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公开(公告)号：CN117444373A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311369751.6
申请日：2023-10-20
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
IPC分类号： B23K15/06 , B23K15/00 , B23K103/18
摘要： 发明涉及反应釜内筒焊接技术领域，尤其涉及一种氮化物晶体反应釜内筒的焊接方法。其技术方案包括以下步骤：步骤S1，将纯银锭通过真空熔铸为纯银管并加工为合格零件，将镍基合金锻件加工为环形镍基合金，并对两种零件进行清洗，步骤S2,通过焊接夹具将纯银管及环形镍基合金进行定位及固定，连接形成壳体组件；步骤S3,通过焊接夹具将壳体组件放置在真空室。本发明的焊接方法焊缝质量稳定、焊接变形小、材料利用率高、生产效率高，实现了纯银管与镍基合金异种金属角接焊缝一次焊接成型，满足反应釜内筒组件相关焊缝高效稳定生产需求，提高反应釜设备生产制造技术水平。
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公开(公告)号：CN110042459B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910446105.2
申请日：2019-05-27
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种氮化镓晶体生产系统及其填充氨的方法。该氮化镓晶体生产系统包括输送管道组件、氨供应装置、质量流量控制器、氨存储装置、冷却装置、加热装置、反应容器和阀组件，氨供应装置、质量流量控制器、氨存储装置和反应容器之间通过输送管道连接，阀组件设置于输送管道上，冷却装置用于冷却氨存储装置，使进入氨存储装置的氨气液化，加热装置用于对氨存储装置、反应容器和两者之间的输送管道进行加热，使得氨存储装置中的液氨以气态的形式均匀地分布于氨存储装置、反应容器和两者之间的输送管道中。本发明的氮化镓晶体生产系统能够精确地控制填充至反应容器中的氨的量，且能够使得填充至反应容器中的氨的纯度更高。
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公开(公告)号：CN111304732A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010226640.X
申请日：2020-03-27
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及晶体生长技术领域，提供了一种晶体生长装置、热等静压设备及晶体生长方法。装置包括生长容器、端盖、密封件和泄放装置，生长容器具有至少一个开口，开口与生长容器内空腔相连通；端盖覆盖开口，以与生长容器内形成生长腔室；密封件设置于生长容器和端盖之间，以将生长腔室密封，泄放装置设置于端盖上，并贯穿端盖以与生长腔室相连通。本申请在生长腔室和端盖之间设置密封件，阻断了生长腔室与外界可能相通的唯一路径，有效提高生长腔室的密封性，在热等静压设备中晶体生长时，晶体生长装置的内外压差可灵活控制在预设范围内，不会因晶体生长装置的密封性而受影响。通过泄放装置可对生长腔室内部压力进行释放，起到保护生长装置的作用。
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公开(公告)号：CN118718933A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410764488.9
申请日：2024-06-13
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本申请提供了防黏连的内衬组件及其制造方法、反应釜。防黏连的内衬组件包括内衬本体和设置在内衬本体外侧的防黏层，内衬本体的材料与防黏层的材料不同。防黏连的内衬组件的防黏层为单层套筒或多层套筒，其制造方法包括：加热防黏层和/或冷却内衬本体；将内衬本体装配在防黏层中；恢复室温以使内衬本体和防黏层紧缩在一起。或者，防黏连的内衬组件的制造方法包括：提供第一材料，将第一材料缠绕裹覆于常温或经冷却的内衬本体外侧。本申请提供的反应釜包括如前所述的防黏连的内衬组件和釜体，内衬组件设置在釜体中。
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公开(公告)号：CN111455450B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010403311.8
申请日：2020-05-13
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
发明人： 高明哲
摘要： 本发明提供一种GaN单晶生长装置及其加热方法，包括一密闭的热等静压容器、设置于热等静压容器内的高压釜以及环绕高压釜外壁设置的加热装置，所述高压釜与所述热等静压容器之间设置有气体循环装置，使得热等静压容器内部产生气体循环。本发明能够通过加热装置，实现对原料区和结晶区之间的温差进行精确控制；通过内循环装置，实现高压釜外部气体的对流循环；通过外循环装置，实现了热等静压容器内部与热等静压容器外部产生热交换，从而稳定控制热等静压容器内部的温度，以实现加速GaN单晶在结晶区内的生长；通过气体循环装置，实现对高压釜外的压力进行控制，保证了热等静压容器内压力始终大于高压釜内压力，使高压釜处于外压工况，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN111455450A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010403311.8
申请日：2020-05-13
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
发明人： 高明哲
摘要： 本发明提供一种GaN单晶生长装置及其加热方法，包括一密闭的热等静压容器、设置于热等静压容器内的高压釜以及环绕高压釜外壁设置的加热装置，所述高压釜与所述热等静压容器之间设置有气体循环装置，使得热等静压容器内部产生气体循环。本发明能够通过加热装置，实现对原料区和结晶区之间的温差进行精确控制；通过内循环装置，实现高压釜外部气体的对流循环；通过外循环装置，实现了热等静压容器内部与热等静压容器外部产生热交换，从而稳定控制热等静压容器内部的温度，以实现加速GaN单晶在结晶区内的生长；通过气体循环装置，实现对高压釜外的压力进行控制，保证了热等静压容器内压力始终大于高压釜内压力，使高压釜处于外压工况，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN111020708A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911290439.1
申请日：2019-12-16
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种热等静压晶体生长装置。该热等静压晶体生长装置包括第一容器，第一容器的内腔容纳有至少一个第二容器，第二容器用于容纳原料、矿化剂和籽晶，第二容器的外壁和第一容器的内壁之间设置有加热部件，第一容器的内壁暴露于第一容器的内腔的部分覆盖有防腐蚀涂层。上述热等静压晶体生长装置可以有效防止第二容器中的腐蚀性物质泄漏时对第一容器内壁造成的侵蚀，从而降低装置的维护成本、方便装置的后期维修、保障晶体的生长周期。
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公开(公告)号：CN110195258A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910620554.4
申请日：2019-07-10
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种氮化镓晶体生长装置及其生长方法。该氮化镓晶体生长装置包括反应容器，所述反应容器内设置原料区和结晶区，所述原料区和所述结晶区中的至少一者的数量为至少两个，所述原料区和所述结晶区在所述反应容器的轴向上交替分布。本发明的氮化镓晶体生长装置能够提高氮化镓晶体的生长速度和结晶质量，同时能够减少原料的损失。
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公开(公告)号：CN109750356B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910250202.4
申请日：2019-03-29
申请人： 上海玺唐半导体科技有限公司 , 四川航空工业川西机器有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种用于在超临界流体中生长材料的装置和材料的生长方法。用于在超临界流体中生长材料的装置包括第一容器、第二容器和加热部件，所述第二容器被容纳于所述第一容器的内腔，所述加热部件设置于所述第一容器的内腔并用于给所述第二容器加热，待生长的材料能够被设置在所述第二容器内生长，所述第一容器和所述第二容器均能够填充用于传递压力的介质，使所述第一容器内的压强与所述第二容器内的压强的差值小于所述第二容器内的压强与标准大气压的差值。根据本发明的装置的制作成本低且能使生长的材料达到较大的尺寸。
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