公开(公告)号：CN102983209B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210151051.5

申请日：2012-05-15

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 秦胤实 ,  朴铉定 ,  崔荣浩 ,  朴昶绪

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，形成为具有：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。

公开(公告)号：CN102983209A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210151051.5

申请日：2012-05-15

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 秦胤实 ,  朴铉定 ,  崔荣浩 ,  朴昶绪

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池，形成为具有：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度。