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公开(公告)号：CN1118110A
公开(公告)日：1996-03-06
申请号：CN95107079.7
申请日：1995-06-22
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/441
Abstract: 一种半导体器件金属薄膜制作方法，包括下述步骤；在衬底上共溅射淀积贵重金属材料和金属而制成混合金属粘结膜，所述金属与所述衬底具有优良的粘结性能；在上述混合金属粘结膜上再溅射淀积所述贵金属材料而制成金属薄膜。
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