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公开(公告)号：CN112909096B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110219343.7
申请日：2021-02-27
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司
发明人： 蔡杰
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及电子显示材料的技术领域，提供了一种氧化锌/氧化镍透明薄膜晶体管及制备方法。所述透明薄膜晶体管是以高掺杂硅片为底栅极，以二氧化硅为绝缘层，以氧化锌/氧化镍复合薄膜为半导体沟道材料，以Al为源极和漏极。其中，氧化锌/氧化镍复合薄膜是以六水合硝酸锌、六水合硝酸镍、氨基酸、去离子水组成的前驱体溶液经超声喷雾热解而附着于绝缘层上的。其中，氨基酸为L‑组氨酸或L‑半胱氨酸中的一种。本发明制得的薄膜晶体管的载流子迁移率达到38cm2·V‑1·s‑1以上，并且在正栅偏压应力、负栅偏压应力、自加热应力等电应力作用下均具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN112500566B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202011277759.6
申请日：2020-11-16
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司(CN)
发明人： 徐娟
摘要： 本发明提出了一种耐热透明聚酰亚胺薄膜及其制备方法，通过聚酰亚胺的末端氨基和异氰酸丙基三乙氧基硅烷进行键合，既提高了二氧化硅与聚酰亚胺的界面相容性，又改变了聚酰亚胺本身结构，增强了分子间作用力，从而使所得聚酰亚胺膜的透光性、热性能及力学性能得到明显改善。
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公开(公告)号：CN112701139B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011596113.4
申请日：2020-12-29
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明公开一种集成结构Micro‑LED显示器及其制备方法。包括Micro‑LED芯片阵列，芯片包括p‑Si衬底、Micro‑LED主体、两个晶体管和电容；Micro‑LED主体为台阶结构，从下到上包括：键合金属层、TiO2/SiO2DBR、ITO层、Mg掺杂p‑GaN层、Mg掺杂p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格应力释放层、表面粗化的Si掺杂n‑GaN层，其中Mg掺杂p‑GaN层上表面为台阶面，主体通过键合金属层与衬底相连。该结构无需Micro‑LED的大量转移即可实现有源驱动，改善了GaN外延层的晶体质量，提高了Micro‑LED的光电性能。
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公开(公告)号：CN112909097A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110219358.3
申请日：2021-02-27
申请人： 成都市水泷头化工科技有限公司
发明人： 蔡杰
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及电子材料制备的技术领域，提供了一种石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管及制备方法。该复合薄膜晶体管是通过先制备氮掺杂石墨烯及氯化重氮苯改性黑磷烯，然后将二者加入去离子水中形成分散液，再将分散液采用交流电泳法在高掺杂硅基片上的源极和漏极之间的沟道中进行沉积，经自然晾干而制得。本发明制得的石墨烯/黑磷烯复合薄膜晶体管结合了石墨烯载流子迁移率高、黑磷烯开关电流比大的优点，并且稳定性好。
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公开(公告)号：CN113689992B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111030260.X
申请日：2021-09-03
申请人： 贵溪穿越光电科技有限公司
发明人： 周祥
IPC分类号： H01B13/00
摘要： 本发明属于半导体薄膜技术领域，尤其是一种透明导电薄膜制备方法，针对存在的基底要求高、真空环境才能生产的问题，现提出以下方案，包括以下步骤，S1，薄膜生产中，制备薄膜基底首先经过清洗，清洗经过HCl再超声下清洗8‑10min，再利用NaOH溶液超声清洗8‑10min，最后利用丙酮超声清洗8‑10min，每个试剂清洗间隔均利用去离子水超声清洗8‑10min，最后利用氮气吹干薄膜基底表面。本发明采用喷雾热解法，采用普通的硅硼玻璃为基底，其对真空、气氛等试验条件要求不高，喷涂部分利用雾化器喷雾技术替代传统方法制备出了透过率达90%的ATO薄膜，在大面积生产ATO薄膜时能获得很好的经济效益。
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公开(公告)号：CN112701139A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011596113.4
申请日：2020-12-29
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明公开一种集成结构Micro‑LED显示器及其制备方法。包括Micro‑LED芯片阵列，芯片包括p‑Si衬底、Micro‑LED主体、两个晶体管和电容；Micro‑LED主体为台阶结构，从下到上包括：键合金属层、TiO2/SiO2DBR、ITO层、Mg掺杂p‑GaN层、Mg掺杂p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格应力释放层、表面粗化的Si掺杂n‑GaN层，其中Mg掺杂p‑GaN层上表面为台阶面，主体通过键合金属层与衬底相连。该结构无需Micro‑LED的大量转移即可实现有源驱动，改善了GaN外延层的晶体质量，提高了Micro‑LED的光电性能。
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公开(公告)号：CN108878423B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810750083.4
申请日：2018-07-10
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/8258
摘要： 本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该组合功率器件包括设置在同一衬底上的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极、肖特基接触电极。该组合功率器件中的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管设置于同一衬底上，即该组合功率器件不仅具有异质结场效应晶体管大击穿电场、高电子饱和速率、抗辐射能力强及良好的化学稳定性等特点，还具有二维材料晶体管的高能效、可运用于柔性屏，高分辨率液晶显示器和有机发光二极管显示器等领域的特点，因此本发明提供的组合功率器件具有更广的应用范围。
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公开(公告)号：CN108922890A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810750082.X
申请日：2018-07-10
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/8258
摘要： 本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该器件包括异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其两者具有同一衬底，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极，且在异于欧姆接触电极的位置设置有Al2O3薄膜，Al2O3薄膜上设置有肖特基接触电极。该组合功率器件的表面具有Al2O3薄膜，其具有厚度均匀性、无针孔、低缺陷密度、低应力等优势，这将有效降低器件的栅极泄露电流，同时该Al2O3薄膜具有高的介电常数及宽带隙，这将使组合功率器件拥有更高的击穿电压、更高的工作电流而具有更大的应用范围。
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公开(公告)号：CN108878423A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810750083.4
申请日：2018-07-10
申请人： 深圳大学
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/8258
摘要： 本发明公开了一种半导体和二维材料的组合功率器件及其制备方法，该组合功率器件包括设置在同一衬底上的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管，其中衬底上设置有二维材料层以及依次设置于衬底的GaN层、AlGaN层，AlGaN层与二维材料层上的两端设置有欧姆接触电极、肖特基接触电极。该组合功率器件中的异质结场效应晶体管和二维材料晶体管设置于同一衬底上，即该组合功率器件不仅具有异质结场效应晶体管大击穿电场、高电子饱和速率、抗辐射能力强及良好的化学稳定性等特点，还具有二维材料晶体管的高能效、可运用于柔性屏，高分辨率液晶显示器和有机发光二极管显示器等领域的特点，因此本发明提供的组合功率器件具有更广的应用范围。
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