公开(公告)号：CN108028256B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201680054941.0

申请日：2016-08-30

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： R.沙朗帕尼 ,  K.舒克拉 ,  R.S.马卡拉 ,  S.佩里 ,  李耀升

IPC分类号： H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/49 ,  H01L21/285 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/443 ,  H01L21/441 ,  H01L27/11563 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

摘要： 可以采用含硅成核层来提供自对齐模板，以用于在三维存储器器件的形成期间在背侧凹陷内选择性地沉积钨。含硅成核层可以保持为硅层、转换成硅化钨层、或用钨成核层来代替。在随后的钨沉积工艺中可以仅在含硅成核层或由其衍生出的层的表面上进行钨沉积。

公开(公告)号：CN108461475B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201810270157.4

申请日：2013-08-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 殷东锡 ,  李宁浩 ,  李俊熙 ,  李锡元 ,  申有哲

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/24 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/441 ,  H01L21/768

摘要： 提供了一种三维半导体装置。所述装置可以包括顺序地堆叠在基板上以构成电极结构的电极。每个电极可以包括：连接部，从位于其上的一个电极的侧壁向外水平地突出；对齐部，具有与位于其上或其下的一个电极的侧壁共面的侧壁。这里，电极中的设置成彼此竖直邻近的至少两个电极可以以这样的方式设置，即，所述至少两个电极的对齐部具有基本对齐成彼此共面的侧壁。

公开(公告)号：CN102522429A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110451514.5

申请日：2011-12-28

申请人： 华南理工大学 ,  广州新视界光电科技有限公司

发明人： 徐苗 ,  罗东向 ,  邹建华 ,  陶洪 ,  兰林锋 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/441 ,  H01L21/445

摘要： 本发明公开了一种基于金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法和应用，包括以下步骤：(1)制作缓冲层；(2)在上述缓冲层上沉积栅极金属层；(3)使用阳极氧化的方法，在栅极金属层上制备栅绝缘层，其中栅极金属层中不需要沉积氧化膜的部分使用光刻胶进行保护；(4)将光刻胶去除；(5)将不需要的金属引线去除；(6)在栅绝缘层制备有源层；(7)根据所设计的薄膜晶体管结构，沉积并图形化源漏电极、像素电极和保护层或刻蚀阻挡层。该发明采用纯Al或Al合金作为栅极金属，使用阳极氧化的方法制备栅绝缘层。通过调整栅极金属成分，能改变栅绝缘层的性能，进而改善薄膜晶体管的电学特性。

公开(公告)号：CN1755900A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200410011136.9

申请日：2004-09-27

申请人： 北方液晶工程研究开发中心

发明人： 骆文生 ,  付国柱 ,  荆海 ,  邵喜斌 ,  廖燕平 ,  齐晓微

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/441 ,  H01L21/336

摘要： 一种属于半导体材料技术领域的激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法，首先将生长厚度为150nm的非晶硅(a－Si)薄膜放入真空室内进行脱氢处理，经过脱氢处理后的样品放入样品室，在有氧气的条件下，利用准分子激光器发出能量密度为350mJ，频率为3Hz的激光，经匀光系统，使其转变光斑尺寸为50mm×1mm的光斑对非晶硅(a－Si)薄膜表面进行扫描，使其表面形成大约100mm左右的SiO2层；接下来在真空度达到1Pa以上条件下，再以350mJ的激光能量密度对样品表面进行扫描，使其底层大约50nm左右的a－Si膜熔融再结晶为P－Si薄膜。这种生长方法是在同一片a－Si薄膜上通过激光退火使a－Si薄膜连续转化为SiO2和P－Si薄膜，可使SiO2与P－Si层之间保持着较低的界面态密度。

公开(公告)号：CN1428826A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN01143424.4

申请日：2001-12-26

申请人： 矽统科技股份有限公司

发明人： 陈振隆 ,  林平伟 ,  游曜声 ,  姜兆声 ,  郑丰绪

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/28 ,  H01L21/441

摘要： 一种金属双镶嵌的制造方法。形成第一介电层于已形成有若干元件的基底上，然后使用含氮电浆对第一介电层进行表面处理。接着依序形成氮化硅层与第二介电层于第一介电层上，图案化第二介电层，以形成第一开口于第二介电层中以暴露出部分的氮化硅层。然后依序图案化暴露出的氮化硅层与其下的第一介电层，以形成第二开口于氮化硅层与第一介电层中，第二开口的宽度小于第一开口的宽度。最后沉积金属于第一开口与第二开口中，以形成金属双镶嵌结构。

