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公开(公告)号：CN103346741B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310326221.3
申请日：2013-07-31
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种双路噪声抵消电流复用低噪声放大器，包括共栅级放大器、带负反馈的共源级放大器、第二级共源级放大器和负载级源跟随器；其中，共栅级放大器包括第二N型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管、第一电感、第二电感、第一电容、第三电容；带负反馈的共源级放大器包括第三N型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第三电阻、第四电阻、第四电容、第五电容；第二级共源级放大器包括第一P型金属氧化物晶体管、第二电阻、第六电容；负载级源跟随器包括第一N型金属氧化物晶体管、第二电容、第一电阻。该结构的低噪声放大器具有双路噪声抵消的功能，具有低噪声系数和低功耗的功能。
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公开(公告)号：CN103036516B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210591649.6
申请日：2012-12-31
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03F3/45
摘要： 本发明公开了一种低电源电压下高共模抑制比运算放大器，该运算放大器包含主跨导级电路、从跨导级电路、第一级负载电路和第二级放大电路；其中，主跨导级电路包括第五P型金属氧化物晶体管、第六P型金属氧化物晶体管、第七P型金属氧化物晶体管、第四N型金属氧化物晶体管和第五N型金属氧化物晶体管；从跨导级电路包括第二P型金属氧化物晶体管、第三P型金属氧化物晶体管、第四P型金属氧化物晶体管、第二N型金属氧化物晶体管和第三N型金属氧化物晶体管；第二级放大电路包括第一P型金属氧化物晶体管、第一N型金属氧化物晶体管、第一电容和第一电阻。该结构的运算放大器能够在低电源电压下保证高共模抑制比和高电源抑制比的特性。
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公开(公告)号：CN103308076B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310201528.0
申请日：2013-05-24
申请人： 东南大学
摘要： 本发明提出一种频率电压转换电路，主要包括逻辑控制电路和主体电路，其中使用固定电流对电容充电并通过延迟放电，将充电电容上的峰值电压保存一段时间以便采集电容采集并存储该电压值，同时为尽量避免采样开关对充电电容的影响，使用源跟随器作为高速缓冲器隔离充电电容和采样电路，并通过基于运算放大器的反馈电路消除由源跟随器引入的采样电平移位，使输出电压恢复充电电容上的峰值电压。由于引入了高速缓冲器隔离充电电容和采集开关，本发明相对于传统充电式F-V转换器具有更高的精度，同时由于延迟放电和缓冲器的高带宽，本发明可以在宽输入频率范围下可靠工作。
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公开(公告)号：CN103024889B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210585698.9
申请日：2012-12-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： H04W52/52
摘要： 一种应用于无线通信系统的自动增益控制方法，首先，增益控制值调整为最大值，最佳增益控制值所在的区间为增益控制值的最小值与最大值之间；然后通过比较当前估计到接收信号的平均功率与参考功率的大小，如果估计到的接收信号的平均功率大于参考功率，则调整当前的增益控制值为最大值与最小值之间的中间值。然后再次估计接收信号的平均功率，比较接收信号的平均功率与参考功率的大小，如果估计到接收的信号的平均功率大于参考功率，则最佳增益控制值在增益控制范围的中间值与最小值之间，反之最佳增益控制值在增益控制范围的中间值与最大值之间，直至接收信号的平均功率与参考功率的误差控制在一定的范围之内，最终完成增益的锁定，实现增益控制的快速调整。
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公开(公告)号：CN103107791B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210590866.3
申请日：2012-12-31
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03G3/30
摘要： 本发明公开了一种带宽恒定的增益线性可变增益放大器，该可变增益放大器包含共源级放大器和增益调节网络；共源级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管、第五N型金属氧化物晶体管、第一P型金属氧化物晶体管、第二P型金属氧化物晶体管和第一电流源；增益调节网络包括第二至第八N型金属氧化物晶体管、第二至第十电流源和第一至第十五开关。该结构的放大器具有带宽恒定的特点，同时通过不同的控制字，能够使增益达到精确的线性效果。
