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公开(公告)号：CN116885069B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311132181.9
申请日：2023-09-05
申请人： 至芯半导体(杭州)有限公司
摘要： 本发明属于紫外LED外延结构技术领域，具体涉及一种光提取层及其制备方法和应用、紫外LED外延结构及其制备方法。本发明提供的光提取层，包括由下到上依次层叠设置的非掺杂型AlGaN层和P型AlGaN覆盖层；所述非掺杂型AlGaN层上设置有填充有反射性金属的六角缺陷坑；所述填充有反射性金属的六角缺陷坑的上表面和所述P型AlGaN覆盖层接触。本发明通过腐蚀非掺杂型AlGaN层，能够产生多个六角缺陷坑，除了使表面的位错露头漏出外，还能在后续的生长中通过二次外延释放生长过程中的应力，从而提高外延结构的晶体质量；本发明通过在缺陷坑中沉积高反射金属层，可以增加外延层内部光的反射，
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公开(公告)号：CN116297279A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310559226.4
申请日：2023-05-18
申请人： 至芯半导体(杭州)有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G01N21/33
摘要： 本发明公开了一种甲醛气体/VOC气体浓度检测方法、系统、装置及设备，涉及气体浓度检测技术领域，该方法包括控制LED紫外光源组件从腔体的一端向腔体内部发射紫外线；当腔体内未充有采样气体时获取第一紫外线辐射强度；采样气体为含有甲醛气体或者VOC气体的空气；第一紫外线辐射强度是在腔体一端处或者腔体另一端处获取的；当从腔体的一端向腔体内部持续通入采样气体且腔体内部完全被采样气体填充时，获取第二紫外线辐射强度；第二紫外线辐射强度是在腔体另一端处获取的；根据第一紫外线辐射强度、第二紫外线辐射强度以及紫外线辐射强度计算公式，逆推得到所述采样气体中目标气体的浓度。本发明能够低成本检测多种有害气体浓度。
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公开(公告)号：CN116002471A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310077045.8
申请日：2023-02-08
申请人： 至善时代智能科技(北京)有限公司 , 至芯半导体(杭州)有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及一种电梯轿厢信息综合管理装置。该装置包括：检测系统、杀菌系统、空气净化系统、控制系统和显示系统。检测系统、杀菌系统、空气净化系统和显示系统均与控制系统连接。本发明依据检测系统检测的生物信息和环境信息，采用控制系统控制杀菌系统和空气净化系统的开闭，实现了信息管理和环境消杀的结合处理，进而能够解决现有技术存在的电梯轿厢无法满足用户多功能需求、功耗大等问题。
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公开(公告)号：CN115425128B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211289929.1
申请日：2022-10-21
申请人： 至善时代智能科技(北京)有限公司 , 至芯半导体(杭州)有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及紫外LED器件技术领域，尤其涉及一种紫外LED外延结构及其制备方法。本发明提供的紫外LED外延结构，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构层、P型电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；缓冲层包括依次层叠设置的AlN缓冲层和非掺杂的AlGaN层；P型电子阻挡层包括依次交替层叠设置的第一P型AlGaN层和第二P型AlGaN层；第一P型AlGaN层中Al的掺杂浓度大于第二P型AlGaN层中Al的掺杂浓度。本发明采用不同铝掺杂浓度的P型AlGaN层进行交替周期性设置，可以有效的提高电子阻挡层的势垒高度，减少电子泄漏，进而提高紫外LED的光电性能。
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公开(公告)号：CN115360272B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211289931.9
申请日：2022-10-21
申请人： 至善时代智能科技(北京)有限公司 , 至芯半导体(杭州)有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种AlN薄膜的制备方法。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：在衬底的一侧表面依次制备AlN缓冲层、AlN位错抑制层、AlN覆盖层和AlN快速生长层，得到AlN薄膜；制备所述位错抑制层的过程包括：在所述AlN缓冲层的表面依次生长第一位错抑制层和第一退火处理、生长第二位错抑制层和第二退火处理以及生长第三位错抑制层和第三退火处理；第一位错抑制层、第二位错抑制层和第三位错抑制层的厚度依次降低；第一退火处理和第二退火处理的温度相同，且大于第三退火的温度。所述制备方法制备得到的AlN薄膜无裂纹、原子级平整且位错密度低，为后续AlGaN外延生长提供高质量的AlN模板。
