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公开(公告)号：CN102565570A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110392791.3
申请日：2011-12-01
CPC分类号： G11B5/455 , G01R31/2635 , G01R31/2642 , G11B5/105 , G11B5/3166 , G11B5/3173 , G11B2005/0021 , H01S5/0021 , H01S5/0042
摘要： 提供了一种用于对受验对象执行老化测试的方法，其中多个电极被设置在不同高度的位置。该方法包括如下步骤：制备受验对象，其中在所述多个电极中处于较高位置的电极具有较高的表面粗糙度；使多个片式探针分别与所述多个电极接触；以及，通过所述多个片式探针向所述多个电极供应电流。通过实施该方法，所述片式探针可以与所述电极保持稳定接触，因为处于较高位置的电极比处于较低位置的电极具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可执行稳定和可靠的老化测试。
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公开(公告)号：CN102565570B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110392791.3
申请日：2011-12-01
CPC分类号： G11B5/455 , G01R31/2635 , G01R31/2642 , G11B5/105 , G11B5/3166 , G11B5/3173 , G11B2005/0021 , H01S5/0021 , H01S5/0042
摘要： 提供了一种用于对受验对象执行老化测试的方法，其中多个电极被设置在不同高度的位置。该方法包括如下步骤：制备受验对象，其中在所述多个电极中处于较高位置的电极具有较高的表面粗糙度；使多个片式探针分别与所述多个电极接触；以及，通过所述多个片式探针向所述多个电极供应电流。通过实施该方法，所述片式探针可以与所述电极保持稳定接触，因为处于较高位置的电极比处于较低位置的电极具有更高的表面粗糙度Ra。因此，可执行稳定和可靠的老化测试。
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公开(公告)号：CN107785468A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710273779.8
申请日：2017-04-21
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 本发明提供一种能够利用简单的构成，比以往提高光提取效率的半导体发光元件。本发明提供一种半导体发光元件(1)，包含：基板(2)；基板(2)上的金属层(3)；金属层(3)上的透光导电层(4)；透光导电层(4)上的绝缘层(30)；以及III-V族半导体构造(5)，形成在绝缘层(30)上，包含发光层(8)、p型半导体层(9)及n型半导体层(10)；且p型半导体层(9)的p型GaP接触层(11)的折射率n1、绝缘层(30)的折射率n2及透光导电层(4)的折射率n3满足关系式：n1＞n2＜n3。
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公开(公告)号：CN107785468B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710273779.8
申请日：2017-04-21
申请人： 罗姆股份有限公司
摘要： 本发明提供一种能够利用简单的构成，比以往提高光提取效率的半导体发光元件。本发明提供一种半导体发光元件(1)，包含：基板(2)；基板(2)上的金属层(3)；金属层(3)上的透光导电层(4)；透光导电层(4)上的绝缘层(30)；以及III‑V族半导体构造(5)，形成在绝缘层(30)上，包含发光层(8)、p型半导体层(9)及n型半导体层(10)；且p型半导体层(9)的p型GaP接触层(11)的折射率n1、绝缘层(30)的折射率n2及透光导电层(4)的折射率n3满足关系式：n1＞n2＜n3。
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