-
公开(公告)号：CN118374874A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410513515.5
申请日：2024-04-26
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅连续长晶装置及长晶工艺，包括加热炉以及安装于加热炉上端的晶体拉伸装置，所述加热炉上端安装有密封切换装置，所述密封切换装置包括第一切换组件和第二切换组件，所述第一切换组件与加热炉上端固定连接，所述第二切换组件与第一切换组件密封滑动连接，所述第一切换组件内部开有第一导通开口，所述第二切换组件表面开有两个与第一导通开口适配的第二导通开口；所述晶体拉伸装置设置为两个，且两个晶体拉伸装置分别安装于第二导通开口的外侧。该发明能够让碳化硅晶棒在不同的晶体拉伸装置内持续生长，碳化硅晶棒生长的极限长度更长，生长的效率更高。
-
公开(公告)号：CN118374888A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410498752.9
申请日：2024-04-24
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶片位错缺陷的腐蚀处理装置，具体涉及他碳化硅加工技术领域。上述一种碳化硅单晶片位错缺陷的腐蚀处理装置包括液箱，液箱内固定连接有隔板，液箱的内腔由隔板分隔成腐蚀液槽和洁净水槽，液箱的两端均固定连接有支架一，每个支架一上转动连接有飞轮，一对飞轮上传动连接有链条，其中一个支架一上设置有用于驱动飞轮转动的马达，链条的链板上转动连接有转动座，转动座上固定连接有固定块，链条的前侧设置有活动贯穿转动座的直线导条；还包括张紧组件、弹性伸缩件、载板和移动导引结构。本发明实现了碳化硅晶片腐蚀达到安全、充分、高效、高质量和清洗便捷的效果，满足半自动化的加工作业。
-
公开(公告)号：CN118326516A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410679900.7
申请日：2024-05-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碱性蒸汽腐蚀碳化硅晶片设备及操作方法，包括右端开设有进料开口且为圆柱形结构的腐蚀筒和用于承载碳化硅晶片的承载架，所述腐蚀筒的底部设置有加热器，且所述加热器的外表面设置有保温壳体，所述加热器内部的加热腔通过所述腐蚀筒内腔底部设置有通气开口与所述腐蚀筒内腔相通，特征在于：还包括密封驱动单元、自动加液单元和雾化清洗降温单元。本设备的自动加液单元可根据碳化硅晶片的数量自动添加适量的碱性溶液，无需人工手动添加操作，且无需牢记所放置碳化硅晶片的数量。
-
-
公开(公告)号：CN114737249A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210519335.9
申请日：2022-05-13
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶锭生长装置，涉及碳化硅晶锭技术领域，包括筒体，筒体内设有加热内胆，筒体上部设有盖体；筒体上贯穿设有多个投料管，投料管的一端穿过加热内胆延伸至加热内胆的内部，并固定有坩埚；多个坩埚在加热内胆的内部排布呈倒立的堆型结构；每个投料管上连接有储料箱，储料箱与投料管之间设有投料机构；盖体的下方设有可旋转的碳化硅晶锭生长板，碳化硅晶锭生长板的上方设有冷却槽。本发明还提出了一种碳化硅晶锭生长的方法，通过碳化硅与掺杂物质之间升华的方式生长出碳化硅晶锭。本发明可使碳化硅与掺杂剂进行同步升华立体分布混合，生成出掺杂浓度更加均匀的半绝缘碳化硅晶锭，提高了半绝缘碳化硅晶锭的质量。
-
公开(公告)号：CN115124040A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210792210.3
申请日：2022-07-07
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC分类号： C01B32/956 , C01B32/984
摘要： 本发明公开了一种提高大粒径碳化硅粉料占比的固相合成方法，本方法基于传统的固相合成方法，通过在原料混合时添加一定比例的小粒径高纯碳化硅粉体作为成核点，诱导碳化硅晶粒长大，实现大幅提高合成碳化硅粉料中大粒径粉料的比例。与现有的高纯碳化硅原料合成方法相比，本方法合成的碳化硅原料中大粒径原料占比大幅提升，为生长碳化硅单晶所需的高纯度、大颗粒碳化硅原料合成提供了一种高效、简便的低成本新方案，具有纯度高、粒径大、操作简单、成本低等优点，能大批量制备满足碳化硅单晶生长用大粒径高纯碳化硅粉料。
