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公开(公告)号：CN118109199A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211515392.6
申请日：2022-11-30
申请人： 广东聚华新型显示研究院 , TCL科技集团股份有限公司
发明人： 聂志文
摘要： 本申请公开了一种量子点及其制备方法、材料筛选方法、发光器件与显示装置，所述制备方法包括：提供量子点核溶液；向所述量子点核溶液中加入量子点壳层前驱体进行壳层生长，得到量子点溶液，其中，在加入所述量子点壳层前驱体之前，对所述量子点核溶液进行真空处理；从所述量子点溶液中提取得到量子点；通过在加入所述量子点壳层前驱体进行壳层生长之前，对所述量子点核溶液进行真空处理的操作，得以有效去除量子点核溶液中所存在的短链有机溶剂，从而减少短链有机溶剂对量子点核表面的晶面活性的影响，提升了壳层生长均一性，进而提升了所形成的量子点的粒径均一性。
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公开(公告)号：CN118085846A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211490472.0
申请日：2022-11-25
申请人： TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
发明人： 聂志文
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/54 , C09K11/89 , C09K11/62 , C09K11/70 , C09K11/74 , C09K11/75 , H10K50/115 , H10K59/10 , B82Y20/00 , B82Y40/00
摘要： 本申请公开了一种量子点及其制备方法、发光器件及显示装置。本申请的量子点的制备方法，通过将向所述核溶液中通入包含臭氧和氧气的预设气体，将所述核溶液中的所述非配位溶剂氧化成短链的羧酸，短链的羧酸可以作为配体与所述配位溶剂发生竞争，与核表面的配位连接的配位溶剂进行配体交换，从而减小了核表面的空间位阻，有助于提升核表面的晶面活性，有利于壳层生长时金属离子和非金属离子沿着核表面进行高质量壳层生长，减小壳层生长过程中缺陷的产生，减少了俄歇复合的概率，提高壳层的质量，即提高量子点的质量和发光效率。
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公开(公告)号：CN118256067A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211699572.4
申请日：2022-12-28
申请人： TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
发明人： 聂志文
摘要： 本申请公开了一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置。本申请的复合材料包括聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚苯乙烯磺酸盐和氨基糖苷类化合物，所述氨基糖苷类化合物具有优异的导电性，使所述复合材料具有较好的导电性。
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公开(公告)号：CN118119240A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211508952.5
申请日：2022-11-29
申请人： TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
发明人： 聂志文
IPC分类号： H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/165 , H10K50/17 , H10K50/842
摘要： 本申请公开了一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置。所述量子点发光器件的制备方法包括如下步骤：提供衬底；在衬底上形成底电极；在底电极上形成空穴功能层；在空穴功能层上形成量子点发光层；在量子点发光层上形成第一封装体，得到预制器件；对预制器件进行烘烤处理或通电处理；去除第一封装体；在去除第一封装体之后，在量子点发光层上形成电子功能层；以及在电子功能层上形成顶电极。本申请改善了现有QLED器件中电子过量的问题，提升了器件性能。
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公开(公告)号：CN118270734A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211743655.9
申请日：2022-12-30
申请人： TCL科技集团股份有限公司 , 广东聚华新型显示研究院
发明人： 聂志文
IPC分类号： C01B13/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H10K50/165 , H10K50/16 , H10K71/30 , H10K59/12 , H10K85/60 , H10K85/30
