用于控制MRI系统内的主磁场漂移的系统、方法和设备

    公开(公告)号:CN101427919A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200810174576.4

    申请日:2008-11-10

    CPC classification number: G01R33/389 G01R33/3804

    Abstract: 本发明涉及用于控制MRI系统内的主磁场漂移的系统、方法和设备。尤其是,本发明涉及一种用于控制磁共振成像(MRI)系统中的超导磁体的暖孔的温度的设备(300),该设备包括位于所述暖孔的表面上的多个暖孔热传感器(320)以及位于所述暖孔的所述表面上的多个加热器元件(324)。加热器元件热传感器(326)耦合到所述多个加热器元件(324)中的每一个并且被配置成监测相应的该加热器元件(324)的温度。控制器(322)耦合到所述多个暖孔热传感器(320)以及所述多个加热器元件热传感器(326)。该控制器(322)被配置成控制所述多个加热器元件(324)当中的每一个,以便保持所述暖孔的预定温度。

    液体电介质梯度线圈系统和方法

    公开(公告)号:CN101852842A

    公开(公告)日:2010-10-06

    申请号:CN201010156447.X

    申请日:2010-03-31

    Inventor: D·A·西伯

    CPC classification number: G01R33/3856 G01R33/288

    Abstract: 本发明名称为“液体电介质梯度线圈系统和方法”。提供具有采用液体电介质的梯度线圈组装件的磁共振成像系统。在一个实施例中,磁共振成像系统(10)包括具有多个梯度线圈(26、28、30)的梯度线圈组装件(58、60)。在梯度线圈组装件(58、60)中,通过液体介质将梯度线圈(26、28、30)的至少两个与彼此电分离。

    减少MRI图像内伪影的梯度线圈和梯度线圈的制造方法

    公开(公告)号:CN101158714A

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200710162231.2

    申请日:2007-10-08

    CPC classification number: G01R33/385 G01R33/3858

    Abstract: 磁共振成像系统的梯度线圈(300)或其它元件包括:至少一个由具有第一表面(316,416)和第二表面(318)的铜构成的层(302,402)。第一半导体层(314)施加到铜(302)的第一表面(316)上,并且绝缘层施加到第一半导体层(314)上。在一个实施例中,第二半导体层(312)施加到铜(302)的第二表面(318)上。第一和第二半导体层(314,312)包覆在铜(302)和半导体层(314,312)之间形成的任何空隙,使空隙周围的电势相等,从而防止局部放电的形成。

    用于控制MRI系统内的主磁场漂移的系统、方法和设备

    公开(公告)号:CN101427919B

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN200810174576.4

    申请日:2008-11-10

    CPC classification number: G01R33/389 G01R33/3804

    Abstract: 本发明涉及用于控制MRI系统内的主磁场漂移的系统、方法和设备。尤其是,本发明涉及一种用于控制磁共振成像(MRI)系统中的超导磁体的暖孔的温度的设备(300),该设备包括位于所述暖孔的表面上的多个暖孔热传感器(320)以及位于所述暖孔的所述表面上的多个加热器元件(324)。加热器元件热传感器(326)耦合到所述多个加热器元件(324)中的每一个并且被配置成监测相应的该加热器元件(324)的温度。控制器(322)耦合到所述多个暖孔热传感器(320)以及所述多个加热器元件热传感器(326)。该控制器(322)被配置成控制所述多个加热器元件(324)当中的每一个,以便保持所述暖孔的预定温度。

    减少MRI图像内伪影的梯度线圈和梯度线圈的制造方法

    公开(公告)号:CN101158714B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN200710162231.2

    申请日:2007-10-08

    CPC classification number: G01R33/385 G01R33/3858

    Abstract: 磁共振成像系统的梯度线圈(300)或其它元件包括:至少一个由具有第一表面(316,416)和第二表面(318)的铜构成的层(302,402)。第一半导体层(314)施加到铜(302)的第一表面(316)上,并且绝缘层施加到第一半导体层(314)上。在一个实施例中,第二半导体层(312)施加到铜(302)的第二表面(318)上。第一和第二半导体层(314,312)包覆在铜(302)和半导体层(314,312)之间形成的任何空隙,使空隙周围的电势相等,从而防止局部放电的形成。

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