公开(公告)号：CN104600089B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201310526589.4

申请日：2013-10-31

申请人： 展晶科技(深圳)有限公司 ,  荣创能源科技股份有限公司

发明人： 邱镜学 ,  林雅雯 ,  凃博闵 ,  黄世晟

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/026 ,  H01L27/15 ,  H01L33/10 ,  H01L33/405 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333

摘要： 一种光电模组，包括基板及同时形成在所述基板上的激光二极管芯片及发光二极管芯片。本发明还设置所述光电模组的制造方法。本发明中，所述光电模组具有同时生成与基板上的发光二极管及激光二极管，相对与传统的分离的激光二极管及发光二极管所占的空间小，达到了节约空间的目的。

公开(公告)号：CN105612276A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480018246.X

申请日：2014-08-29

申请人： 创光科学株式会社

发明人： 西瑞尔·佩诺特 ,  平野光

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406 ,  C30B31/08 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

摘要： 提供一种外延生长用模板的制作方法，具有：将Ga原子分散提供到蓝宝石基板的表面的表面处理工序、和在所述蓝宝石基板上使AlN层外延生长的AlN生长工序，所述AlN层的除去从表面起到深度100nm为止的表面近旁区域以外的所述AlN层的内部区域中的能以二次离子质量分析法得到的Ga浓度在与所述蓝宝石基板的表面垂直的深度方向的浓度分布当中的得到所述Ga浓度的最大值的所述深度方向的位置，存在于从所述蓝宝石基板的界面到向所述AlN层侧离开400nm的位置为止的界面近旁区域内，所述Ga浓度的最大值为3×1017atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN104148816A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410192756.0

申请日：2014-05-08

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 武田昇 ,  森数洋司

IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064

CPC分类号： H01S3/10 ,  H01L21/00 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341 ,  B23K26/046 ,  B23K26/38 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种激光加工方法，能够沿分割预定线将单晶基板高效率地分割成一个个芯片，并且不会降低芯片的品质。该激光加工方法是向单晶基板照射脉冲激光光线来实施加工的方法，其包括以下工序：数值孔径设定工序，设定对脉冲激光光线进行聚光的聚光镜的数值孔径(NA)，使得聚光镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)所得到的值在0.05～0.2的范围以内；定位工序，对聚光镜和单晶基板相对地在光轴方向上进行定位，使得脉冲激光光线的聚光点被定位在单晶基板的厚度方向上的期望位置；以及遮护隧洞形成工序，照射脉冲激光光线，使细孔和遮护细孔的非晶质在定位于单晶基板的聚光点与照射了脉冲激光光线的一侧之间生长，形成遮护隧洞。

公开(公告)号：CN1943050B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200580011827.1

申请日：2005-04-19

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 楠木克辉

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： B23K26/14 ,  B23K26/009 ,  B23K26/142 ,  B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0213

摘要： 本发明的化合物半导体发光器件(LED)晶片的制造方法包括以下步骤：在化合物半导体LED晶片的顶部和/或底部表面上形成保护膜，其中所述器件规则地且周期性地排列，其间设置有分离区；在使气体吹到被激光辐照的部分上的同时，通过激光处理在其上形成有所述保护膜的所述表面的所述分离区中形成分离槽，其中，通过使激光束聚焦在保护膜的表面上，形成截面形状为V字形的分离槽；以及除去至少部分所述保护膜，按上述顺序进行这些步骤。

公开(公告)号：CN1855370B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200610074666.7

申请日：2006-04-21

申请人： 夏普株式会社

发明人： 笔田麻佑子 ,  中津弘志

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InxAlyGa1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。

公开(公告)号：CN101772846A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880101844.8

申请日：2008-07-31

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 市原隆志 ,  吉田裕史 ,  山田孝夫 ,  若井阳平

