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公开(公告)号:CN105405737A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510433622.8
申请日:2015-05-18
申请人: 弗利尔探测股份有限公司
CPC分类号: H01J49/4255 , H01J49/0031 , H01J49/06 , H01J49/26 , H01J49/4215 , H01J49/423
摘要: 提供一种质量分离器,其可以包括具有表面的至少一个电极部件,该表面在一个横截面上限定经由至少一个上升部而相关联的至少两个伸展部,上升部正交地连接到伸展部。提供一种质量选择检测器,其可以包括至少第一对相对的电极,相对的电极中的具有互补的表面,该表面在一个横截面上限定经由上升部而相关联的至少两个伸展部。还提供一种用于优化质量选择检测器内的质量分离的方法,包括提供质量分离参数;提供检测器内的一组电极,该组电极具有在检测器内可操作地对准的表面,该表面在一个横截面上限定经由至少一个上升部而相关联的至少两个伸展部,上升部正交地连接到伸展部;并且修正上升部和/或伸展部中的一个或两个以获得质量分离参数。
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公开(公告)号:CN100517554C
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200380108292.0
申请日:2003-12-02
申请人: 格里菲分析技术公司
发明人: 詹姆斯·M.·维尔斯 , 加斯·E.·帕特森
CPC分类号: H01J49/424 , H01J49/4255
摘要: 在一个实施例中,提供了用于从一系列质量分离器电场数据设计质量分离器的工艺和用于从一定范围数据对设计离子阱的工艺是质量分析器标度。也提供了用于制造包括离子阱的质量分离器的方法,该离子阱具有从约0.84到约1.2的Z0/r0比率。也提供了质谱仪,其可包括级联的质量分离器,其中一个是具有从约0.84到约1.2的Z0/r0比率的离子阱。本发明也提供用于分析样品的方法,其使用具有第一组和第二组元件的质量分离器,该第一组和第二组元件限定一体积,其具有从体积中心到第一元件表面的距离对从体积中心到第二元件表面的距离的比率在0.84到1.2。
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公开(公告)号:CN101005002A
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200610001017.4
申请日:2006-01-16
申请人: 方向
CPC分类号: H01J49/063 , H01J49/422 , H01J49/4255
摘要: 本发明涉及一种具有优化场形且易于加工的四极杆。该优化场形四极杆可作为杆形离子质量分析器、离子阱离子质量分析器、线性离子阱或离子导引使用。优化场形四极杆包括至少四个平行于质量分析器中心轴z轴的RF电极和生成RF离子捕获电场的射频电压,其中,RF电极为柱面体结构,其柱面是由平行于z轴并沿电极准线f(x,y)=0移动的电极母线L所描绘出的轨迹,具有分段函数的形式,利用一组通过分段函数各分界点且平行平面可将x电极或y电极解析为至少两个薄层单元。此类可解析为多个薄层单元的电极易于加工与装配,通过调整薄层单元的参数可获得优化的四极场场形,从而改善四极质量分析器的分析性能。
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公开(公告)号:CN109285757A
公开(公告)日:2019-01-29
申请号:CN201810797099.0
申请日:2018-07-19
申请人: 萨默费尼根有限公司
IPC分类号: H01J49/00
CPC分类号: H01J49/424 , H01J49/0031 , H01J49/0045 , H01J49/061 , H01J49/4255 , H01J49/4265
摘要: 一种质谱分析设备包含离子源、离子阱和质谱仪控制器。所述离子源被配置成产生离子。所述离子阱被配置成:俘获RF场内的离子;排出不需要的离子,同时保留目标离子;以及使目标离子碎裂。所述质谱仪控制器被配置成:基于前体离子流和产物离子流来确定所述离子阱的注入时间;用来自所述离子源的离子来填充所述离子阱达等于所述注入时间的时间量;隔离所述离子阱中的目标前体离子;使所述目标前体离子碎裂以产生产物离子;以及对所述产物离子进行质量分析。
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公开(公告)号:CN106558469A
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201610847440.X
申请日:2016-09-23
申请人: 萨默费尼根有限公司
发明人: P·M·雷米斯
CPC分类号: H01J49/4285 , H01J49/4245 , H01J49/425 , H01J49/4255 , H01J49/26 , H01J49/02 , H01J49/10 , H01J49/34
摘要: 一种用于识别样本的组分的方法包含:将样本提供到离子源且从所述样本的构成组分产生多个离子;在第一RF振幅处将第一RF波形施加到具有场谐振的离子阱,同时将所述多个离子导引到所述离子阱中;以及在第二RF振幅处将第二RF波形施加到所述离子阱,同时沿着纵向轴线朝向所述离子阱的中心聚集所述多个离子。所述方法进一步包含使所述多个离子从所述离子阱喷出到质量分析仪中;以及使用所述质量分析仪来确定所述离子的质荷比。
