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公开(公告)号：CN105960276A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201480073386.7
申请日：2014-12-10
申请人： 南卡罗来纳大学
发明人： 于淼
CPC分类号： B01D71/024 , B01D61/027 , B01D61/243 , B01D67/0046 , B01D67/0053 , B01D67/0067 , B01D67/0069 , B01D67/0083 , B01D67/009 , B01D69/10 , B01D69/125 , B01D71/021 , B01D71/025 , B01D2323/08 , B01D2323/10 , B01D2323/34 , B01D2323/345 , B01D2325/02 , C02F1/44 , C02F1/442 , C02F2101/325
摘要： 本发明大体上提供了形成膜的方法。在一个实施例中，该方法包括：将GO纳米颗粒分散于溶剂中；将GO纳米颗粒沉积于载体上形成GO膜，及将GO膜还原形成rGO膜。也提供了由该方法形成的rGO膜，及多个堆叠的rGO层。还提供了从水/油乳液中分离水的方法，例如，将水通过rGO膜。
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公开(公告)号：CN104640618A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380032991.5
申请日：2013-06-28
申请人： I3薄膜有限公司 , 亥姆霍兹-中心德累斯顿-罗森多夫注册协会
发明人： 斯蒂芬·布林克·赛福斯 , 安德里亚斯·科利奇 , 阿纳托利·罗戈津
CPC分类号： B01D67/006 , B01D67/0053 , B01D71/022 , B01D2323/00 , B01D2323/35 , H01M2/1646 , H01M8/0289
摘要： 本发明涉及一种用于多孔金属膜(孔大小10nm至1μm)的生产制造过程，所述金属膜的应用和相应的过滤模块。此外，孔隙率应该很高，使得其明显优于离子轨迹工艺。此外，应该尽可能放弃使用化学制品。切块(Dice)在1-20微米。根据本发明，使用等离子浸没离子注入工艺，该工艺是利用通过第一加速电压加速惰性气体以轰击非常薄的金属箔，特别地是从金属箔的两侧。选择离子流，使得在金属箔中引起过饱和。特别是在金属表面下在过饱和之后通过泡沫隔离而形成孔隙。在金属表面下孔隙开口的形成是通过离子注入产生的表面雾化而实现的，其使用惰性气体离子通过比第一加速电压低的第二加速电压的轰击而实现。
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公开(公告)号：CN106415890A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201480073704.X
申请日：2014-01-21
申请人： 英派尔科技开发有限公司
CPC分类号： B01D71/021 , B01D53/228 , B01D67/0053 , B01D67/0072 , B01D2257/108 , B01D2257/11 , B01D2325/02 , B01D2325/06 , C01B3/503 , C01B2203/0405
摘要： 本文描述的技术总体上涉及具有气体可渗透基底的石墨烯膜。各种示例基底可包括有曲表面的气体可渗透基底和在气体可渗透基底上的石墨烯层。膜也可包括在石墨烯层上形成的纳米孔。膜可展示改进的渗透性性质。被配置以制备和使用该膜的方法和系统也被公开。
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公开(公告)号：CN106029596A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580006832.7
申请日：2015-01-29
申请人： 洛克希德马丁公司
IPC分类号： C03C27/00
CPC分类号： B01D67/0069 , B01D67/0004 , B01D67/002 , B01D67/003 , B01D67/0034 , B01D67/0037 , B01D67/0053 , B01D67/0058 , B01D67/0062 , B01D67/0072 , B01D69/02 , B01D69/10 , B01D71/021 , B01D2323/39 , B01D2325/24
摘要： 很难将原子级薄膜(例如石墨烯、石墨烯基材料和其它二维材料)从生长基片移除，然后将该薄膜转移到第二基片。在去除和转移过程中，会发生撕裂和保形性问题。通过操控二维材料如石墨烯或石墨烯基材料形成复合结构的方法包括：提供附着至生长基片的二维材料；在二维材料附着于生长基片的同时将支撑层沉积于二维材料上；和将二维材料从生长基片上释放，在二维材料从生长基片上释放后，所述二维材料仍保持与支撑层相接触。
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