摘要： 本发明提供一种复合材料及其制备方法、发光器件、显示装置，其中，所述复合材料包括无机纳米粒子以及连接在无机纳米粒子表面的喹诺酮类化合物。本发明中，通过引入喹诺酮类化合物使得所制备的复合材料的电子迁移率降低，当所述复合材料用于发光器件的电子传输层时，由于所述复合材料的电子迁移率与相邻的有机传输材料的空穴迁移率之间的差异得以缩小，从而解决了现有的发光器件存在的空穴注入不足及电子过剩的问题。
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公开(公告)号：CN116162459A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310440327.X
申请日：2023-04-21
申请人： 广东聚华新型显示研究院
摘要： 本申请公开一种量子点的纯化方法、量子点、发光器件与电子设备，所述的纯化方法包括步骤：提供量子点溶液；以及对所述量子点溶液进行冷冻处理，然后进行固液分离，并弃去固体杂质，获得纯化的量子点，有效提高了量子点中阳离子前驱体的去除率，提升了量子点的纯度，所述发光器件中发光层的材料包含量子点，所述量子点采用所述的纯化方法制得或者所述量子点中阳离子前驱体的质量百分比含量小于3%，有利于提升发光器件的器件效率和器件寿命，将所述发光器件应用于电子设备中，有利于提升电子设备的显示效果和使用寿命。
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公开(公告)号：CN116162459B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310440327.X
申请日：2023-04-21
申请人： 广东聚华新型显示研究院
摘要： 本申请公开一种量子点的纯化方法、量子点、发光器件与电子设备，所述的纯化方法包括步骤：提供量子点溶液；以及对所述量子点溶液进行冷冻处理，然后进行固液分离，并弃去固体杂质，获得纯化的量子点，有效提高了量子点中阳离子前驱体的去除率，提升了量子点的纯度，所述发光器件中发光层的材料包含量子点，所述量子点采用所述的纯化方法制得或者所述量子点中阳离子前驱体的质量百分比含量小于3%，有利于提升发光器件的器件效率和器件寿命，将所述发光器件应用于电子设备中，有利于提升电子设备的显示效果和使用寿命。
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公开(公告)号：CN118272086A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211706322.9
申请日：2022-12-29
申请人： 广东聚华新型显示研究院
发明人： 聂志文
摘要： 本申请公开了一种量子点及其制备方法及发光器件，包括以下步骤：提供阳离子前驱体、阴离子前驱体以及有机溶剂；将所述阳离子前驱体、所述阴离子前驱体和所述有机溶剂混合，进行反应，得到含有纳米颗粒的第一溶液；向所述第一溶液中加入第一有机溶剂，固液分离，得到纳米颗粒；将所述纳米颗粒分散在非极性溶剂中，得到第二溶液，然后，向所述第二溶液中加入第二有机溶剂，固液分离，得到量子点；其中，所述非极性溶剂、所述第二有机溶剂以及所述第一有机溶剂的极性依次递增。本申请旨在解决现有量子点尺寸均一性较差的问题。
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公开(公告)号：CN114672315B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011567168.2
申请日：2020-12-25
申请人： TCL科技集团股份有限公司
发明人： 聂志文
IPC分类号： C09K11/88 , C09K11/02 , C09K11/56 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09D5/22 , H10K50/115
摘要： 本申请涉及量子点技术领域，提供了一种量子点配体交换方法、量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点配体交换方法，包括如下步骤：提供含第一配体的第一量子点溶液；在非活性气氛下，将第一量子点溶液和反应物混合，进行回流处理，得到表面含有第二配体的量子点溶液，所述第一配体的配位能力比所述第二配体的配位能力弱；该方法适用于利用弱配体置换强配体的情况，同时能够有效避免量子点原有配体的浪费、实现原有配体的科学合理利用，具有简单、温和、有效、快捷，普适性强，资源回收利用的优点。
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公开(公告)号：CN116925768A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210323258.X
申请日：2022-03-29
申请人： TCL科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种量子点及其制备方法、发光二极管、显示装置。量子点制备方法包括：提供混合溶液，混合溶液包括配位溶液、非配位溶液和量子点核；去除预设比例的非配位溶液；提供壳层阳离子前驱体和壳层阴离子前驱体，进行量子点壳层生长；其中，配位溶液的沸点高于非配位溶液的沸点。去除低沸点的非配位溶液，提高反应体系的沸点，使壳层高温生长，从而提高核壳量子点的结晶性，提升了量子点的发光效率。
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