有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1805635A

    公开(公告)日:2006-07-19

    申请号:CN200510080181.4

    申请日:2005-06-30

    摘要: 本发明提供了一种有机电致发光器件,其中防止用于形成有机电致发光层的墨水溢出像素区边缘。该有机电致发光器件包括第一基板和第二基板,以及位于第一和第二基板中的子像素。阵列元件包括在各子像素中形成于第一基板上的薄膜晶体管。第一电极形成在第二基板的内表面。缓冲体形成在外部区域以划分形成于第一电极的子像素。第一电极分隔体形成于缓冲体而第二电极分隔体形成于包括缓冲体的台阶部分的区域。有机电致发光层形成于由第二电极分隔体划分的区域内。第二电极形成于具有有机电致发光层形成的第二基板上。

    荫罩和具有该荫罩的淀积装置

    公开(公告)号:CN101096746A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200710126902.X

    申请日:2007-06-29

    IPC分类号: C23C14/04 C23C14/12 C23C14/24

    CPC分类号: C23C14/042

    摘要: 本发明公开了荫罩和具有该荫罩的淀积装置。该淀积装置包括:荫罩,该荫罩具有开口;室,在该室中具有所述荫罩;淀积单元,该淀积单元设置在所述室的下部,其中所述淀积单元容纳有淀积材料;和遮挡部件,该遮挡部件介于所述室的内侧与所述荫罩的外侧之间,用以防止所述淀积材料从所述室的内侧与所述荫罩的外侧之间穿过。防止了从淀积单元升华的淀积材料从荫罩的开口以外的地方穿过荫罩,从而防止了室的内部被污染,从而提高了薄膜淀积装置的工作能力。可以防止附于室的内侧的淀积材料与室分离,从而淀积材料不会成为颗粒。

    双板有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1992333A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200610156636.0

    申请日:2006-12-29

    摘要: 本发明提供双板有机电致发光器件及其制造方法。双板有机电致发光器件包括:具有多个像素区的第一基板和第二基板,其中第一基板和第二基板彼此面对;第一基板上的各个像素区中的薄膜晶体管;第二基板上的第一电极;总线,其位于第一电极上的除了像素区之外的区域中,使得总线在各个像素区的各个角部具有圆形形状;位于总线的外侧部分上以包围各个像素区的阻挡脊;在各个像素区中位于第一电极上的有机电致发光层;在各个像素区中形成在阻挡脊和有机电致发光层上的第二电极;以及连接薄膜晶体管和第二电极的连接图案。

    有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1638554A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN200410062535.8

    申请日:2004-06-30

    摘要: 一种有机电致发光器件,包括相互面对并间隔开的第一和第二基板,所述第一和第二基板包含像素区域;所述第一基板的内表面上的选通线;与所述选通线交叉的数据线;与所述选通线和数据线连接的开关薄膜晶体管;与所述开关薄膜晶体管连接的驱动薄膜晶体管;与所述驱动薄膜晶体管连接的电源线;所述第二基板的内表面上的第一电极;在所述第一电极上位于所述像素区域的边界处的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和第二侧壁相互间隔开;在所述第一电极上位于所述像素区域中的电致发光层;在所述电致发光层上位于所述像素区域中的第二电极;以及与所述第一和第二基板电连接的连接电极。

    有机电致发光显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101097379A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200710123486.8

    申请日:2007-06-25

    发明人: 李在允 李晙硕

    IPC分类号: G02F1/1362

    摘要: 本发明公开了一种显示器件,其包括第一基板、第二基板、衬垫料和连接电极。第一基板包括有机电致发光二极管器件,第二基板面对第一基板并包括薄膜晶体管。连接电极电连接薄膜晶体管和有机电致发光二极管器件。显示器件进一步包括配置为隔离两个相邻的像素区域的第一缓冲图案和叠在第一缓冲图案上并具有预定形状的第二缓冲图案。第一缓冲图案是可蚀刻的以产生在两个相邻像素区域之间的空腔。空腔可放大至保持第二缓图案形状的程度。

    有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN101013740A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200610145257.1

    申请日:2006-11-24

    发明人: 韩敞昱 李在允

    IPC分类号: H01L51/05 H01L51/40

    摘要: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法,其通过降低在有机半导体层和源极/漏极之间的接触面积中产生的接触电阻而提高器件特性。该有机薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极;形成在该栅极上的栅绝缘层;与栅极两侧边缘重叠并形成在栅绝缘层上的源极/漏极;形成在包括源极/漏极的栅绝缘层上的有机半导体层;形成在栅绝缘层和源极/漏极之间具有亲水特性的第一粘合层;以及形成在有机半导体层和栅绝缘层之间具有疏水特性的第二粘合层。