阵列透射式显微图像采集系统

    公开(公告)号:CN110365915B

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN201910743158.0

    申请日:2019-08-13

    摘要: 本发明公开了一种阵列透射式显微图像采集系统,包括显微摄像模组阵列、接收端、样品台和激发光源,所述显微摄像模组阵列位于样品台的正上方,所述激发光源位于所述样品台的下方;所述显微摄像模组阵列包括成阵列分布的多个显微摄像模块,每一所述显微摄像模块皆包括第一透镜组、第二透镜组和图像传感器,所述第一透镜组和所述第二透镜组对称设置,所述第一透镜组位于所述第二透镜组和所述样品台之间,所述第二透镜组位于所述第一透镜组和所述图像传感器之间,所述图像传感器与所述接收端电性连接。本发明能够同时采集大面积平面透明样品的多个区域,提高检测速度,适用于蓝宝石显微、生物芯片、蛋白质芯片以及薄生物样品等透明样品高通量检测。

    一种晶圆翘曲度优化方法及系统

    公开(公告)号:CN117094095A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311342862.8

    申请日:2023-10-17

    摘要: 本申请涉及数据处理技术领域,提供一种晶圆翘曲度优化方法及系统。所述方法包括:基于数字孪生网络模型对晶圆翘曲分布图和标准晶圆翘曲分布图进行损失分析,获得晶圆翘曲损失特征信息;基于晶圆翘曲损失特征信息,生成晶圆翘曲工艺影响因素信息,以此进行数据搜索整合,构建晶圆生产策略数据库;依据晶圆属性特征信息和晶圆生产策略数据库进行相似度匹配,输出目标晶圆生产策略集合,并将其作为晶圆翘曲优化空间;基于翘曲优化适应度函数在晶圆翘曲优化空间进行全局寻优,生成晶圆翘曲优化参数信息,以此进行晶圆优化生产控制。采用本方法能够达到提高晶圆翘曲优化参数分析精确性和全面性,进而有效可靠的控制调节晶圆翘曲度的技术效果。

    一种晶圆材料内部应力分布检测方法及系统

    公开(公告)号:CN117059511A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311312913.2

    申请日:2023-10-11

    摘要: 本申请涉及数据处理技术领域,提供一种晶圆材料内部应力分布检测方法及系统。所述方法包括:根据晶圆材料应用标准,获得内应力检测因素集合;依据内应力检测因素集合对晶圆内应力检测数据库进行分类,获取晶圆检测因素样本数据集;利用深度学习网络结构对晶圆检测因素样本数据集分别进行训练,再基于模型融合系数集合将基础内应力检测分支模型集合进行融合,生成晶圆内应力自适应检测模型;基于晶圆内应力自适应检测模型对加工节点检测数据流进行分析,获得晶圆内部应力分布检测结果。采用本方法能够达到通过构建自适应检测模型实现晶圆内应力智能化快速检测,提高内应力检测因素全面性,进而提高晶圆内应力检测精度和检测效率的技术效果。

    阵列反射式显微图像采集系统

    公开(公告)号:CN110365916A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910743162.7

    申请日:2019-08-13

    摘要: 本发明公开了一种阵列反射式显微图像采集系统,包括显微摄像模组阵列和接收端,所述显微摄像模组阵列位于样品台的正上方;所述显微摄像模组阵列包括成阵列分布的多个显微摄像模块,每一所述显微摄像模块皆包括第一透镜组、反射式照明结构、激发光源、第二透镜组和图像传感器,所述第一透镜组和所述第二透镜组对称设置,所述图像传感器与所述接收端电性连接,所述激发光源位于所述反射式照明结构的一侧,所述激发光源发出的光源照射于所述反射式照明结构上。本发明能够同时采集样品的多个区域,提高检测速度,适用于测试硅片、半导体显微、生物芯片、厚生物样品等不透明大面积样品的检测。

    一种晶圆翘曲度优化方法及系统

    公开(公告)号:CN117094095B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311342862.8