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/301 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/0201 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，使蓝宝石晶片形成芯片时，能够以极高的成品率正确地形成芯片。该半导体发光元件的制造方法是从具有定位面的蓝宝石基板上叠层了氮化镓类化合物半导体的晶片制造半导体发光元件的方法，其具有如下的工序：在平行所述定位面的方向(Xo)具有偏移角(θ)的蓝宝石基板的第1主面上叠层半导体层，在所述半导体层侧，形成第1切断槽，所述第1切断槽在大致垂直所述方向(Xo)的方向(Y)上延伸，在所述蓝宝石基板的内部，平行所述第1切断槽，并且对应偏移角(θ)的倾斜度，从第1切断槽内的分割预定线向±Xo方向移动规定距离，从而形成第2切断线，沿着所述第1以及/或者第2切断线分割晶片。

公开(公告)号：CN101140977B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200710149626.9

申请日：2007-09-10

申请人： 夏普株式会社

发明人： 幡俊雄

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/32341

摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体发光元件，该元件包括：透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层，所述第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了一种氮化物半导体发光元件，该元件包括：透明导体；金属层；第二透明导体；第一导电型氮化物半导体层；发光层；和第二导电型氮化物半导体层，所述金属层、第二透明导体、第一导电型氮化物半导体层、发光层、和第二导电型氮化物半导体层按顺序层叠在所述透明导体上。本发明还提供了各个这些氮化物半导体发光元件的制造方法。

公开(公告)号：CN101553930A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200680015722.8

申请日：2006-03-28

申请人： 莫克斯特罗尼克斯有限公司

发明人： 阳瑞·刘 ,  泰-塞克·李 ,  亨利·W.·怀特

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/18 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L33/28 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G9/00 ,  C01G11/00 ,  C01G11/006 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/46 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/22 ,  H01L29/221 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3018

摘要： 本发明提供用于改良半导体装置的性能的材料和结构，包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、可含有Mg以用于晶格匹配目的的ZnBeO合金材料和BeO材料。ZnBeO合金系统中的Be的原子分数x(即，Zn1－xBexO)可变化以将ZnO的能带隙增加至大于ZnO的能带隙的值。ZnCdOSe合金系统中的Cd的原子分数y和Se的原子分数z(即，Zn1－yCdyOi－zSez)可变化以将ZnO的能带隙减小至小于ZnO的能带隙的值。通过使用挑选的掺杂元素，所形成的每一合金可为不掺杂、或p型或n型掺杂。这些合金可单独使用或组合使用以形成可发射一个范围波长值的活性光子层、异质结构如单个和多个量子井以及超晶格层或覆层，和制造光学的和电子的半导体装置。这些结构可应用于改良半导体装置的功能、能力和性能。

公开(公告)号：CN101390210A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200680053530.6

申请日：2006-12-21

申请人： 联合材料公司

发明人： 高岛浩一 ,  森上英明 ,  成田雅士

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L23/14 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/29 ,  H01L24/31 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/02484 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明为了能够提高与其他部件之间的热传导的效率，提供充分应用金刚石复合材料的高热传导性，可靠地防止例如半导体激光器等发光元件由于其自身的放热而发生运行不良的情况的半导体元件安装用基板。其是将用连接所述发光元件等的连接面精加工为，深度或高度为10～40μm，面方向的直径长度为10μm～3mm的凹部及凸部中的至少一方的、每单位面积的个数为50个/cm2以下的状态，并且，在所述连接面形成有由焊料或钎料构成，且厚度为1～30μm，表示表面粗糙度的粗糙度曲线的算术平均粗糙度Ra为Ra≤2μm，最大高度粗糙度Rz为Rz≤15μm，填埋所述凹部或凸部的被覆层的半导体元件搭载用基板。

公开(公告)号：CN100353573C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200410043463.2

申请日：1997-04-25

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 国里竜也 ,  狩野隆司 ,  上田康博 ,  松下保彦 ,  八木克己

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

摘要： 一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。