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公开(公告)号：CN115360272A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211289931.9
申请日：2022-10-21
申请人： 至善时代智能科技(北京)有限公司 , 至芯半导体(杭州)有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种AlN薄膜的制备方法。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：在衬底的一侧表面依次制备AlN缓冲层、AlN位错抑制层、AlN覆盖层和AlN快速生长层，得到AlN薄膜；制备所述位错抑制层的过程包括：在所述AlN缓冲层的表面依次生长第一位错抑制层和第一退火处理、生长第二位错抑制层和第二退火处理以及生长第三位错抑制层和第三退火处理；第一位错抑制层、第二位错抑制层和第三位错抑制层的厚度依次降低；第一退火处理和第二退火处理的温度相同，且大于第三退火的温度。所述制备方法制备得到的AlN薄膜无裂纹、原子级平整且位错密度低，为后续AlGaN外延生长提供高质量的AlN模板。
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公开(公告)号：CN114793920B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210762575.1
申请日：2022-07-01
申请人： 至善时代智能科技(北京)有限公司 , 至芯半导体(杭州)有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发明涉及一种猫砂盆及宠物猫健康的监测方法，属于宠物用品技术领域，用于对宠物猫的健康进行智能监测。利用称重装置采集猫砂盆本体的重量，利用震动感应装置采集猫砂盆本体的震动信号，以根据重量确定宠物猫的排泄重量，根据震动信号确定宠物猫的排泄方式，对宠物猫的大小便进行区分，进一步根据排泄重量和排泄方式确定宠物猫的健康状态，从而能够更加准确的对宠物猫的健康状态进行智能监测。
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公开(公告)号：CN114857278A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210781341.1
申请日：2022-07-05
申请人： 至善时代智能科技(北京)有限公司 , 至芯半导体(杭州)有限公司
发明人： 不公告发明人
摘要： 本发明公开了一种杀菌水龙头，涉及水处理技术领域，主体内用于水流的通过，且主体内部设有进水口，固定壳体安装于主体的上端，固定件位于主体内部，且与主体的内壁和固定壳体的内壁均连接，固定件的下端设有感应片，动作件依次穿过固定壳体和固定件的中部并与石英件连接，石英件位于主体内部，且石英件的下端能够对进水口封堵，石英件上对应感应片的位置设有一安装槽，安装槽内安装有开关传感器，开关的一端转动连接于固定壳体的上端，开关的另一端为自由端，开关的中部与动作件的上端连接。该杀菌水龙头实现水龙头开启的第一杯水即是无菌水，进而提高对饮用水的杀菌消毒效果。
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公开(公告)号：CN114335278B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210254425.X
申请日：2022-03-16
申请人： 至芯半导体(杭州)有限公司
摘要： 本发明涉及紫外发光器件技术领域，尤其涉及一种UVB芯片的外延结构及其应用。本发明所述的外延结构创新性地引入电子缓存层使得电子在进入量子阱和空穴复合发光之前有一个缓存区，所述缓存区因为Al组分较低的AlInGaN层和Al组分较高的AlInGaN层交替生长，形成超晶格结构。电子能在Al组分较低的AlInGaN很好地缓存以及面内均匀扩展，同时Al组分较高的AlInGaN层能够一定程度上限制电子大量拥挤进入量子阱区域，使得电子和空穴持续有效且面内均匀复合，提高了器件的发光效率和寿命。
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公开(公告)号：CN114794637A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210392947.6
申请日：2022-04-15
申请人： 至善时代智能科技(北京)有限公司 , 至芯半导体(杭州)有限公司
摘要： 本发明提供一种多功能帽子，涉及智能穿戴设备技术领域，包括：帽子、UVB光线发射装置和加热装置，UVB光线发射装置和加热装置均设置于帽子内，UVB光线发射装置用于向用户头部发射UVB光线，加热装置用于对用户头部进行加热；本发明提供的多功能帽子中的UVB光线发射装置用于向用户头部发射UVB光线，UVB光线模拟太阳光，帮助人体合成维生素D，促进钙的吸收；加热装置用于对用户头部进行加热，以便于对用户头部进行保健，因此，本发明提供的多功能帽子便于提高长期工作和生活在室内环境中的人群的身体健康水平。
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