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公开(公告)号：CN115045881B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210695529.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本发明涉及半导体设备中流体控制装置技术领域，尤其是涉及一种半导体设备用气动装置。所述半导体设备用气动装置，包括：总管、分流阀块以及多个支管；所述总管通过所述分流阀块分别与多个所述支管连通；每个所述支管上均设有调压阀、压力检测元件、调速阀和流量检测元件。本发明提供的半导体设备用气动装置可以同时对多个支路的气体压力和气体流量分别进行调整，方便使用。
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公开(公告)号：CN118981082A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411333186.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本发明提供一种基准装置，涉及半导体技术领域。基准组件包括底托和基准方镜，基准方镜固定在底托上，底托与基座连接；第一弹簧柱塞和第一调整件均与基座连接，第一弹簧柱塞和第一调整件分别与底托在X轴方向上的两侧抵接，第一调整件能够沿X轴方向移动；第二弹簧柱塞和第二调整件均与基座连接，第二弹簧柱塞和第二调整件分别与底托在Y轴方向上的两侧抵接，第二调整件能够沿Y轴方向移动，压紧组件沿Z轴方向延伸，压紧组件穿过基座并与底托螺纹连接。本发明的基准装置中能够解决调整组件对基准方镜施力可能会导致基准方镜的侧面损坏，以及两个调整组件仅能实现对基准方镜在两个方向上的锁定，基准装置对基准方镜的固定的稳定性较差的问题。
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公开(公告)号：CN118295322A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410392208.6
申请日：2024-04-02
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G05B19/19
Abstract: 本申请提供了一种半导体设备的移动控制方法及装置，该方法包括：获取多项式参数及运动学约束参数，根据多项式参数确定多项式曲线的初始参数及终止参数；根据初始参数及运动学约束参数，对多项式曲线前的步进加速段、位置步进段进行轨迹规划，获得步进加速曲线及位置步进曲线；根据终止参数及运动学约束参数，对多项式曲线后的步进减速段进行规划获得步进减速曲线；将多项式曲线、步进加速曲线、位置步进曲线、步进减速曲线拼接在一起得到移动控制曲线，以利用移动控制曲线对半导体设备进行控制。通过采用上述半导体设备的移动控制方法及装置，解决了采用点对点的线性移动方法来满足非线性运动需求时，导致控制过程复杂度高及控制耗时长的问题。
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公开(公告)号：CN118243012A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410358681.2
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G01B11/24
Abstract: 本申请提供了一种物体面型检测方法、系统及电子设备，应用于物体面型检测系统，物体面型检测系统包括用于放置被测物体的运动台，该方法包括：根据被测物体的几何信息，规划出理想测量轨迹下的多个分段测量轨迹，并确定每个分段测量轨迹对应的分段拟合曲线；按照每个分段测量轨迹对应的分段拟合曲线控制运动台进行连贯运动，并在运动台的运动过程中通过扫描方式采集被测物体的垂向高度信息；根据采集到的垂向高度信息，确定被测物体的面型。通过采用上述物体面型检测方法、系统及电子设备，解决了现有技术中，面型检测时间长及面型检测精度低的问题。
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公开(公告)号：CN112614804B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202011381251.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及芯片加工装置技术领域，尤其是涉及一种加热吸盘组件以及芯片拼接装置。加热吸盘组件，包括底盘、加热件以及吸附台；底盘上形成有安装空间，安装空间用于安装加热件，吸附台设置于加热件的上方；吸附台用于吸附待加工件，加热件透过吸附台用于对待加工件传递热量。本申请设置有加热件和吸附台，首先利用吸附台将待加工件吸附于所述吸附台上，实现对待加工件的固定作用，然后给加热件通电，使其内部的电阻丝发热，热量通过所述吸附台并传递给待加工件与其它部件连接的粘结剂，进而缩短粘结剂的固化时间，提高了工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118170063A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410295433.8
申请日：2024-03-15
