-
公开(公告)号：CN106687624B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580049467.8
申请日：2015-09-24
申请人： 株式会社SUMCO
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B29/06 , C30B35/007
摘要： 正确地掌握各个氧化硅玻璃坩埚的容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位，据此可靠地进行晶种的着液工艺。在氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚的内表面上的多个点的空间坐标，根据将各测量点作为顶点坐标的多角形组合来特定氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状(S11)，预先设定氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位的预测值(S12)，基于氧化硅玻璃坩埚的内表面的三维形状来求取满足初期液位的预测值硅熔液的体积(S13)，求取具有所述体积的硅熔液的重量(S14)，在氧化硅玻璃坩埚中填充具有所述重量的原料(S15)，以及基于初期液位的预测值来控制晶种的着液(S17)。
-
公开(公告)号：CN109505006A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811587901.X
申请日：2018-12-25
申请人： 江苏大学
摘要： 本发明涉及水平提拉硅带成型设备技术领域，具体涉及一种水平提拉硅带成型设备的入料装置及其入料方法。本发明的用于水平提拉硅带成型设备的入料装置能够根据入料要求，通过质量传感器、闭合开关、传送带速度以及运动状态的控制将定量的硅料送入炉内坩埚，并通过气体置换的方法防止空气进入炉内，由此满足硅料的连续无污染的熔化要求。
-
公开(公告)号：CN108486647A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810509188.0
申请日：2018-05-24
申请人： 蔡一凡
发明人： 蔡一凡
摘要： 本发明公开了一种提拉法CeAlO3晶体生长装置及其控制方法，包括设于提拉炉内的保温罩和保温桶，其中，所述保温罩和保温桶之间密封形成炉膛，所述保温桶内设有铱金坩埚，所述铱金坩埚外设有感应线圈进行加热，所述保温罩为双层结构的保温罩，所述双层结构的保温罩的厚度范围为30～50mm，所述保温桶和铱金坩埚的顶部嵌进双层保温罩的中间空腔内，所述双层结构的保温罩内设置有电热钨片形成叠加热场结构，所述双层结构的保温罩的顶部设置保温盖子，所述保温盖子上开口引入提拉杆。本发明提供的提拉法CeAlO3晶体生长装置及其控制方法，稳定性好，能够有效避免传统荧光粉的衰减问题，在闪烁和荧光上转换领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN108385160A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810199856.4
申请日：2018-03-12
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置及其方法，一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置包括炉膛、氧化锆底座、氧化锆保温桶、盖板、金属环、坩埚和感应加热线圈，所述氧化锆底座安装在炉膛内，所述氧化锆保温桶安装在氧化锆底座上，氧化锆保温桶内设有固定槽，所述金属环安装在固定槽内，所述坩埚安装在氧化锆底座上其并与氧化锆保温桶接触。本发明通过在坩埚上方加入一个感应加热金属环，产生附加热场，从而调节提拉法晶体生长时的温场，可有效克服晶体生长中的孪晶、开裂等问题。
-
公开(公告)号：CN107142516A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710459529.3
申请日：2017-06-16
申请人： 内蒙古中环光伏材料有限公司
摘要： 本发明创造提供了一种热炉内用于直拉单晶时的液面定位装置，所述热炉内设有热场结构，该热场结构包括导流筒、坩埚、固定导流筒的支撑板及控制坩埚位置的举升机构，所述液面定位装置和热场结构绝缘设置，包括设置在热炉外的控制平台、位于导流筒导流腔内的钼杆及该钼杆底端竖直向下设置的石墨针，所述石墨针底端伸出导流筒后正对坩埚内腔，所述钼杆顶部和控制平台通过耐高温导线连接，所述举升机构和控制平台电连接。本发明创造所述的一种热炉内用于直拉单晶时的液面定位装置，结构简单，制造成本交低，通过本装置，保证单晶硅稳定化时的液面位置一致性、可控性，同时由于本装置为自动调整，因此提高了安全性能。
-
公开(公告)号：CN106676621A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710094187.X
申请日：2017-02-21
申请人： 宁夏协鑫晶体科技发展有限公司
