-
公开(公告)号：CN113026018A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110224955.5
申请日：2021-03-01
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜钼合金的蚀刻液组合物，按蚀刻液组合物的重量100％计，其主要组成为5～12％的过氧化氢、5～10％的有机酸、5～10％的有机碱和0～0.5％的蚀刻抑制剂；有机碱为空间位阻胺或者其主要组成包含空间位阻胺，空间位阻胺25℃的pKa为10.3～11.1。本发明铜钼合金的蚀刻液组合物采用空间位阻胺作为有机碱，或者有机碱的主要组成包括空间位阻胺，利用有机碱分子结构的空间位阻，在无氟离子和磷组分的蚀刻体系中，改善反应后期有机酸消耗、碱性增强波动导致的钼或钼合金底切问题。本发明还公开了一种基于铜钼合金的蚀刻液组合物的蚀刻方法。
-
公开(公告)号：CN118685774A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410693442.2
申请日：2024-05-31
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种液晶面板用Cu‑MTD蚀刻液及其制备方法，属于铜蚀刻液技术领域，包括以下重量占比的组分：双氧水5‑18％、稳定剂0.01‑1％、有机酸1‑12％、有机碱1‑10％、缓蚀剂0.01‑2％，其余为超纯水。该铜蚀刻液具有兼容性强、蚀刻效率稳定、蚀刻效果好的优点，可有效解决现有技术中的问题。
-
公开(公告)号：CN113026018B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110224955.5
申请日：2021-03-01
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种铜钼合金的蚀刻液组合物，按蚀刻液组合物的重量100％计，其主要组成为5～12％的过氧化氢、5～10％的有机酸、5～10％的有机碱和0～0.5％的蚀刻抑制剂；有机碱为空间位阻胺或者其主要组成包含空间位阻胺，空间位阻胺25℃的pKa为10.3～11.1。本发明铜钼合金的蚀刻液组合物采用空间位阻胺作为有机碱，或者有机碱的主要组成包括空间位阻胺，利用有机碱分子结构的空间位阻，在无氟离子和磷组分的蚀刻体系中，改善反应后期有机酸消耗、碱性增强波动导致的钼或钼合金底切问题。本发明还公开了一种基于铜钼合金的蚀刻液组合物的蚀刻方法。
-
公开(公告)号：CN118581455A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410693446.0
申请日：2024-05-31
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
摘要： 本申请涉及平板显示技术领域，提供了一种银蚀刻液及其制备方法和应用，银蚀刻液以所述银蚀刻液的总重量为100％计，包括如下重量百分含量的下列组分：无机酸7～9％、有机酸5～7％、有机螯合剂13～18.5％、螯合分散剂8～10％、酸式无机盐15～28％，余量为水。银蚀刻液粘度小，银蚀刻液中具有缓冲作用的组分占比高，蚀刻速率稳定，蚀刻出的效果更好，均一性更好；同时添加有机酸螯合剂和螯合剂分散剂，改善银离子吸附回粘等情况。
-
公开(公告)号：CN117779038A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311833725.4
申请日：2023-12-28
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种低磷酸型钼铝钼蚀刻液及其制备方法，涉及钼蚀刻技术领域。本发明以按重量份计，包括磷酸40％～50％，醋酸40％～50％，硝酸1％～5％，添加剂0.01％～2％，其余为去离子水；所述添加剂主要由碱土金属盐、亚氨基二乙酸、甘氨酸、柠檬酸、乳酸、丙二酸、甲硫氨酸组成；以解决现有的磷酸体系钼铝钼蚀刻液废液处理成本高、蚀刻CD‑l oss大，蚀刻截面均一性差以及蚀刻表面铝刺较多，导致mura的问题。
-
公开(公告)号：CN113025333B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110224947.0
申请日：2021-03-01