公开(公告)号：CN1320953A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN01116590.1

申请日：2001-04-13

申请人： 国际商业机器公司

发明人： C·J·萨姆布策蒂 ,  S·H·博特彻 ,  P·S·洛克 ,  J·M·鲁滨洛 ,  徐顺天

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/441

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种具有带窗口的半导体介质材料的半导体结构。第一材料对窗口进行衬里,第一材料包含MXY,其中M选自钴及镍,X选自钨及硅,而Y选自磷及硼,并且第二材料填充被衬里的介质材料。

公开(公告)号：CN85105699A

公开(公告)日：1987-01-14

申请号：CN85105699

申请日：1985-07-19

申请人： 中国科学院上海冶金研究所

发明人： 吴丁芬 ,  程宗权

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/24 ,  H01L21/40 ,  H01L21/441

摘要： 本发明是化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法。它使用同样的接触合金AuGe，可同时在平面器件的p区和n区得到满意的欧姆接触。使用本发明可减少蒸发光刻及热处理次数，简化工艺，提高成品率。

公开(公告)号：CN118263132A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410342194.7

申请日：2024-03-22

申请人： 湖北九峰山实验室

发明人： 刘兴林 ,  魏强民 ,  叶镭 ,  黄俊 ,  张婷

IPC分类号： H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L21/465 ,  H01L29/47

摘要： 本申请提供一种在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法，方法包括：提供氧化镓衬底，在惰性气体氛围下对氧化镓衬底在第一目标温度退火第一预设时长，第一预设时长大于1小时，第一目标温度大于500℃，这样经过长时间高温退火可以在氧化镓衬底形成大量氧空位，从而降低表面接触电阻。利用腐蚀性溶液腐蚀氧化镓衬底，暴露衬底表面悬挂键，这样在氧化镓衬底上形成金属层时，该原子面可以实现氧化镓衬底更容易和金属层结合。最后对氧化镓衬底和金属层在第二目标温度快速退火第二预设时长。本申请提供的在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法，无需离子注入，工艺简单，成本低，并且也能够在氧化镓衬底和金属层之间形成良好的欧姆接触。

公开(公告)号：CN115244651B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180019925.9

申请日：2021-02-25

申请人： 日立能源瑞士股份公司

发明人： L·克诺尔 ,  S·沃思 ,  A·米哈埃拉

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/441 ,  H01L29/51 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24

摘要： 提供了一种绝缘栅结构，其包括：宽带隙材料层(50)，包括第一导电类型的沟道区(53)；栅极绝缘层(100a)，直接布置在沟道区(53)上，该栅极绝缘层(100a)包括直接布置在沟道区(53)上的第一氮化物层；以及导电栅电极层(200)，在栅极绝缘层(100a)上，使得栅电极层(100a)通过栅极绝缘层(100a)与宽带隙材料层(50)间隔开。在与碳化硅层(50)和第一氮化物层之间的界面(151)距离3nm的距离处，栅极绝缘层(100a)中的碳原子浓度小于1018个原子/cm‑3。第一氮化物层(102)包括化学计量的氮化硅层、氮化铝层、氮化硼层或氮化磷层。

公开(公告)号：CN108028256A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054941.0

申请日：2016-08-30

申请人： 桑迪士克科技有限责任公司

发明人： R.沙朗帕尼 ,  K.舒克拉 ,  R.S.马卡拉 ,  S.佩里 ,  李耀升

IPC分类号： H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/49 ,  H01L21/285 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/443 ,  H01L21/441 ,  H01L27/11563 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/443 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/441 ,  H01L21/76871 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4975

摘要： 可以采用含硅成核层来提供自对齐模板，以用于在三维存储器器件的形成期间在背侧凹陷内选择性地沉积钨。含硅成核层可以保持为硅层、转换成硅化钨层、或用钨成核层来代替。在随后的钨沉积工艺中可以仅在含硅成核层或由其衍生出的层的表面上进行钨沉积。