公开(公告)号：CN108987336A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810508072.5

申请日：2018-05-24

申请人： ASM ,  IP控股有限公司

发明人： P·雷伊塞宁 ,  M·B·莫萨 ,  P-F·许

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0234 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

摘要： 公开了一种在低温下形成具有良好膜闭合的金属氮化物膜的方法。所述方法可以包括利用等离子体形成NH和NH2自由基以允许在低温下形成所述金属氮化物。所述方法还可以包括使蚀刻气体流动以产生具有均匀厚度的无定形膜。所述方法还可以包括使烷基肼流动以抑制所述金属氮化物膜的三维岛状生长。

公开(公告)号：CN105097471B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510200628.0

申请日：2015-04-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L21/76855 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/02 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66568 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/1304

摘要： 本文公开了一种形成具有掺杂的金属氧化物中间层的金属与半导体接触件的方法。在半导体衬底的顶面上形成绝缘层，目标区位于半导体衬底的顶面。穿过绝缘层蚀刻开口，开口暴露目标区的部分的顶面。掺杂的金属氧化物中间层在开口中形成并且接触目标区的顶面。用金属插塞填充开口的剩余部分，掺杂的金属氧化物中间层设置在金属插塞和衬底之间。掺杂的金属氧化物中间层由氧化锡、氧化钛或氧化锌中的一种形成并且掺杂有氟。本发明涉及具有掺杂的中间层的金属‑半导体接触件结构。

公开(公告)号：CN108183071A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711112653.9

申请日：2017-11-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿德里安·拉瓦伊

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  H01L21/32

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111

摘要： 本发明涉及一种采用ALD填隙间隔物掩模的自对准多重图案化处理流程。本文描述了一种形成用于自对准多重图案化工艺的对称间隔物的方法和装置。方法包括通过原子层沉积在包括核心材料和目标层的图案化衬底上沉积填隙材料、平坦化衬底以及蚀刻核心材料以形成对称的间隔物。填隙材料可沉积持续时间不足以完全填充特征，使得特征被欠填充。

公开(公告)号：CN105390378B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510416824.1

申请日：2015-07-15

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山本隆治 ,  镰仓司 ,  广濑义朗 ,  岛本聪

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02334 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67

摘要： 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。

公开(公告)号：CN103915512B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310057648.8

申请日：2013-02-22

申请人： 南亚科技股份有限公司

发明人： 谢君毅 ,  丹尼尔·丹哲那宾克

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01G4/10 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234

摘要： 本发明公开了一种电容结构，包含有一第一电极，设于一基材上；一二氧化钛介电层，直接形成在所述第一电极上，其中所述二氧化钛介电层仅单纯具有金红石结晶相；以及一第二电极，位于所述二氧化钛介电层上。根据本发明实施例，在所述第一电极与所述二氧化钛介电层之间不需要模版层、晶种层或预处理层。此外，也不需要对所述二氧化钛介电层进行任何的掺质掺杂处理。

公开(公告)号：CN103882411B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310713574.9

申请日：2013-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小川淳

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4551 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02337

摘要： 本发明提供成膜方法。该成膜方法所使用的成膜装置包括：旋转台；第1处理区域；第2处理区域；以及分离区域。该成膜方法包括以下工序：第1工序：在自第1气体供给部和分离气体供给部供给分离气体、自第2气体供给部供给氧化气体的状态下，使旋转台旋转至少一周；第2工序：在自第1气体供给部供给含有规定的元素的反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体、自分离气体供给部供给分离气体的状态下，使旋转台旋转规定周数，从而在基板上形成含有规定的元素的氧化膜；第3工序：在自第1气体供给部和分离气体供给部供给分离气体、自第2气体供给部供给氧化气体的状态下，使旋转台旋转至少一周。

公开(公告)号：CN103811550B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201310034600.5

申请日：2013-01-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王菘豊 ,  时定康 ,  林经祥 ,  孙诗平 ,  万幸仁

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体器件的接触结构。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，包括主面和主面下方的沟槽；填充沟槽的应变材料，应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于应变材料上方的开口，开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于开口的侧壁和底部上；介电层，位于半导体层上方；以及填充介电层开口的金属层。

公开(公告)号：CN105870123A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610177743.5

申请日：2016-03-25

申请人： 广西大学

发明人： 高锋 ,  张继豪 ,  吴艳 ,  韦悦周

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

摘要： 一种钨钛酸铋铁电薄膜，该薄膜材料的化学式为Bi4Ti3?xWxO12，其中0＜x≤0.5。其制备方法的工艺路线为：配制前驱液→制备前驱膜→制备铁电薄膜；该方法以水合硝酸铋、钛酸正四丁酯和异丙醇钨为前驱物，以冰乙酸和二乙醇甲醚的混合溶液为溶剂，以乙酰丙酮为稳定剂配制前驱液，经涂覆后高温焙烧制得光滑致密、厚度均匀、光透性好钨钛酸铋薄膜。这种方法具有易于控制材料组分，便于实现规模化生产的优点。该薄膜具有优良的铁电性能，剩余极化强度高，抗疲劳性能好，与稀土元素掺杂的钛酸铋铁电薄膜相比，该薄膜制备过程不添加任何稀土元素，从而降低薄膜的生产成本，在非易失性铁电存储器领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105420685A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510582177.1

申请日：2015-09-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 赛沙·瓦拉达拉简 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  桑格伦特·桑普伦格 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  泰德·明歇尔 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  穆罕默德·萨布里 ,  科迪·巴尼特

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274

摘要： 用于在基片上沉积膜的基片处理系统包括限定了反应体积并包括用于支撑基片的基片支撑件的处理室。气体输送系统被配置为将处理气体引入处理室的反应体积。等离子体发生器被配置为有选择地生成在反应体积内的RF等离子体。夹紧系统被配置为在膜的沉积期间将基片夹紧到基片支撑件上。背面净化系统被配置为在膜的沉积期间将反应气体供应到基片的背面边缘，以净化背面边缘。

公开(公告)号：CN105378897A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201380078101.4

申请日：2013-08-21

申请人： 英特尔公司

发明人： R·E·申克尔 ,  E·N·谭

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种装置包括：电路衬底；第一互连层和第二互连层，所述第一互连层位于所述衬底上的第一平面内，所述第二互连层位于所述衬底上的不同的第二平面内；以及硬掩模层，所述硬掩模层将所述第一互连层与所述第二互连层分隔开，其中，所述硬掩模层包括过孔交替的引导段和引导部，所述交替的引导段包括不同的硬掩模材料。一种方法包括：在集成电路结构上形成电介质层；在所述电介质层中形成具有互连线的第一互连层；在所述电介质层的表面上形成硬掩模层，所述硬掩模层包括交替的硬掩模材料，所述交替的硬掩模材料在所述互连线之上形成引导段；在所述引导段中的一个引导段内形成过孔引导部；以及在所述硬掩模引导层之上形成第二互连层，通过所述过孔引导部将所述第二互连层电连接到所述互连线的其中之一。