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公开(公告)号：CN103279162B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310137478.4
申请日：2013-04-19
申请人： 东南大学
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明涉及基准电压缓冲器，为了解决现有技术充放电速度慢、功耗大的缺点，本发明通过增加放电电流控制电路和充电电流控制电路，若负载电容处于放电的时钟相位，则放电电流控制电路中的CMOS开关阵列闭合，加快负载电容上面的电容泄放，使电容上的电压很快的下降；若负载电容处于充电的时钟相位，充电电流控制电路中CMOS开关阵列闭合，为电容提供额外的充电电路。本发明可以驱动非常大的负载电容，并在较短的时间内即可建立要求的电压精度。
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公开(公告)号：CN102522954B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110436740.6
申请日：2011-12-23
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03D7/14
摘要： 本发明公开一种电流复用高线性度折叠电流镜混频器，在电流镜内嵌入双平衡混频开关对，跨导级的射频电流在电流镜和双平衡开关对的共同作用下，产生变频后的中频电流信号，其幅度与跨导级的射频电流保持一致并且在负载电阻上形成输出电压。这种基于电流镜的结构避免了传统的折叠式吉尔伯特混频器因级联而导致的线性度恶化；同时，对于电流镜的输入和输出静态偏置电流进行了复用并使用电感电容并联网络来实现对射频信号的隔离，串联的共栅管一方面可以实现对输出端中频信号到射频跨导级输出端的隔离，另一方面稳定电流镜输出端的电压波动，提高电流镜复制的精确性。电流镜的输入输出静态偏置电流共同注入跨导级，提高了电流利用效率，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN102340295B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110143098.2
申请日：2011-05-30
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03H11/32
摘要： 本发明公开了一种宽带有源巴伦电路，本发明将单端信号转换为双端平衡信号的过程分为两级：第一级提出了一种基于完全对称电路结构的电流复用单转双电路，电流复用单转双电路包括源跟随器、共源放大器和用于确保源跟随器与共源放大器对称偏置的静态偏置电路；第二级差分放大电路对前级得到的差分信号进行放大，差分放大电路与电流复用单转双电路输出端相连接，以满足后续电路对处理信号的要求，并且对前级输出的幅度失配有一定的纠正作用。本发明能在10GHz以内的输入电压信号下，得到幅度相等、相位差分的输出信号；后级只需要一级放大电路即可完成对幅值偏差的进一步完善，减小了电路规模。
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公开(公告)号：CN103326728A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310285965.5
申请日：2013-07-09
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03M3/00
摘要： 本发明公开了一种噪声抑制增强ΣΔ调制器结构，通过将量化器Q的输入信号和输出信号做差得到量化噪声，将该量化噪声延迟一个周期之后再送入积分器中，因此除了能够实现正常的噪声抑制还会增加一阶噪声整形，即在相同积分器个数的情况下，将单环结构调制器对量化噪声抑制阶数提高一阶。本发明提供的噪声抑制增强ΣΔ调制器结构在传统调制器基础上，提出一种噪声抑制增强技术，其所能实现的量化噪声抑制阶数，比调制器中积分器的个数要高；在实现相同性能的情况下，降低了整体功耗，减小了芯片面积，大大提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN103259756A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310138640.4
申请日：2013-04-19
申请人： 东南大学
IPC分类号： H04L27/26
摘要： 本发明公开一种应用于OFDM系统的符号定时同步和载波同步方法，包括以下步骤：1）OFDM系统的发射模块在有效OFDM符号前发送第一、第二训练序列；2）接收时根据第一训练序列进行准确的符号定时同步；3）根据接收到的第一训练序列进行粗载波频偏估计；4）根据接收到的第一、第二训练序列进行细载波频偏估计；5）根据粗载波频偏估计值对产生细载波频偏估计进行修正；6）利用步骤3和步骤5产生的结果，计算总载波频偏；7）利用步骤6的结果进行载波频偏补偿。本发明提出符号定时同步和载波同步方法不仅复杂度低而且性能良好，定时同步的定时误差和载波频偏估计的均方误差都比较小，对信号噪声和载波频偏不敏感，最大可估计范围为子载波间距的4倍。
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