公开(公告)号：CN101910913B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN200880124499.X

申请日：2008-12-26

申请人： NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

发明人： 石桥忠夫 ,  丸山和宏 ,  小林贤二 ,  明吉智幸 ,  菊池顺裕 ,  都筑健 ,  石川光映

IPC分类号： G02F1/025

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F2201/07

摘要： 本发明的半导体光调制器具备：第一半导体光波导，具有包含以下部分的层叠构造：核心层；夹着上述核心层被分别配置在下部和上部的第一包层和第二包层；插入在上述第二包层和上述核心层之间的势垒层；第二半导体光波导，具有在上述第一半导体光波导的层叠构造中上述第二包层在n型半导体内在层叠方向上局部地贯通的p型半导体的层叠构造；与上述第一半导体光波导的上述第一包层连接的第一电极；电气地将上述第一半导体光波导的上述第二包层和上述第二半导体光波导的上述第二包层的p型半导体连接起来的第二电极。

公开(公告)号：CN101910913A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880124499.X

申请日：2008-12-26

申请人： NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

发明人： 石桥忠夫 ,  丸山和宏 ,  小林贤二 ,  明吉智幸 ,  菊池顺裕 ,  都筑健 ,  石川光映

IPC分类号： G02F1/025

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02F2201/07

摘要： 本发明的半导体光调制器具备：第一半导体光波导，具有包含以下部分的层叠构造：核心层；夹着上述核心层被分别配置在下部和上部的第一包层和第二包层；插入在上述第二包层和上述核心层之间的势垒层；第二半导体光波导，具有在上述第一半导体光波导的层叠构造中上述第二包层在n型半导体内在层叠方向上局部地贯通的p型半导体的层叠构造；与上述第一半导体光波导的上述第一包层连接的第一电极；电气地将上述第一半导体光波导的上述第二包层和上述第二半导体光波导的上述第二包层的p型半导体连接起来的第二电极。