用于刻蚀金属层的组合物

    公开(公告)号:CN103282549A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201180047122.0

    申请日:2011-05-09

    申请人: OCI有限公司

    IPC分类号: C23F1/44 C23F1/10

    摘要: 本发明涉及一种用于刻蚀金属膜的组合物,更特别地是包括氧化剂、刻蚀控制剂、螯合剂、掏蚀抑制剂、铜腐蚀抑制剂、残余物去除剂,和余量的水的刻蚀剂组合物,用于整体性湿法刻蚀用作平板显示器的薄膜晶体管的栅电极和数据电极的金属膜,特别是由选自铜、钼、钛和钼-钛合金的一种或多种构成的单层或多层膜。本发明的组合物通过使用新的螯合剂在应用于刻蚀工艺时抑制氧化剂和铜离子的快速反应,因此提供具有优良的寿命和稳定性的刻蚀剂、具有平缓斜角的刻蚀的金属膜、合适控制的CD损耗,和良好的刻蚀形态,从而阻止较低的钼、钛或钼-钛合金合金膜的残余。另外,如果进一步加入蒸发抑制剂时,在刻蚀装置中形成的沉积和异物的显著减少,因此可以改进关于刻蚀设备操作的产率和降低失效速率。

    用于刻蚀金属层的组合物

    公开(公告)号:CN103282549B

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201180047122.0

    申请日:2011-05-09

    申请人: OCI有限公司

    IPC分类号: C23F1/44 C23F1/10

    摘要: 本发明涉及一种用于刻蚀金属膜的组合物,更特别地是包括氧化剂、刻蚀控制剂、螯合剂、掏蚀抑制剂、铜腐蚀抑制剂、残余物去除剂,和余量的水的刻蚀剂组合物,用于整体性湿法刻蚀用作平板显示器的薄膜晶体管的栅电极和数据电极的金属膜,特别是由选自铜、钼、钛和钼-钛合金的一种或多种构成的单层或多层膜。本发明的组合物通过使用新的螯合剂在应用于刻蚀工艺时抑制氧化剂和铜离子的快速反应,因此提供具有优良的寿命和稳定性的刻蚀剂、具有平缓斜角的刻蚀的金属膜、合适控制的CD损耗,和良好的刻蚀形态,从而阻止较低的钼、钛或钼-钛合金合金膜的残余。另外,如果进一步加入蒸发抑制剂时,在刻蚀装置中形成的沉积和异物的显著减少,因此可以改进关于刻蚀设备操作的产率和降低失效速率。