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公开(公告)号：CN105506731A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510899270.5
申请日：2015-12-09
申请人： 上海超硅半导体有限公司
摘要： 本发明技术是一种单晶硅生长氧含量控制技术。在石英坩埚底部采用一个与坩埚外径以及外形匹配相同的环形振荡源，振荡源环产生一个纵向正弦振荡波，从坩埚的底部传入到熔体中，传播方向为垂直向上的直线传播。振荡波传输到熔体中，对坩埚周围的高温硅熔体产生空化作用、搅拌作用和纵向流动作用，在坩埚壁附近区域形成向上的流动，加速高浓度区的氧向熔体自由表面流动，同时降低熔体中的Si-O气体的溶解度，促进Si-O在熔体表面的挥发。从而达到控制硅单晶中氧浓度的作用。
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公开(公告)号：CN1357927A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01140130.3
申请日：2001-11-26
申请人： 珂琳21风险投资株式会社
CPC分类号： H01L31/042 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/06 , C30B29/607 , C30B30/06 , H01L31/02008 , H01L31/035281 , H01L31/0512 , H01L31/0547 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H02S40/36 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种光电转换元件设置在支座的多个凹槽的每个凹槽中。由凹槽内表面反射的光束照射在光电转换元件上。光电转换元件具有近似的球形形状并且具有下述结构。中央部分n－型非晶硅(a－Si)层的外表面被具有比a－Si更宽光学带隙的p－型非晶体SiC(a－SiC)层覆盖,从而形成pn结。支座的第一导体在凹槽的底部或其附近连接至光电转换元件的p－型a－SiC层。支座的第二导体由一个绝缘体与第一导体绝缘,并且连接至光电转换元件的n－型a－Si层。
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公开(公告)号：CN105377749B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201480037179.6
申请日：2014-05-05
申请人： 巴伊兰大学
发明人： 阿哈龙·戈丹肯 , 艾胡德·巴尼恩 , 伊拉娜·佩雷尔什坦 , 雷切尔·鲁巴特 , 阿娜特·利波夫斯基 , 伊亚尔·马尔卡 , 尼特赞·耶沙亚胡 , 尼娜·佩卡斯 , 雅科夫·夏洛姆 , 乔纳森·勒卢什 , 塔尔·帕特里克 , 迈克尔·埃塞德 , 利夫纳特·纳帕斯特克
IPC分类号： C30B7/14 , C30B29/16 , C30B29/60 , C30B30/06 , A61L15/44 , A61L26/00 , A61L29/12 , A61L29/16 , B82Y30/00
CPC分类号： A01N59/20 , A01N59/16 , A61L15/44 , A61L26/0066 , A61L26/0095 , A61L29/123 , A61L29/16 , A61L2300/404 , A61L2400/12 , B82Y30/00 , C01F5/02 , C01G3/00 , C01G9/00 , C01G9/02 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/86 , C01P2002/88 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/22 , C04B35/053 , C04B35/45 , C04B2235/3206 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/5454 , C30B7/14 , C30B29/16 , C30B29/60 , C30B30/06
摘要： 公开了包含金属氧化物和包含在所述金属氧化物的晶格内的金属元素的离子的纳米颗粒复合材料。还公开了制备纳米颗粒复合材料本身和并入基底中或基底上的纳米颗粒复合材料的工艺。还公开了纳米颗粒复合材料以及并入纳米颗粒复合材料的基底的用途、特别是用于减少微生物的负载的形成或生物膜的形成的用途。
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公开(公告)号：CN108754611A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810607648.3
申请日：2018-06-13
申请人： 江苏星特亮科技有限公司
IPC分类号： C30B30/06
CPC分类号： C30B30/06
摘要： 本发明公开了一种晶体材料熔化方法及熔化设备，通过在坩埚上连接振动机构，使晶体材料在熔化过程中保持振动，气泡气体能够向上顺利排出；同时，通过在坩埚外部自下而上设置至少两段加热器，自下而上依次间隔的对坩埚进行加热，使坩埚中的晶体材料从底部开始熔化，并逐步向上熔化，直至全部熔化；晶体材料在熔化过程中，气泡气体能够进一步向上顺利排出，保证熔化后的晶体材料中不含气体，避免人工晶体材料在生长过程中内部出现的气泡和孔洞问题，提高人工晶体材料的质量和成品率。
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公开(公告)号：CN105377749A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480037179.6
申请日：2014-05-05
申请人： 巴伊兰大学
发明人： 阿哈龙·戈丹肯 , 艾胡德·巴尼恩 , 伊拉娜·佩雷尔什坦 , 雷切尔·鲁巴特 , 阿娜特·利波夫斯基 , 伊亚尔·马尔卡 , 尼特赞·耶沙亚胡 , 尼娜·佩卡斯 , 雅科夫·夏洛姆 , 乔纳森·勒卢什 , 塔尔·帕特里克 , 迈克尔·埃塞德 , 利夫纳特·纳帕斯特克
CPC分类号： A01N59/20 , A01N59/16 , A61L15/44 , A61L26/0066 , A61L26/0095 , A61L29/123 , A61L29/16 , A61L2300/404 , A61L2400/12 , B82Y30/00 , C01F5/02 , C01G3/00 , C01G9/00 , C01G9/02 , C01P2002/50 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/86 , C01P2002/88 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/22 , C04B35/053 , C04B35/45 , C04B2235/3206 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/5454 , C30B7/14 , C30B29/16 , C30B29/60 , C30B30/06
摘要： 公开了包含金属氧化物和包含在所述金属氧化物的晶格内的金属元素的离子的纳米颗粒复合材料。还公开了制备纳米颗粒复合材料本身和并入基底中或基底上的纳米颗粒复合材料的工艺。还公开了纳米颗粒复合材料以及并入纳米颗粒复合材料的基底的用途、特别是用于减少微生物的负载的形成或生物膜的形成的用途。
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公开(公告)号：CN1210815C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01140130.3
申请日：2001-11-26
申请人： 珂琳21风险投资株式会社
CPC分类号： H01L31/042 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/06 , C30B29/607 , C30B30/06 , H01L31/02008 , H01L31/035281 , H01L31/0512 , H01L31/0547 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H02S40/36 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种光电转换元件设置在支座的多个凹槽的每个凹槽中。由凹槽内表面反射的光束照射在光电转换元件上。光电转换元件具有近似的球形形状并且具有下述结构。中央部分n-型非晶硅(a-Si)层的外表面被具有比a-Si更宽光学带隙的p-型非晶体SiC(a-SiC)层覆盖，从而形成pn结。支座的第一导体在凹槽的底部或其附近连接至光电转换元件的p-型a-SiC层。支座的第二导体由一个绝缘体与第一导体绝缘，并且连接至光电转换元件的n-型a-Si层。
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