    申请日:2023-10-17

    摘要: 本申请涉及数据处理技术领域,提供一种晶圆翘曲度优化方法及系统。所述方法包括:基于数字孪生网络模型对晶圆翘曲分布图和标准晶圆翘曲分布图进行损失分析,获得晶圆翘曲损失特征信息;基于晶圆翘曲损失特征信息,生成晶圆翘曲工艺影响因素信息,以此进行数据搜索整合,构建晶圆生产策略数据库;依据晶圆属性特征信息和晶圆生产策略数据库进行相似度匹配,输出目标晶圆生产策略集合,并将其作为晶圆翘曲优化空间;基于翘曲优化适应度函数在晶圆翘曲优化空间进行全局寻优,生成晶圆翘曲优化参数信息,以此进行晶圆优化生产控制。采用本方法能够达到提高晶圆翘曲优化参数分析精确性和全面性,进而有效可靠的控制调节晶圆翘曲度的技术效果。

    一种晶圆材料内部应力分布检测方法及系统

    公开(公告)号:CN117059511B

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311312913.2

    申请日:2023-10-11

    摘要: 本申请涉及数据处理技术领域,提供一种晶圆材料内部应力分布检测方法及系统。所述方法包括:根据晶圆材料应用标准,获得内应力检测因素集合;依据内应力检测因素集合对晶圆内应力检测数据库进行分类,获取晶圆检测因素样本数据集;利用深度学习网络结构对晶圆检测因素样本数据集分别进行训练,再基于模型融合系数集合将基础内应力检测分支模型集合进行融合,生成晶圆内应力自适应检测模型;基于晶圆内应力自适应检测模型对加工节点检测数据流进行分析,获得晶圆内部应力分布检测结果。采用本方法能够达到通过构建自适应检测模型实现晶圆内应力智能化快速检测,提高内应力检测因素全面性,进而提高晶圆内应力检测精度和检测效率的技术效果。

    用于晶圆生产的质量检测方法及系统

    公开(公告)号:CN117218119A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311472329.3

    申请日:2023-11-07

    摘要: 本发明提供了用于晶圆生产的质量检测方法及系统,涉及质量检测技术领域,包括:采集获取目标晶圆的三维面型参数信息,进行可视化建模,生成晶圆三维面型模型,获取晶圆生产设计图,确定晶圆面型设计参数信息,生成标准晶圆三维面型模型,进行遍历比对获得晶圆面型参数比对信息,制定晶圆面型分析因素,包括三维轮廓误差PV、RMS、表面瑕疵、曲率、轮廓斜率、尺寸分析,进行分类拟合分析获得晶圆多因素质量检测结果,进行优化分析确定晶圆生产优化参数方案,进行优化生产。本发明解决了传统晶圆质量检测方法通常只关注单一因素,缺乏综合性和全面性,并且人工干预较多,存在主观经验的影响,导致存在质量检测准确率较低的技术问题。

    一种晶圆的三维表面微观测量方法及系统

    公开(公告)号:CN117059512A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311326915.7

    申请日:2023-10-13

    IPC分类号: H01L21/66 G01B11/16

    摘要: 本发明公开了一种晶圆的三维表面微观测量方法及系统,属于集成电路制造领域,其中方法包括:确定第一晶圆的原始表面层,将第一晶圆放置在测量移动平台上,记录第一放置位置;基于第一预设轨迹控制测量移动平台进行测量移动,对第一晶圆进行表面数据采集,输出原始表面层的三维测量数据集;当第一晶圆镀膜后,确定基于原始表面层对应的镀膜表面层;测量镀膜表面层,输出镀膜表面层的三维测量数据集;对获取的三维测量数据集进行三维坐标点比对,生成伴随形变指数;按照伴随形变指数,生成第一提醒信息。本申请解决了现有技术中晶圆微观形变测量精度和效率低下的技术问题,达到了准确高效评估晶圆表面形变情况的技术效果。

    用于产品曲面镜面三维轮廓检测装置及其检测方法

    公开(公告)号:CN110487215A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910831796.8

    申请日:2019-09-04

    IPC分类号: G01B11/25

    摘要: 本发明公开了一种用于产品曲面镜面三维轮廓检测装置及其检测方法,包括工作架,所述工作架的内部安装有样品台、图像发生装置、至少两组图像采集装置、角度摆动装置、旋转装置和升降装置;所述图像发生装置和两组所述图像采集装置均位于所述样品台的上方;所述角度摆动装置驱动所述样品台倾斜至一定的角度;所述旋转装置驱动所述样品台周向旋转;所述升降装置驱动所述样品台靠近和/或远离所述图像采集装置;所述图像采集装置与接收端信号连接。本发明能够快速测量具有较大陡度的曲面镜面的表面轮廓,并进行三维对比处理,提高三维检测镜面曲面轮廓的精度与效率。