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种改进的草酸铟溶解剂组合物，主要组分为碱性组分、螯合剂、pH值调节剂和水，螯合剂主要组成为螯合剂A和螯合剂B，螯合剂A为选自氨基多羧酸及其盐中的至少一种，螯合剂B为羟基多羧酸及其盐中的至少一种，改进的草酸铟溶解剂组合物的pH值为9.5～10.5。本发明改进的草酸铟溶解剂组合物采用复配螯合剂体系，利用两种螯合剂在草酸铟溶解剂组合物体系下具有协同的螯合性能，增加草酸铟的溶解度并且提高溶解速率。本发明还公开了一种基于草酸铟溶解剂组合物的蚀刻设备清洗工艺。
-
公开(公告)号：CN113025333A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110224947.0
申请日：2021-03-01
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/306
摘要： 本发明公开了一种改进的草酸铟溶解剂组合物，主要组分为碱性组分、螯合剂、pH值调节剂和水，螯合剂主要组成为螯合剂A和螯合剂B，螯合剂A为选自氨基多羧酸及其盐中的至少一种，螯合剂B为羟基多羧酸及其盐中的至少一种，改进的草酸铟溶解剂组合物的pH值为9.5～10.5。本发明改进的草酸铟溶解剂组合物采用复配螯合剂体系，利用两种螯合剂在草酸铟溶解剂组合物体系下具有协同的螯合性能，增加草酸铟的溶解度并且提高溶解速率。本发明还公开了一种基于草酸铟溶解剂组合物的蚀刻设备清洗工艺。
-
公开(公告)号：CN117779033A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311833722.0
申请日：2023-12-28
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
IPC分类号： C23F1/14 , H01L21/3213
摘要： 本发明公开了一种高效长寿命一剂型铜蚀刻液，涉及TFT‑LCDArray制程技术领域。本发明按重量百分比计，主要组成为双氧水5～15％、双氧水稳定剂0.001～1％、有机酸5～10％、混合有机碱5～10％、螯合剂0.001～1％、抗蚀剂0.001～1％，其余为超纯水；以解决现有的铜蚀刻液单一使用寿命短、蚀刻速率较低、蚀刻指标不稳、蚀刻均一性差的问题。
-
公开(公告)号：CN221309831U
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202323256173.3
申请日：2023-11-30
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种NMP洗液纯化预处理装置，涉及NMP洗液回用技术领域。本实用新型包括圆形的处理罐，所述处理罐内通过水平的隔热板分割为固液分离腔和蒸发分离腔；所述固液分离腔与所述蒸发分离腔通过设于所述隔热板上的排料管连通，所述固液分离腔内设有用于固液分离的滤筒，所述处理罐的外部底面安装有转动电机，所述转动电机的转动段同轴安装有转轴，所述转轴伸入所述蒸发分离腔穿过所述隔热板与所述滤筒的底面同轴连接，所述蒸发分离腔内设有加热机构，所述蒸发分离腔的侧壁连通有排气管；以解决NMP洗液在固液分离后需要长距离输送才能开始预蒸发，从而在输送过程中浪费更多热量的问题。
-
公开(公告)号：CN216389275U
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202122576386.9
申请日：2021-10-25
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种用于大功率半导体的清洗装置，包括工作台，所述工作台上设置有洗液收集腔，所述工作台上设置有延伸至洗液收集腔内的放置件及翻转装置，所述翻转装置包括位于放置件一侧的推板及带动推板上下左右移动的驱动装置，所述推板靠近放置件一侧均布有若干凸块，所述放置件上均布有若干供凸块插入的凹槽，且放置件上设置有若干将放置件分隔为多个放置半导体元件的腔体的隔板，所述隔板远离推板一侧设置有定位板，所述放置件及推板底部均设置有若干透水孔。本实用新型提供的用于大功率半导体的清洗装置，不需要夹持，能自动对半导体元件进行翻面，有效提升了半导体元件的清洗效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
27 条记录 (耗时 0.05 秒)
