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公开(公告)号:CN101449347A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200780017871.2
申请日:2007-04-04
申请人: LV传感器股份有限公司
IPC分类号: H01G5/00
CPC分类号: G01L9/0073 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0814 , G01P2015/0831 , G01P2015/084 , H01L28/40
摘要: 本文公开的器件是在所有关键压力点上都具有单晶硅的电容性传感器。通过开槽和重新填充形成隔离沟槽,来形成电介质隔离的用于驱动、传感和保护的导电硅电极。对于根据本发明的压力传感器件,其为便于封装,使压力孔与电引线接合焊盘相反。还描述了测量平面内加速度和平面外加速度的双轴加速度计。通过原样复制加速度计并令其绕其平面外轴旋转90度容易实现平面内的第三轴。用此工艺技术可生成谐振斜钩、角速度传感器、辐射热测量仪、及许多其他结构。关键优点是密闭性、垂直通孔、垂直和水平间隙能力、单晶材料、晶片级封装、小尺寸、高性能和低成本。