108701776A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201780011646.1

    申请日:2017-01-31

    IPC分类号: H01L51/56 H01L51/00 C23C14/04

    摘要: 根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板包括:通过距离金属板的表面1μm或更小的厚度限定的外层;和除外层之外的内层,其中外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢,以及其中当在用包含35重量%至45重量%的FeCl3的蚀刻剂在45℃下进行蚀刻的条件下测量时,外层的蚀刻速率为0.03μm/秒或更小,内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒。