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公开(公告)号：CN115011404A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210788878.0
申请日：2022-07-06
申请人： 天津鑫泰士特电子有限公司
发明人： 石建伟
IPC分类号： C10M173/02 , C10N30/18 , C10N30/06
摘要： 本发明提供了一种含不饱和烃改性聚醚的金刚线切割液及其制备方法。所述金刚线切割液由润滑聚合物、消泡剂和去离子水配制而成，该金刚线切割液具有良好的表面张力，无需添加表面活性剂，有效节约配制成本，使用简便，经济高效，同时具有良好的润滑性与产品稳定性、能很好地防止储存以及使用过程中不饱和烃基的聚合变质，在多晶硅片制备领域，具有良好的应用前景和应用价值。
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公开(公告)号：CN115073752A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210734339.9
申请日：2022-06-27
申请人： 天津鑫泰士特电子有限公司
发明人： 石建伟
摘要： 本发明提供了一种低反射率单晶硅用制绒添加剂及其制备方法和应用。所述制绒添加剂由壳聚糖通过改性接枝有机硅氧烷链段、聚醚链段等制备而成，该制绒添加剂能够在碱性水溶液中充分溶解，本身具有良好的表面张力，无需添加表面活性剂，有效节约配制成本，使用简便，经济高效，在单晶硅制绒时，能有效降低反射率，制得的单晶硅表面结构致密均匀，具有良好的品质，在单晶硅片制备领域，具有良好的应用前景和应用价值。
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公开(公告)号：CN107686779A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610624466.8
申请日：2016-08-03
申请人： 天津鑫泰士特电子有限公司
发明人： 石建伟
摘要： 一种半导体硅磨片清洗剂及其制备方法，所述清洗剂，包括表面活性剂、有机碱、络合剂、助溶剂和水，所述清洗剂的组份和含量的体积百分比如下：表面活性剂1-15%；有机碱3-5%；络合剂2-10%；助溶剂3-10%；水60-80%；按上述组份和含量制成清洗剂，对硅片清洗操作简单，且没有增加繁琐的清洗步骤，成本低、无污染，特别适合对金刚砂研磨的硅片进行清洗。
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公开(公告)号：CN115011404B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210788878.0
申请日：2022-07-06
申请人： 天津鑫泰士特电子有限公司
发明人： 石建伟
IPC分类号： C10M173/02 , C10N30/18 , C10N30/06
摘要： 本发明提供了一种含不饱和烃改性聚醚的金刚线切割液及其制备方法。所述金刚线切割液由润滑聚合物、消泡剂和去离子水配制而成，该金刚线切割液具有良好的表面张力，无需添加表面活性剂，有效节约配制成本，使用简便，经济高效，同时具有良好的润滑性与产品稳定性、能很好地防止储存以及使用过程中不饱和烃基的聚合变质，在多晶硅片制备领域，具有良好的应用前景和应用价值。
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公开(公告)号：CN107686776A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610624467.2
申请日：2016-08-03
申请人： 天津鑫泰士特电子有限公司
发明人： 石建伟
CPC分类号： C11D1/22 , C11D1/721 , C11D3/00 , C11D3/044 , C11D3/201 , C11D3/2017 , C11D3/2065 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/33
摘要： 一种太阳能级硅切片清洗剂及其制备方法，所述清洗剂的组份和重量百分比如下：表面活性剂1-15%；有机碱5-15%；络合剂2-10%；助溶剂3-10%；无机碱PH调节剂0.01-2%；余量为去离子水；其中，所述有机碱选自三乙醇胺、四甲基氢氧化铵或其组合。本发明制成通过对清洗剂的组份和重量百分比的选择，获得了一种具有清洗时间短、操作简单、成本低、清洗效果理想、且清洗后的太阳能级硅切片无杂质，表面仅轻度腐蚀；浓缩度高，单组份可以替代市面上的双组份，降低了成本，加快了清洗进程，缩短了清洗时间。
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