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G05B19/042
Abstract: 本申请提供了一种整机系统的电路控制方法，其中，整机系统的电路包括多级电源控制模块和安全互锁模块，其中，每级电源控制模块包括至少一个直流接触器，每个直流接触器用于控制至少一个整机分系统的电源开关，所述安全互锁模块包括多个开关控制单元和单片机，每个开关控制单元的输出端与单片机上该开关控制单元对应的引脚连接，其中，所述单片机执行以下步骤：根据单片机多个引脚的多个电平，控制整机系统执行与多个引脚的多个电平对应的目标动作。解决了现有技术中存在的不能对设备进行逐级断电以及电源的分级处理，容易出现设备的损坏和数据的丢失的问题，达到对电源的分级管理，保护工作安全和数据安全的效果。
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公开(公告)号：CN118031825A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410241880.5
申请日：2024-03-04
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G01B11/06
Abstract: 本申请涉及一种晶圆厚度测量工装及测量方法，其中晶圆厚度测量工装包括工作台板，所述工作台板上设置有用于承接并固定晶圆的测量吸盘，所述测量吸盘连接有能够调整其水平位置的平移机构；所述测量吸盘的下部设置有用于转动晶圆的旋转吸盘，所述旋转吸盘连接有能够控制其在竖向上伸缩的升降机构；所述测量吸盘的上下两侧分别设置有测距传感器，所述工作台板的下部设置有退让机构，所述退让机构用于带动所述升降机构移动，为所述测量吸盘下部的测距传感器提供测量空间。本发明能够在最大程度上保证测量精度，同时能够以非接触测量的状态下实现对晶圆上所有点位厚度的检测。
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公开(公告)号：CN114563930B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210244571.4
申请日：2022-03-14
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请提供了一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质，基片曝光方法包括：基于待曝光的目标基片中的标记点，确定目标基片的水平位置偏移信息；确定目标基片中每个预设曝光区域的实际水平位置信息；基于采集到的任一预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息，确定该预设曝光区域是否满足曝光条件；若满足，则对目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理。本申请在曝光组件水平对准基片上任一预设曝光区域的基础上，还对该预设曝光区域上形成的像平面进行调整，使得该预设曝光区域内的像平面满足曝光条件，实现了针对非标准厚度规格的基片中任一预设曝光区域的准确曝光，在提高对基片曝光的通用性的同时，可以提升对基片的曝光质量。
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公开(公告)号：CN117954367A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410124122.5
申请日：2024-01-29
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本申请提供了一种晶圆的放置方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：利用上片机械手将目标晶圆放置在装卸工位对应的目标装载台上，获取目标装载台自转过程中不同方向上目标晶圆的边缘图像；利用边缘图像，确定目标晶圆的晶圆中心与目标装载台的载台中心之间的偏移量；根据偏移量对上片机械手的初始放置动作参数进行调整，利用调整后的放置动作参数重新将目标晶圆放置在目标装载台上。通过采用上述晶圆的放置方法、装置、电子设备及存储介质，解决了在放置晶圆过程中，放置精度的补偿过程繁琐及补偿效率低的问题。
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公开(公告)号：CN117943975A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410272246.8
申请日：2024-03-11
Applicant: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种清洗装置及晶圆磨削设备。清洗装置包括内轴、外轴、旋转机构和升降机构，外轴同轴地设于内轴外侧并通过传动组件相连，使外轴被旋转机构驱动旋转时能够带动内轴同步旋转，且内轴能够被升降机构驱动以相对外轴升降。外轴的一端设有硬质的第一清洁件，内轴的同一端设有软质的第二清洁件，内轴的升降能够使第二清洁件高于或低于第一清洁件。从而通过两种清洁件分别清洗晶圆和取片机械手，提高清洁效果；同时二者共用旋转机构并通过升降实现切换，有效降低了清洗装置占用的空间；同时清洁件与被清洗件之间是面接触并旋绕着与接触面相垂直的轴线旋转擦拭，能够有效提高清洁效果和清洁效率。
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