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公开(公告)号:CN103367093A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201210090725.5
申请日:2012-03-30
申请人: 岛津分析技术研发(上海)有限公司
CPC分类号: H01J49/423 , H01J49/0027 , H01J49/063 , H01J49/4255 , H01J49/427
摘要: 本发明提出一种线型离子束缚装置及其阵列结构。该线型离子束缚装置包含沿该线型离子束缚装置的中轴线两侧相对设置的一对沿轴向伸展的主射频电极,每一个主射频电极在垂直于该中轴线的各截平面上的截面图形,都对通过该中轴线的一主对称平面保持对称,其中该对主射频电极上附加的射频电压相位相同。在至少一个主射频电极上设有离子引出槽。并且在该对主射频电极两侧设置至少一对辅助电极,这些辅助电极对偶于该主对称平面放置。其中至少一个辅助电极具有有限个对称平面,且各对称平面与该对主射频电极的对称平面之间存在一大于0度并小于90度的最小夹角。通过这种方式,离子束缚装置内的离子束缚射频电场的四极场成分可以得到加强。
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公开(公告)号:CN102473580A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080033816.4
申请日:2010-07-23
申请人: 安捷伦科技有限公司
IPC分类号: H01J49/42
CPC分类号: H01J49/422 , H01J49/4255 , Y10T29/49002
摘要: 本发明涉及具有改善的机械隔离和组装性的线性离子处理设备,一种离子处理设备包括多个电极、第一和第二绝缘体、壳体和多个柔性第一支撑体和第二支撑体。每个主电极具有沿所述中心轴的轴向长度,并包括第一端区域和轴向相对的第二端区域。第一和第二绝缘体分别围绕第一和第二端区域同轴布置。壳体围绕电极、第一绝缘体和第二绝缘体同轴布置。第一支撑体在第一绝缘体和壳体之间延伸并与之接触。第二支撑体在第二绝缘体和壳体之间延伸并与之接触。支撑体将电极与外力隔离。
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公开(公告)号:CN101369510A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810200754.6
申请日:2008-09-27
申请人: 复旦大学
IPC分类号: H01J49/42
CPC分类号: H01J49/423 , H01J49/4255 , H01J49/427 , H01J49/4295
摘要: 本发明环形管状电极离子阱,用于离子存储与分析装置,与离子存储和离子质量分析技术相关,具体地说涉及离子存储和按离子的质荷比等特性来分析和探测的分析仪器。环形管状电极离子阱,有离子引入孔和离子引出孔,其电极由二个或二个以上直径不等的管状环形电极同轴组装在一起,构成一组同轴环形管状电极组,在两个相邻的环之间形成一个环形的空间区域,二个平面电极与轴垂直且分别设置在环形管状电极的二端,由外圈环形管状电极和二个端平面电极构成离子阱的边界电极,在相邻环形管状电极之间形成离子束缚区域,引入到该区域离子将被捕获、存储或者被选择性地排出。
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公开(公告)号:CN109148255A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810784433.9
申请日:2013-05-21
申请人: 北卡罗来纳-查佩尔山大学
CPC分类号: H01J49/4245 , H01J49/0013 , H01J49/0031 , H01J49/02 , H01J49/06 , H01J49/062 , H01J49/4235 , H01J49/424 , H01J49/4255
摘要: 公开了一种用于捕集带电粒子的微型电极设备,所述设备沿纵向方向包括:第一端盖电极;具有孔口的中心电极;以及第二端盖电极。所述孔口在侧向平面中伸长并沿纵向方向延伸穿过中心电极,且中心电极在垂直于纵向方向的侧向平面中包围孔口以限定用于捕集带电粒子的横向腔体。
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公开(公告)号:CN106558469B
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201610847440.X
申请日:2016-09-23
申请人: 萨默费尼根有限公司
发明人: P·M·雷米斯
CPC分类号: H01J49/4285 , H01J49/4245 , H01J49/425 , H01J49/4255
摘要: 一种用于识别样本的组分的方法包含:将样本提供到离子源且从所述样本的构成组分产生多个离子;在第一RF振幅处将第一RF波形施加到具有场谐振的离子阱,同时将所述多个离子导引到所述离子阱中;以及在第二RF振幅处将第二RF波形施加到所述离子阱,同时沿着纵向轴线朝向所述离子阱的中心聚集所述多个离子。所述方法进一步包含使所述多个离子从所述离子阱喷出到质量分析仪中;以及使用所述质量分析仪来确定所述离子的质荷比。
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