具有集成的调制器和开关单元的磁场梯度线圈组件

    公开(公告)号:CN109313244A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780036750.6

    申请日:2017-06-09

    摘要: 本发明提供了一种磁共振成像系统(100、200)。所述磁共振成像系统包括磁体组件(102),所述磁体组件用于在成像区(108)内生成主磁场。所述磁共振成像系统还包括磁场梯度线圈组件(110),所述磁场梯度线圈组件用于在所述成像区内生成空间梯度磁场。所述磁场梯度线圈组件包括至少一个结构支撑件(122)。所述至少一个结构支撑件中的每个结构支撑件包括至少一个线圈元件(500)。所述磁共振成像系统还包括梯度线圈电源(112),所述梯度线圈电源用于向所述磁场梯度线圈组件供应电流。所述梯度线圈电源是开关模式电源。所述梯度线圈电源包括针对至少一个线圈元件的每个线圈元件的开关单元(126)。所述梯度线圈电源还包括用于向每个开关单元供应电流的电流充电器(128)。所述梯度线圈电源还包括用于调制每个开关单元的调制器(124),其中,所述梯度线圈电源还包括用于控制每个调制器的调制的梯度控制器(130)。所述至少一个线圈元件中的每个线圈元件的调制器被附接到所述至少一个结构支撑件。所述至少一个线圈元件中的每个线圈元件的所述开关单元被附接到所述至少一个结构支撑件。

    磁共振成像装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN103654787B

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201310438793.0

    申请日:2013-09-24

    IPC分类号: A61B5/055

    摘要: 一种磁共振成像(MRI)方法和装置,其中导体安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中以消除在静磁场线圈单元中感生的涡流电流的不对称。该结构在偏离静磁场线圈单元和梯度线圈单元的同心布置时允许涡流电流的对称布置。MRI装置包括:静磁场线圈单元,配置为在目标中形成静磁场;梯度线圈单元,配置为在静磁场中形成梯度场;和一个或多个导体,安装在静磁场线圈单元和梯度线圈单元之间的空间中,并配置为使静磁场线圈单元中感生的涡流电流对称地分布。

    用于NMR设备的带有无源RF屏蔽的有源屏蔽圆柱形梯度线圈系统

    公开(公告)号:CN104062612B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201410105226.8

    申请日:2014-03-20

    发明人: N·弗里塔格

    IPC分类号: G01R33/385

    CPC分类号: G01R33/4215 G01R33/3858

    摘要: 本公开涉及用于NMR设备的带有无源RF屏蔽的有源屏蔽圆柱形梯度线圈系统。主梯度线圈从至少两个部分线圈系统构成,至少两个部分线圈系统与z轴共线性,从围绕z轴以最大外半径R1gradientoutmax缠绕的电导体区段构成,有源屏蔽线圈从围绕z轴在最小内半径R1shieldinmin处的电导体构成,其中R1shieldinmin>R1gradientOutmax。没有梯度线圈系统的电导体元件存在于沿轴向长度L1、在主梯度线圈最小内半径R1gradientinmin和R1shieldinmin之间的半径范围内相对于中心对称的空心圆柱区段中,提供无源RF屏蔽,无源RF屏蔽从至少三个电互连的部分区段构建,两个部分区段以最大外半径R1hfoutmax围绕z轴安置,两者中,具有轴向长度L2和最小内半径R2hfinmin和最大外半径R2hfOutmax的第三部分区段围绕所述z轴安置,其中下列适用:R1hfOutmax

    线圈装置和磁共振成像装置

    公开(公告)号:CN103732137A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201280038374.1

    申请日:2012-07-31

    发明人: 杉山英二

    IPC分类号: A61B5/055 G01R33/38

    摘要: 本发明提供一种线圈装置和磁共振成像装置。在层叠有形成平板状的第一线圈(2)、第二线圈(4)以及第三线圈(3)的线圈装置(1)中,所述第一线圈(2)具有空隙部,所述第三线圈(3)具有第二空隙部,将从所述第二线圈内侧跨过该第二线圈(4)而向边缘部引出的引线(44)的一部分或全部、以及从所述第三线圈内侧跨过该第三线圈(3)而向边缘部引出的引线(37a、37b)的一部分或全部收纳在所述空隙部中,将从所述第一线圈内侧跨过该第一线圈(2)而向边缘部引出的引线(27a、27b)的一部分或全部收纳在所述第二空隙部中。

