具有自行温度补偿功能的核磁共振磁体

    公开(公告)号:CN106772164A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611183744.7

    申请日:2016-12-20

    IPC分类号: G01R33/3873 H01F7/02

    CPC分类号: G01R33/3873 H01F7/0278

    摘要: 一种具有自行温度补偿功能的核磁共振磁体,包括主磁场磁块阵列和补偿磁场磁块阵列,所述的主磁场磁块阵列由上主磁块(1)、右主磁块(3)、下主磁块(5)和左主磁块(7)构成,产生主磁场。所述的补偿磁场磁块阵列由右上补偿磁块(2)、右下补偿磁块(4)、左下补偿磁块(6)和左上补偿磁块(8)构成,产生补偿磁场。主磁场磁块阵列和补偿磁场磁块阵列交叉嵌套地构成一个环形结构,主磁场磁块阵列所产生磁场的磁通密度大于补偿磁场磁块阵列的磁场磁通密度。补偿磁场的方向和主磁场方向相反。

    MRI放射治疗装置的静态磁场的校正

    公开(公告)号:CN103562740B

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201280026062.9

    申请日:2012-05-31

    IPC分类号: G01R33/48 A61N5/10

    摘要: 一种校正包括磁共振成像系统(302)和放射治疗系统(304)的MRI放射治疗装置(300)的磁场的方法。所述MRI系统包括用于在成像区域318内生成磁场的磁体(306)。所述磁体生成具有处于所述成像区域之外的零交叉(346、404)的磁场。所述医疗装置还包括被配置为绕旋转轴(333)旋转铁磁部件(336、510)的扫描架(332)。所述方法包括安装(100、200)位于垂直于所述旋转轴的径向路径(344、504)上的磁校正元件(348、900、1000)的步骤。在所述径向路径上定位所述磁校正元件,从而减小由所述铁磁部件导致的所述成像区域内的磁场的变化。所述方法还包括重复地:测量(102、202、1204)所述成像区域内的磁场;确定(104、204、1206)所述成像区域内的磁场的变化;并且如果所述磁场的变化高于预定阈值,则调整(106、206、1208)所述磁校正元件沿所述径向路径的位置。

    静磁场均匀度的调整方法、磁共振成像用静磁场产生装置、磁场调整系统、程序

    公开(公告)号:CN103442635B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201280014679.9

    申请日:2012-03-15

    发明人: 榊原健二

    IPC分类号: A61B5/055

    CPC分类号: G01R33/3873 G01R33/3802

    摘要: 为了避免磁场调整所需要的期间和费用的重复,且实现最终设置场所处的磁场调整期间的最小化,以及谋求磁铁的磁场调整的高效率化,提供对于在测量空间由静磁场产生单元产生的静磁场配置产生校正磁场的磁场校正单元来调整所述静磁场的均匀度的方法,包含:测定由所述静磁场产生单元产生的静磁场的步骤;将测定出的静磁场的空间分布进行级数展开的步骤;对级数展开了的不规则磁场分量当中的高阶项的不规则磁场分量进行校正的第1磁场调整步骤;和在所述第1调整步骤后进行的调整所述低阶的不规则磁场分量的第2步骤。

    MRI用超导磁体的调整方法

    公开(公告)号:CN102478647B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201110204802.0

    申请日:2011-07-12

    发明人: 田边肇

    IPC分类号: G01R33/387 G01R33/3815

    摘要: 本发明涉及一种MRI用超导磁体的调整方法,包括:考虑使用场所的磁场氛围而对MRI用超导磁体进行匀场的工序(S110);在实现使用场所的磁场氛围的环境下、在进行了匀场的MRI用超导磁体中产生额定磁场的工序(S120);以及在产生额定磁场的工序(S120)之后、将MRI用超导磁体设置于使用场所的工序(S130)。由此,能减少发生失超的可能性,从而提高MRI用超导磁体的稳定性。

    无源B1场匀场
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103261906A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201180060494.7

    申请日:2011-12-05

    IPC分类号: G01R33/34 G01R33/54

    摘要: 线圈元件(18)在检查区(14)中产生B1激励场,该B1激励场被患者负载扭曲(例如,波长效应)。无源匀场元件(22、24)布置在线圈元件和受检者之间,以便提高B1场均匀性。在一个实施例中,无源匀场元件包括布置在受检者之下的一个或多个介电棒(55),该介电棒(55)不产生实质上的MR质子信息且具有至少100和优选地大于500的介电常数。在另一实施例中,向相邻于每个线圈元件的管(24)供应介电流体,在线圈元件和受检者之间的介电流体的厚度调节线圈元件所产生的B1场的相位。有源B1场可与无源匀场元件(22、24)组合以实现提高的RF场均质性结果。