公开(公告)号：CN100347333C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN02819627.9

申请日：2002-09-30

Applicant: TOTO株式会社 ,  株式会社东京大学TLO

Inventor： 福久孝治 ,  中岛章 ,  筱原贤次 ,  渡部俊也 ,  大崎寿 ,  芹川正

IPC: C23C8/36 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

CPC classification number: C01B13/145 ,  C01P2002/01 ,  C01P2004/03 ,  C23C8/02 ,  C23C8/36 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5826 ,  C23C18/14 ,  C23C26/00 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884

Abstract: 本发明提供一种形成主要由非晶质构成的金属氧化物膜后，作为后处理，在温度180℃以下，在高频电场中，暴露于低温等离子体中，从而制造结晶性的金属氧化物薄膜的方法；以及采用该方法制造的结晶性金属氧化物薄膜。根据该制造方法，不伴有积极的加热处理，可在低温下在基材上形成致密而均匀的结晶金属氧化物薄膜，因此即使对于耐热性比较低的基材，也不会损害基材的特性，能够形成所需特性的金属氧化物薄膜。