公开(公告)号：CN1934719A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008612.4

申请日：2005-11-04

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 梁承铉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/34346 ,  H01S5/34386 ,  H01S2301/04

摘要： 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层；激发层，形成在第一氮化物半导体层上并包括在高温氢气氛下生长的至少一个阻挡层；和形成在激发层上的第二氮化物半导体层。根据该氮化物半导体发光器件及其制造方法，发光器件的光功率得到提高并且运行可靠性得到增强。

公开(公告)号：CN100452456C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200580008612.4

申请日：2005-11-04

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 梁承铉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/30

摘要： 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层；激发层，形成在第一氮化物半导体层上并包括在高温氢气氛下生长的至少一个阻挡层；和形成在激发层上的第二氮化物半导体层。根据该氮化物半导体发光器件及其制造方法，发光器件的光功率得到提高并且运行可靠性得到增强。