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公开(公告)号：CN112230856A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011126537.4
申请日：2020-10-20
申请人： 北京紫光得瑞科技有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明实施例提供了一种NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法、装置及SSD设备，所述方法包括：根据预设的初始参考电平偏移值配置硬判决参考电平，并基于所述硬判决参考电平对存储空间的存储数据进行读取，所述存储数据中包括有目标编码数据序列和预设的训练序列；对所述目标编码数据序列进行译码；若译码失败，则对读取的所述训练序列的可靠性状态参数进行统计；根据统计出的可靠性状态参数对所述初始参考电平偏移值进行调整配置。本发明实施例提出的NAND硬判决参考电平偏移值的配置方法、装置及SSD设备，能够根据存储介质的实时状态对参考电平偏移值进行相应调整，以提高数据读取可靠度。
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公开(公告)号：CN108389596A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810497249.6
申请日：2018-05-22
申请人： 北京紫光得瑞科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种NAND Flash芯片的掉电保护电路、方法及固态硬盘，该掉电保护电路包括：电源通断控制电路，检测外部电源的掉电事件，并在检测到外部电源的掉电事件后，断开供电转换电路与外部电源的供电通路；储能电路，在供电通路断开之后为SSD系统、NAND Flash芯片供电，使NAND Flash芯片的供电电压在时间长度T内处于芯片工作电压额定值，让SSD在外部掉电后能够在时间长度T内将存放在DDR的易失性数据迁移到Nand Flash芯片保存；放电加速电路，在检测到NAND Flash芯片的供电电压小于芯片工作电压阈值时对Nand Flash芯片进行放电，以使Nand Flash恢复供电之前，降低到NAND Flash芯片的放电电压阈值。本发明能够降低Nand Flash恢复供电后出现错误事件发生的概率，提高系统在掉电后的再次开机响应速度。
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公开(公告)号：CN111245441A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010007952.1
申请日：2020-01-03
申请人： 北京紫光得瑞科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种纠错码的判决信息的产生方法和装置。该方法包括：确定存储单元所在的状态区间；根据所述存储单元所在的状态区间，查表得到所述存储单元存储的各个比特的判决信息，作为译码器的输入。该装置位于与存储器连接的存储控制器中，该装置包括：状态区间确定单元，用于确定存储单元所在的状态区间；查表判决单元，用于根据所述存储单元所在的状态区间，查表得到所述存储单元存储的各个比特的判决信息，作为译码器的输入。这种方法和装置提高了存储控制器判决信息精度，使之能较准确地反映不同比特位在不同状态区间的可靠度，从而提升LDPC码的译码性能。
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公开(公告)号：CN112233720A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011161879.X
申请日：2020-10-27
申请人： 北京紫光得瑞科技有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种低时延LDPC解码器的硬件实现方法、装置及解码器，该低时延LDPC解码器的硬件实现方法能同时完成行更新，列更新和校验，大大降低了解码所需的时间，降低解码器延迟。与此同时，能够免去普通解码过程中大量行更新和列更新的中间计算结果的缓存需求，大大减少了解码过程中所需的硬件缓存资源。该方法还能只针对非零行进行处理，省去了一些不必要的运算单元和寄存器。
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公开(公告)号：CN109684150A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811583601.4
申请日：2018-12-24
申请人： 北京紫光得瑞科技有限公司
CPC分类号： G06F11/2289 , G06F11/2268 , G06F11/2273 , G06F11/261
摘要： 本发明公开了一种存储颗粒控制器的性能测试系统、测试方法及仿真平台，该测试方法包括：接收主机控制中心发送的闪存命令；采用闪存命令模拟存储颗粒控制器发送的控制命令，并将控制命令发送到存储颗粒模拟器，以操作存储颗粒模拟器中的待操作数据，存储颗粒模拟器用于模拟Flash存储颗粒在指定寿命周期的NAND存储特性对预设原始数据进行相应处理；接收存储颗粒模拟器返回的操作结果，按照所仿真的存储颗粒控制器的纠错模型对操作结果进行纠错处理并发送到主机控制中心，以确定纠错模型的性能。本发明不仅可以快速、高效地实现对存储颗粒控制器的性能测试，还能够高效、可控地实现特性以及异常场景的测试，极大提高了存储产品的性能和数据可靠性。
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公开(公告)号：CN208157073U
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201820766752.2
申请日：2018-05-22
申请人： 北京紫光得瑞科技有限公司
摘要： 本实用新型提出了一种NAND Flash芯片的掉电保护电路及固态硬盘，该电路包括：电源通断控制电路，检测外部电源的掉电事件，并在检测到外部电源的掉电事件后，断开供电转换电路与外部电源的供电通路；储能电路，在供电通路断开之后为SSD系统、NAND Flash芯片供电，使NAND Flash芯片的供电电压在时间长度T内处于芯片工作电压额定值，让SSD在外部掉电后能够在时间长度T内将存放在DDR的易失性数据迁移到Nand Flash芯片保存；放电加速电路，在检测到NAND Flash芯片的供电电压小于芯片工作电压阈值时对Nand Flash芯片进行放电，以使Nand Flash恢复供电之前，降低到NAND Flash芯片的放电电压阈值。本实用新型能够降低Nand Flash恢复供电后出现错误事件发生的概率，提高系统在掉电后的再次开机响应速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208157070U
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201820770961.4
申请日：2018-05-23
申请人： 北京紫光得瑞科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种固态硬盘及电容储能组件，该固态硬盘包括硬盘盒、置于所述硬盘盒内的PCB主板以及所述PCB主板的电容储能组件；所述电容储能组件包括连接器、组件PCB板以及表贴在所述组件PCB板上的至少一个电容元件，所述至少一个电容元件并联连接在所述连接器的公座，所述连接器的母座设置在所述PCB主板上，通过所述连接器实现所述PCB主板与所述电容储能组件的连接。本实用新型将表贴电容安装到一块小PCB板上，形成独立设置的电容储能组件，通过电容储能组件的连接器来固定电容储能组件和PCB主板，实现所述PCB主板与所述储能组件的连接，合理的利用了U.2硬盘盒内部空间，便于增大储能能力。
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