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公开(公告)号：CN118721010A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411031559.0
申请日：2024-07-30
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶片打磨的研磨装置，具体涉及碳化硅晶片技术领域底架，所述底架的外壁安装有一号电机，所述一号固定杆的外壁固定连接有一号皮带辊，所述一号传动杆的外壁轴承连接有轴承架，所述固定板的顶部设置有研磨盘。该用于碳化硅晶片打磨的研磨装置，通过设置的粗研磨液罐、二号皮带辊与固定板，从而方便了整体装置对碳化硅晶片打磨的同时进行粗研磨液添加，提高了工作人员对碳化硅晶片进行打磨的效率，同时通过设置的曲柄、一号齿轮与二号摆臂，从而方便了研磨盘进行旋转的同时通过一号摆臂与二号摆臂带动碳化硅晶片贴合后的安装板进行摆动，增加了安装板与研磨盘的接触面积，提高了整体装置对安装板进行研磨的效率。
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公开(公告)号：CN118374874A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410513515.5
申请日：2024-04-26
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅连续长晶装置及长晶工艺，包括加热炉以及安装于加热炉上端的晶体拉伸装置，所述加热炉上端安装有密封切换装置，所述密封切换装置包括第一切换组件和第二切换组件，所述第一切换组件与加热炉上端固定连接，所述第二切换组件与第一切换组件密封滑动连接，所述第一切换组件内部开有第一导通开口，所述第二切换组件表面开有两个与第一导通开口适配的第二导通开口；所述晶体拉伸装置设置为两个，且两个晶体拉伸装置分别安装于第二导通开口的外侧。该发明能够让碳化硅晶棒在不同的晶体拉伸装置内持续生长，碳化硅晶棒生长的极限长度更长，生长的效率更高。
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公开(公告)号：CN118342353A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410679901.1
申请日：2024-05-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶片双面打磨、清洁加工装置及方法，包括安装板，所述安装板的两侧分别固定连接有第一放置板和第二放置板，所述第一放置板上放置有待打磨的碳化硅晶片，所述安装板上固定连接有拱形架，所述拱形架上固定连接有连接板，所述连接板的下方设有圆板，所述圆板的底部固定连接有多个用于夹持碳化硅晶片的电动吸盘。该用于碳化硅晶片双面打磨、清洁加工装置，通过设置夹持机构夹持固定碳化硅晶片，电动推杆带动夹持固定在安装环上的碳化硅晶片上升一定距离，再通过第三电动机带动安装环翻转180°，再通过电动吸盘将固定吸附翻转后的碳化硅晶片，以此实现碳化硅晶片的双面抛光打磨。
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公开(公告)号：CN118064957A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410228422.8
申请日：2024-02-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体的制备方法及使用该方法的石墨坩埚，包括保温桶，保温桶内设有石墨坩埚，石墨坩埚上部设有坩埚盖，内部放置碳化硅籽晶和助溶剂，保温桶底部设有红外测温孔，外部设有感应线圈；本发明的方法无需使用目前行业内液相法碳化硅晶体生长所使用的特定的晶体生长炉，在现有的PVT法碳化硅晶体生长炉上即可进行，有利于实现碳化硅晶体的液相法批量生产。
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公开(公告)号：CN117464549A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311612547.2
申请日：2023-11-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅抛光装置和工艺，该装置包括抛光盘、载物块、LED紫外光源、石墨电极和电源，所述的抛光盘上表面设有抛光垫，所述的载样块工作面设有载体薄片，LED紫外光源正对抛光盘，石墨电极与载体薄片接触，载体薄片上方还设有抛光液输出管，电源的正极与载物块、抛光液、石墨电极、电源的负极形成一个电流回路光催化辅助抛光技术利用纳米光催化剂在紫外光照射下生成经基自由基·OH的强氧化作用氧化碳化硅，避免了传统化学机械抛光存在的抛光液容易失效、腐蚀设备、污染环境、危害人体、等问题。
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公开(公告)号：CN116921337A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310951602.4
申请日：2023-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法，包括清洗室、集中清洗夹具等装置，其中集中清洗夹具包括第一清洗夹具以及第二清洗夹具,在碳化硅晶片集中放置完毕后，通过控制第一清洗夹具翻转至第二清洗夹具上方让二者位置对应能够形成清洗区域，在清洗的过程中能够控制晶片在清洗区域内移动，让碳化硅晶片不同的位置与清洗区域内不同内壁相接触，能够让碳化硅晶片周向的边缘部分均裸露于清洗区域内，能够提高兆声清洗设备对晶片边缘部分的清洗效果，避免污染物质残留。该发明能够在碳化硅晶片清洗的过程中通过偏转夹具的方式让碳化硅晶片位置发生偏转，加强了对其底端边缘位置的清洁效果，提高了整体清洁效率。
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公开(公告)号：CN116787237A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310967129.9
申请日：2023-08-01
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体电化学抛光工艺，使用本发明的工艺，粗抛中碳化硅晶体表面粗糙度Sa从83.364nm下降到1.977nm；半精抛30min内使碳化硅晶体表面粗糙度Sa从2.195nm下降到0.489nm，在提高抛光效率的基础上，还能兼顾表面质量；精抛光能够得到无损伤、超光滑表面，表面粗糙度Sa达到0.112nm，符合碳化硅作为衬底材料的使用要求，同时材料去除率MRR达到0.849km/h。
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公开(公告)号：CN116714125A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310951603.9
申请日：2023-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种籽晶分离装置及使用方法，涉及到碳化硅晶体技术领域，包括升降单元：用于承载坩埚盖与籽晶并进行整体的高度调节；线切割单元：用于对坩埚盖与籽晶之间的高温胶层进行切割以使得坩埚盖与籽晶分离。本装置采用线切割单元对较后的高温胶层进行切割处理，可使得坩埚盖与带有晶体的籽晶安全且快速分离，还包括调节上金刚线与下金刚线两线之间距离以及自动调节金刚线张紧度的调节单元，可自动保持金刚线张紧度的同时可调节上金刚线与下金刚线之间的间距，以适应对不同厚度的高温胶层的切割，扩大其使用范围。
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公开(公告)号：CN116587109A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310427677.2
申请日：2023-04-20
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种快速加工晶圆片倒角的方法及其装置，涉及碳化硅材料加工技术领域，包括S1:将晶圆片居中放置在真空吸附载台上并进行真空吸附定位；S2:三个盘式砂轮旋转、移动并靠近真空吸附载台上固定的所述晶圆片并同时对所述晶圆片进行倒角操作，且倒角过程中需要冷却水对打磨部进行冷却。本发明放弃了利用槽式砂轮加工倒角的方式，采用盘式砂轮，避免了槽式砂轮利用率不高，单片成本过高的状态。本发明采用了三体位同时加工的方式，摒弃了原始研磨方式（T1/R研磨模式、T2研磨模式、T3研磨模式）中的先后加工方式，极大的优化了加工工艺，提高了研磨的效率，降低了倒角崩边的概率，也有效的提高了倒角工序的产量，有利于大批量的商业生产。
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公开(公告)号：CN116443880A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310191454.0
申请日：2023-03-02
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC分类号： C01B32/956
摘要： 本发明设计了一种简便可行的高堆积密度碳化硅粉料的制备方法，可在保持粉料纯度不降低的情况下，将现有粉料的堆积密度提高20‑30%，以满足生长更厚碳化硅单晶的需求。
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