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公开(公告)号：CN101410331B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200780011259.4
申请日：2007-03-28
申请人： 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： C01G49/00 , C04B35/622 , G11B5/706 , H01F1/11 , H01F10/22
CPC分类号： G11B5/70642 , C01G49/0018 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2006/42 , C04B35/26 , C04B35/62807 , C04B2235/3274 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , G11B5/712 , G11B5/714 , H01F1/11
摘要： 本发明为一种磁性材料，其具有对应于ε-Fe2O3的结晶结构的X射线衍射峰，包含用Ga3+离子取代ε-Fe2O3结晶的部分Fe3+离子位而成的ε-GaxFe2-xO3[其中，0＜X＜1]的结晶。该磁性材料的矫顽力随着Ga含量而降低，饱和磁化强度显示出极大值。
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公开(公告)号：CN109031902A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810587154.3
申请日：2018-06-06
申请人： 富士胶片株式会社
发明人： 藤本贵士
IPC分类号： G03G5/16
CPC分类号： H01F1/11 , G11B5/653 , G11B5/70642 , G03G5/16
摘要： 本发明提供一种磁特性良好的磁性粉、磁特性良好的磁性粉的制造方法及信号衰减得到抑制的耐久性良好的磁记录介质。所述磁性粉包含选自ε‑Fe2O3及式(1)所表示的化合物中的ε型氧化铁系化合物，所述磁性粉为平均粒径8nm～25nm的磁性粉，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在规定的条件下进行测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。式(1)中，A表示Fe以外的金属元素，a满足0＜a＜2。d2M/dH2式(I)；119kA/m＜Hc’＜2380kA/m式(II)；ε‑AaFe2‑aO3(1)。
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公开(公告)号：CN102473519A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080026856.6
申请日：2010-06-24
申请人： 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： H01F41/16 , C01G49/00 , C09D5/23 , C09D7/12 , C09D201/00 , G11B5/706 , G11B5/845 , H01F10/22
CPC分类号： G11B5/845 , C01G49/00 , C01G49/06 , C01P2002/52 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2006/22 , C01P2006/42 , C08K3/22 , C09D5/38 , C09D7/61 , G11B5/70642 , H01F10/22 , H01F41/24 , Y10T428/2982
摘要： 本发明提供在具有绝缘性的同时，具有永磁体功能，并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体。形成磁性薄膜3时，对于包含含有在具有绝缘性的同时具有永磁体功能ε型氧化铁系化合物的磁性粒子的涂布液，施加规定强度的外部磁场，使该涂布液固化而形成磁性薄膜3，从而可以使含有该ε型氧化铁系化合物的磁性粒子在沿磁化方向规则取向的状态下进行固化，这样一来，就可以提供在具有绝缘性的同时，具有永磁体功能，并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜3的制造方法、磁性薄膜3及磁性体1。
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公开(公告)号：CN101410331A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011259.4
申请日：2007-03-28
申请人： 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： C01G49/00 , C04B35/622 , G11B5/706 , H01F1/11 , H01F10/22
CPC分类号： G11B5/70642 , C01G49/0018 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2006/42 , C04B35/26 , C04B35/62807 , C04B2235/3274 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , G11B5/712 , G11B5/714 , H01F1/11
摘要： 本发明为一种磁性材料，其具有对应于ε－Fe2O3的结晶结构的X射线衍射峰，包含用Ga3+离子取代ε－Fe2O3结晶的部分Ga3+离子位而成的ε－GaxFe2－xO3（其中， 0＜X＜1）的结晶。该磁性材料的矫顽力随着Ga含量而降低，饱和磁化强度显示出极大值。
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公开(公告)号：CN102473519B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201080026856.6
申请日：2010-06-24
申请人： 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
