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公开(公告)号：CN113412238A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080011770.X
申请日：2020-02-04
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
Abstract: 提供热稳定性良好、在高温环境下矫顽力的变化也小的包含Fe位点的一部分被其他金属元素置换的ε氧化铁的粒子的铁系氧化物磁粉和铁系氧化物磁粉的制造方法。在将包含3价铁离子和将Fe位点的一部分置换的金属的离子的酸性的水溶液中和而生成的包含置换金属元素的铁氢氧化物的沉淀物中，使用硅烷化合物被覆硅氧化物时使含磷离子共存，从而得到热稳定性良好、在高温环境下矫顽力的变化也小的、包含Fe位点的一部分被其他金属元素置换的ε氧化铁的粒子的铁系氧化物磁粉。
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公开(公告)号：CN111615732A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980008946.3
申请日：2019-02-14
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
Abstract: 提供：即使在低温和高温环境下，在宽的频率范围内也具有优异的电磁波吸收性能，并且其吸收性能得到保证的磁性材料。提供：矫顽力的温度变化值的斜率为正的磁性材料与矫顽力的温度变化值的斜率为负的磁性材料混合得到的磁性材料。
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公开(公告)号：CN107635924B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201680030678.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供ε氧化铁及其制造方法，所述ε氧化铁是铁元素的一部分被置换元素置换而成的ε氧化铁，其具有10～18nm的平均粒径、矫顽力为14kOe以下并且该粒径的变异系数为40％以下。本发明提供ε氧化铁的制造方法，其特征在于，具有如下工序：使羟基氧化铁粘附作为置换元素的金属，得到粘附有前述金属的羟基氧化铁的工序；用硅氧化物涂覆粘附有前述金属的羟基氧化铁，得到涂覆有前述硅氧化物的羟基氧化铁的工序；和、在氧化性气氛下对涂覆有前述硅氧化物的羟基氧化铁进行热处理的工序，从而制造铁元素的一部分被前述置换元素置换而成的ε氧化铁。
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公开(公告)号：CN102473519B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201080026856.6
申请日：2010-06-24
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
CPC classification number: G11B5/845 , C01G49/00 , C01G49/06 , C01P2002/52 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2006/22 , C01P2006/42 , C08K3/22 , C09D5/38 , C09D7/61 , G11B5/70642 , H01F10/22 , H01F41/24 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供在具有绝缘性的同时，具有永磁体功能，并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜的制造方法、磁性薄膜及磁性体。形成磁性薄膜3时，对于包含含有在具有绝缘性的同时具有永磁体功能ε型氧化铁系化合物的磁性粒子的涂布液，施加规定强度的外部磁场，使该涂布液固化而形成磁性薄膜3，从而可以使含有该ε型氧化铁系化合物的磁性粒子在沿磁化方向规则取向的状态下进行固化，这样一来，就可以提供在具有绝缘性的同时，具有永磁体功能，并且与以往相比剩余磁化能够得到提高的磁性薄膜3的制造方法、磁性薄膜3及磁性体1。
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公开(公告)号：CN101178965B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200710148356.X
申请日：2007-08-31
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
CPC classification number: C01G49/06 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/42 , G11B5/70642 , G11B5/714 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
Abstract: 本发明了提供了一种具有铁氧化物相的磁性材料，其主相是与ε-Fe2O3晶体具有相同空间群的结构的晶体，并且其中Al取代了ε-Fe2O3晶体的一部分Fe位置。铁氧化物相中Al与Fe的摩尔比当作为Al∶Fe＝x∶(2-x)表示时满足0＜x＜1。x的值优选在0.3-0.7的范围内。由TEM图像确定的粉末的平均颗粒直径优选为5-200nm，更优选10-100nm。该磁性材料具有非常高的实用价值，因为它能够将ε-Fe2O3晶体非常高的矫顽力Hc调整至能够在磁记录介质和各种其它应用中使用的水平。通过组合反胶束方法和溶胶-凝胶方法的方法可以制备所述磁粉。