摘要： 本发明涉及一种直拉硅单晶的收尾方法，其包括如下步骤：S1、将炉温的设置参数调大至预定的收尾温度，并控制晶体等径生长；S2、在炉温的设置参数调大后的20～30min后，控制并降低埚升为1～3mm/hr，使晶体进入第一段收尾生长；S3、在第一段收尾生长结束后，将晶体的拉速降低，同时控制坩埚静止，使晶体进入第二段收尾生长；S4、在第二段收尾生长结束后，将晶体的拉速提高到所述第一段收尾生长时晶体拉速的90％～120％，使晶体进入第三段收尾生长，直至晶体收尖脱离液面。上述直拉硅单晶的收尾方法，减小晶体收尾长度，增大等径部分长度，成品率高，材料浪费少。另其收尾时间短，节约成本。本发明还公开了一种直拉硅单晶的制备方法。
-
公开(公告)号：CN106663643A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580030897.5
申请日：2015-03-16
申请人： 信越半导体株式会社
发明人： 荒谷崇
CPC分类号： G01R31/2639 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/005 , C30B33/02 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L22/20
摘要： 本发明提供一种半导体基板的缺陷区域的评价方法，其根据形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性来评价半导体基板的缺陷区域，该评价方法的特征在于，预先使用已知缺陷区域的类型的半导体基板，在与评价作为评价对象的半导体基板的缺陷区域时相同的热处理条件、以及C‑V特性评价条件下，求出缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，在对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域的评价中，根据由形成于半导体基板上的MOS结构的C‑V特性求出的平带电压或固定电荷密度，基于预先求出的缺陷区域与平带电压或固定电荷密度的关系，对作为评价对象的半导体基板的缺陷区域进行判定。由此，提供一种即使氧浓度低也能够以简便的方法判定半导体基板的缺陷区域的半导体基板的缺陷区域的评价方法。
-
公开(公告)号：CN104278321B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410329579.6
申请日：2014-07-11
申请人： 环球晶圆日本股份有限公司
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/20 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L29/16 , H01L29/7393
摘要： 本发明涉及通过CZ法提供能够适用于面向高电压的IGBT用硅基板的低碳浓度的单晶硅及其制造方法。以碳浓度1.0×1015atoms/cm3以下的多晶硅为原料，对原料熔液2施加横向磁场，并使石英坩埚3的转速为5.0rpm以下，在从原料熔液表面起直至下述Y的20～50%的位置处以下述式（1）所示的流速A［m/sec］通入惰性气体，Q：惰性气体的流量［L/min］P：炉内压力［托］X：防辐射罩的开口部直径［mm］Y：从原料熔液表面起直至防辐射罩下端的距离［mm］α：校正系数直至结晶固化率30%的时刻，使流速A为0.2～5000/d［m/sec］（d：结晶直体部直径［mm］），并且使侧部加热器4和底部加热器5的合计动力的降低率为3～30%、侧部加热器4的动力的降低率为5～45%。
-
公开(公告)号：CN106319621A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610841931.3
申请日：2016-09-22
申请人： 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
发明人： 王文庆
摘要： 本发明涉及单晶硅生长制造领域，尤其涉及一种大尺寸直拉硅单晶生长技术领域。一种大尺寸直拉硅单晶生长方法，包括以下步骤：装料，抽真空，加热熔料，引晶温度调节与引晶，放肩，转肩，等径生长，收尾退火和冷却，其特征在于，采用若干弧片状石墨加热器组成的封闭管状石墨加热器组对坩埚加热熔料，硅单晶生长过程中，各石墨加热器保持温度一致，等径生长过程中，氩气气流经导流筒内部进入热场系统，冷却器设置在导流筒内测，且与导流筒平行。本发明通过上述工艺，改善水平方向的热对流，进一步提高产品质量，有效冷却生长界面，一定程度提高产率。
-
公开(公告)号：CN106192000A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610807979.2
申请日：2012-02-15
申请人： 信越半导体股份有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC分类号： C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02005
摘要： 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
171 条记录 (耗时 0.022 秒)
