公开(公告)号：CN114227531B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202111038402.7

申请日：2021-09-06

Applicant: SK恩普士有限公司

Inventor： 郑恩先 ,  尹钟旭 ,  徐章源 ,  郑勇周 ,  金昇均

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/10 ,  B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/34 ,  C08G18/66 ,  C08G18/48 ,  C08G18/32 ,  C08J9/228 ,  C08L75/08

Abstract: 本发明涉及抛光垫及其制备方法以及半导体器件的制备方法。提供一种抛光垫，包括抛光层；将1g的所述抛光层加入浓度为0.3M的氢氧化钾水溶液中并在密封容器中在150℃的温度下反应48小时而生成的加工组合物的核磁共振13C谱包括：在15ppm至18ppm出现的第一峰，在9ppm至11ppm出现的第二峰，在138ppm至143ppm出现的第三峰，以及在55ppm至65ppm出现的第四峰；根据规定的式1，软化控制指数为0.10至0.45。所述抛光垫具备具有符合所述软化控制指数的物性的抛光层，由此，能够在对抛光对象进行抛光时实现目标范围的抛光率和缺陷防止性能。