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公开(公告)号：CN107210107B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201680006259.4
申请日：2016-01-18
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供磁性颗粒的取向度的值超过3.5的磁片等取向体和其的制造方法以及制造装置。本发明提供经过如下工序而制造的磁片等取向体：通过振荡式的搅拌将ε氧化铁颗粒与包含溶剂和赋形剂的混合溶液混合，使ε氧化铁颗粒分散于前述混合溶液的工序；将分散有前述ε氧化铁颗粒的混合溶液设置在规定的基体上的工序；和一边向设置有前述混合溶液的基体施加磁场一边去除前述溶剂，得到取向体的工序。
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公开(公告)号：CN106463224B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201580031492.3
申请日：2015-06-18
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
Abstract: 提供具备磁极化、自发电极化、近似极性半金属的物性的作为新型氧化铁纳米磁粉的σ型氧化铁纳米磁粉及其制造方法。提供组成为Fe2O3、晶体结构属于单斜晶系的磁粉。
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公开(公告)号：CN108475513A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680070163.4
申请日：2016-11-30
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
Abstract: 提供能够适用于MAMR、MIMR、F-MIMR的包含以Rh置换型ε氧化铁或Ru置换型ε氧化铁为代表的铂族置换型ε氧化铁颗粒的取向体及其相关技术。提供一种取向体及其相关技术，所述取向体包含用铂族元素的至少一种置换ε氧化铁的一部分而成的铂族置换型ε氧化铁颗粒作为磁性颗粒，由取向度＝SQ(易磁化轴方向)/SQ(难磁化轴方向)定义的磁性颗粒的取向度的值超过5.0，矫顽力超过31kOe。
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公开(公告)号：CN105143109B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201480023656.3
申请日：2014-04-24
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
CPC classification number: H01F1/0551 , C01G49/06 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C01P2006/42 , H01F1/0054
Abstract: 本发明提供即使平均粒径为15nm以下、优选为10nm以下也具有强磁性特性的氧化铁纳米磁性颗粒粉及其制造方法、包含该氧化铁纳米磁性颗粒粉的氧化铁纳米磁性颗粒薄膜及其制造方法。作为起始原料，使用β‑FeO(OH)(羟基氧化铁)纳米微粒，将该(羟基氧化铁)纳米微粒用硅氧化物覆盖并在大气气氛下进行热处理，从而生成平均粒径为15nm以下、进一步为10nm以下，且为单相ε‑Fe2O3相的氧化铁纳米磁性颗粒。进而，使用该氧化铁纳米磁性颗粒得到氧化铁纳米磁性颗粒薄膜。
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公开(公告)号：CN101512686B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN200780032109.1
申请日：2007-08-30
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 同和电子科技有限公司
CPC classification number: H05K9/0075 , B82Y30/00 , C01G49/0018 , C01G49/0045 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/42 , C04B35/26 , C04B35/62807 , C04B35/62813 , C04B35/62823 , C04B35/62886 , C04B2235/3217 , C04B2235/3274 , C04B2235/3286 , C04B2235/5454 , H01F1/344
Abstract: 本发明是一种电波吸收材料用磁性晶体，其空间群与ε-Fe2O3晶体相同、具有用M置换了ε-Fe2O3晶体中一部分Fe晶格格位的ε-MxFe2-xO3的结构，其中0＜x＜1。这里，M由具有通过所述置换降低ε-Fe2O3晶体矫顽力Hc作用的3价元素构成。作为具体的M元素可以举出Al和Ga。具备粒子的填充结构、其中所述粒子在磁性相中具有添加了这些置换元素M的“M置换ε-Fe2O3晶体”的电波吸收体可以由M元素的置换量控制电波吸收峰的频率，例如，得到适应于车载雷达中所利用的76GHz频带的电波吸收体。
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