-
公开(公告)号：CN114714234A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210519304.3
申请日：2022-05-13
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了碳化硅晶片减薄领域的，具体为一种碳化硅晶片减薄装置，操作室和安装箱，所述安装箱顶端设置有抛光机构，所述操作室内侧壁设置有间歇起伏机构，所述间歇起伏机构包括两个转动盘和两V形牵引架，所述转动盘对称转动连接在操作室内侧壁上，其中一个所述转动盘表面传动连接有第一电机，所述第一电机固定连接在操作室外侧壁上，所述V形牵引架上均开设有牵引弧槽，两个所述转动盘表面共同固定连接有推动杆。本发明通过设置间歇起伏机构，使得晶片间歇进行抛光作用，避免晶片长时间摩擦抛光，导致晶片温度升高，发生损害，同时将将牵引弧槽半径设置与推动杆运动轨迹半径相同，延长抛光时间，避免抛光时间短，导致抛光效率降低。
-
公开(公告)号：CN218169775U
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202220524942.X
申请日：2022-03-11
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B9/06 , B24B27/00 , B24B37/08 , B24B37/34 , B24B41/06 , B24B47/12 , B24B41/00 , B24B55/06 , B23K26/38 , B23K26/70 , B23K26/402
摘要： 本实用新型涉及碳化硅晶片表面加工技术领域，具体是一种用于碳化硅晶片表面加工装置，包括工作台，所述工作台的台面上设置有四个支块，所述支块的一侧连接有支杆，所述支杆的外壁活动设置有夹持装置，所述夹持装置的上方设置有切割装置，本实用新型中，通过设置激光头对碳化硅晶片进行外形切割，方便后续的加工，倒角装置可以在吸盘底座带动碳化硅晶片转动时对外侧棱角进行倒角，防止加工完成时，工作人员取下产品对手指造成伤害，同时也减少后期进行二次倒角，起到流水线的功能，夹持装置起到对产品的夹持带动产品进行移动，产品在研磨时漏下的碎屑和研磨液可以通过漏孔导出，防止对产品的损坏。
-
公开(公告)号：CN217493708U
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202220744810.8
申请日：2022-04-01
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型的一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置，属于打磨技术领域，包括底座，所述底座顶部的中间位置固定连接有箱体，且箱体内侧壁的顶端固定连接有固定横板，所述固定横板的底部开设有滑槽，且滑槽的内部滑动连接有滑块，所述滑块的底部固定安装有第一气缸，且第一气缸的伸缩端固定连接有固定支撑板，所述固定支撑板的内部固定连接有第二电机，且第二电机的输出端固定连接有打磨柱。本实用新型的有益效果是通过在底座底部设置有第二升降杆与第一升降杆，且第一升降杆内部的中间位置固定安装第二气缸，第二气缸带动第二升降杆在第一升降杆的内部进行上下移动，实现了装置进行调整高度的功能，从而提高了装置的实用性。
-
公开(公告)号：CN216879124U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202220524897.8
申请日：2022-03-11
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本实用新型涉及搅拌混合技术领域，具体是一种用于碳化硅晶体的混合搅拌装置，包括有L形块，L形块的表面固定连接有固定板，L形块的表面固定连接有气缸，气缸的顶部设置有平板，平板与固定板铰链连接，整个装置固定于L形块之上，搅拌装置固定于平板之上，搅拌完成后，启动气缸，气缸与固定板共同作用使平板倾斜，搅拌完成的材料更易取出，平板的顶部固定连接有底座，底座的内部固定连接有下一电动机，下一电动机的一侧设置有下二电动机，下二电动机固定连接于底座的内底板，底座的内底板中心处转动连接有转轴，转轴贯穿底座延伸至底座顶部，转轴的顶部固定连接有搅拌杆，两电动机的旋转方向相反，搅拌机构由电动机提供动力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
15 条记录 (耗时 0.037 秒)