    减少MRI图像内伪影的梯度线圈和梯度线圈的制造方法

    公开(公告)号:CN101158714B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN200710162231.2

    申请日:2007-10-08

    IPC分类号: G01R33/20 G01R33/385

    CPC分类号: G01R33/385 G01R33/3858

    摘要: 磁共振成像系统的梯度线圈(300)或其它元件包括:至少一个由具有第一表面(316,416)和第二表面(318)的铜构成的层(302,402)。第一半导体层(314)施加到铜(302)的第一表面(316)上,并且绝缘层施加到第一半导体层(314)上。在一个实施例中,第二半导体层(312)施加到铜(302)的第二表面(318)上。第一和第二半导体层(314,312)包覆在铜(302)和半导体层(314,312)之间形成的任何空隙,使空隙周围的电势相等,从而防止局部放电的形成。

    用于磁共振成像的低温冷却超导体梯度线圈模块

    公开(公告)号:CN102483449A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080026632.5

    申请日:2010-04-19

    发明人: 高尔震 马启元

    IPC分类号: G01R33/385

    CPC分类号: G01R33/3856 G01R33/3858

    摘要: 本发明提供了一种用于磁共振成像(MRI)和/或磁共振光谱分析的方法和/或设备,包括用于低温冷却的超导梯度线圈模块。这种超导梯度线圈模块可以包括:真空隔热外壳,包括双壁密封封套,所述双壁密封封套(i)封装具有第一真空压力的密封的内部空间,并且(ii)实质上封装具有第二真空压力的真空空间;至少一个超导体梯度线圈,布置在所述真空空间中;散热构件,布置在所述真空空间中,并与所述至少一个超导体梯度线圈热接触;以及端口,被配置为至少对散热构件进行低温冷却。

    梯度线圈子组件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102445674A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201110281847.8

    申请日:2011-09-21

    发明人: A·R·坎普

    IPC分类号: G01R33/385

    摘要: 一种MRIS梯度线圈子组件,包括:第一线圈层,其包括第一导电线圈部分;第二线圈层,其包括第二导电线圈部分,所述第二导电线圈部分与所述第一导电线圈部分电气连接,使得所述第一导电线圈部分和所述第二导电线圈部分作为一个绕组共同起作用;以及,B阶材料巩固层,其夹在所述第一线圈层和所述第二线圈层之间。

    一种梯度线圈安装工装
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106695681A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201710098517.2

    申请日:2017-02-23

    IPC分类号: B25B27/14 G01R33/385

    摘要: 本发明公开了一种梯度线圈安装工装,包括本体,所述本体包括可拆卸连接的若干个滑轨、以及支撑所述滑轨并与所述滑轨可拆卸连接的若干个支撑架,所述支撑架高度可调节;所述滑轨上设置支撑梯度线圈内环壁的滑动装置,所述滑动装置包括输送板,所述输送板上设置使其沿所述滑轨往复运动的第一滚轮;所述输送板上与其运动方向垂直的相对两端设置抵触于梯度线圈内环壁的第二滚轮。该发明采用可拆卸的滑轨和支撑架,滑轨上设置可滑动的输送板,支撑架上设置液压升降机构,拆装方便,便于携带收纳,承受力大,使用较少人力就可以实现将梯度线圈安装到磁体,并转动到位。

    倾斜磁场线圈装置及磁共振成像装置

    公开(公告)号:CN104822319A

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201380061471.7

    申请日:2013-12-18

    发明人: 中康弘 黑目明

    IPC分类号: A61B5/055

    摘要: 倾斜磁场线圈装置(2)具有:主线圈装置(3),其在第一树脂(3a)中埋入产生倾斜磁场与泄漏磁场的多个主线圈(3z)并整形;以及屏蔽线圈装置(4),其在第二树脂(4a)中埋入抑制泄漏磁场的多个屏蔽线圈(4z)并整形,屏蔽线圈装置(4)具备与主线圈装置(3)对置并固定于主线圈装置(3)的对置区域(A1)及从主线圈装置(3)突出的突出区域(A2),在突出区域(A2)中的第二树脂(4a)中埋入绝缘性的加固材料(5)。加固材料(5)在屏蔽线圈装置(4)的圆周方向上配置多个,优选在互相邻接的加固材料(5)之间填充第二树脂(4a)。加固材料(5)优选相对于屏蔽线圈(4z)等配置于主线圈装置(3)侧。