IPC分类号： H01F41/16 , C01G49/00 , C09D5/23 , C09D7/12 , C09D201/00 , G11B5/706 , G11B5/845 , H01F10/22
CPC分类号： G11B5/845 , C01G49/00 , C01G49/06 , C01P2002/52 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2006/22 , C01P2006/42 , C08K3/22 , C09D5/38 , C09D7/61 , G11B5/70642 , H01F10/22 , H01F41/24 , Y10T428/2982
摘要： 本发明提供在具有绝缘性的同时，具有永磁体功能，并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体。形成磁性薄膜3时，对于包含含有在具有绝缘性的同时具有永磁体功能ε型氧化铁系化合物的磁性粒子的涂布液，施加规定强度的外部磁场，使该涂布液固化而形成磁性薄膜3，从而可以使含有该ε型氧化铁系化合物的磁性粒子在沿磁化方向规则取向的状态下进行固化，这样一来，就可以提供在具有绝缘性的同时，具有永磁体功能，并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜3的制造方法、磁性薄膜3及磁性体1。
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公开(公告)号：CN101178965B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200710148356.X
申请日：2007-08-31
申请人： 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
CPC分类号： C01G49/06 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/42 , G11B5/70642 , G11B5/714 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
摘要： 本发明了提供了一种具有铁氧化物相的磁性材料，其主相是与ε-Fe2O3晶体具有相同空间群的结构的晶体，并且其中Al取代了ε-Fe2O3晶体的一部分Fe位置。铁氧化物相中Al与Fe的摩尔比当作为Al∶Fe＝x∶(2-x)表示时满足0＜x＜1。x的值优选在0.3-0.7的范围内。由TEM图像确定的粉末的平均颗粒直径优选为5-200nm，更优选10-100nm。该磁性材料具有非常高的实用价值，因为它能够将ε-Fe2O3晶体非常高的矫顽力Hc调整至能够在磁记录介质和各种其它应用中使用的水平。通过组合反胶束方法和溶胶-凝胶方法的方法可以制备所述磁粉。
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公开(公告)号：CN109036475A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810587131.2
申请日：2018-06-06
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： G11B5/706
CPC分类号： G11B5/70615 , G11B5/70 , G11B5/70621 , G11B5/70642
摘要： 本发明提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。所述磁记录介质具有：非磁性支撑体；及非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε‑Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。d2M/dH2式(I)；119kA/m＜Hc’＜2380kA/m式(II)；ε‑AaFe2‑aO3(1)，式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。
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公开(公告)号：CN108117102A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711224737.1
申请日：2017-11-29
申请人： 富士胶片株式会社
CPC分类号： B22F1/0059 , B22F2999/00 , G11B5/70615 , G11B5/70642 , H01F1/06 , H01F1/065 , C01G49/06 , C01P2004/62 , C01P2006/12
摘要： 本发明提供一种能够提高磁记录介质的电磁转换特性且在温度173K下测定的矫顽力Hc173K与在温度296K下测定的矫顽力Hc296K的比率Hc173K/Hc296K大于1.00且小于2.00的ε-氧化铁型铁磁性粉末、以及在磁性层包含上述ε-氧化铁型铁磁性粉末的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN101178965A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710148356.X
申请日：2007-08-31
申请人： 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
CPC分类号： C01G49/06 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/42 , G11B5/70642 , G11B5/714 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
摘要： 本发明提供了一种具有铁氧化物相的磁性材料，其主相是与ε－Fe2O3晶体具有相同空间群的结构的晶体，并且其中Al取代了ε－Fe2O3晶体的一部分Fe位置。铁氧化物相中Al与Fe的摩尔比当作为Al∶Fe＝x∶(2－x)表示时满足0＜x＜1。x的值优选在0.3－0.7的范围内。由TEM图像确定的粉末的平均颗粒直径优选为5－200nm，更优选10－100nm。该磁性材料具有非常高的实用价值，因为它能够将ε－Fe2O3晶体非常高的矫顽力Hc调整至能够在磁记录介质和各种其它应用中使用的水平。通过组合反胶束方法和溶胶－凝胶方法的方法可以制备所述磁粉。
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