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公开(公告)号：CN103975581B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201280060268.3
申请日：2012-10-05
申请人： 独立行政法人产业技术总合研究所 , 株式会社理光
IPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14681 , H01L27/1443 , H01L27/14609 , H01L27/14656 , H04N5/3745 , H04N5/378
摘要： 光电转换器包括：包括不同传导类型的至少两个半导体区域的第一pn结；以及包括与半导体区域之一连接的第一源极、第一漏极、第一绝缘栅极以及与半导体区域之一的传导类型沟道相同的传导类型沟道的第一场效应晶体管。用在其第一pn结相对于其他半导体区域的电势变为0偏置或反向偏置的第二电势供应第一漏极。当第一源极转到第一电势且第一半导体区域之一相对于其他半导体区域变为0偏置或反向偏置时，即使半导体区域中的任一个暴露给光时，通过向第一绝缘栅极供应第一栅极电势控制第一pn结不被深度正向电压偏置。
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公开(公告)号：CN102460734B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080026859.X
申请日：2010-02-01
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L31/10 , G02F1/1333 , G02F1/135 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , H01L27/14612 , H01L27/14678 , H01L27/14681 , H01L27/14692 , H01L31/1136
摘要： 一种光电晶体管，其源极电极和栅极电极设为彼此相同的电位，具备：透明电极，其以与沟道区域重叠的方式形成于层间绝缘膜的表面；以及刷新控制部，其在透明电极与栅极电极以及源极电极之间施加电压，由此使蓄积于沟道区域的透明电极侧部分的电荷减少。
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公开(公告)号：CN101356646B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200680050446.9
申请日：2006-12-29
申请人： 阿尔托·奥罗拉
发明人： 阿尔托·奥罗拉
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/112
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14601 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14679 , H01L27/14681
摘要： 一种半导体辐射检测器装置，包括半导体材料的本体层(103)，并且在本体层(303)的第一表面上按以下顺序包括：第二导电类型的半导体材料的改进的内部栅极层(104)、第一导电类型的半导体材料的阻挡层(305)，以及第二导电类型的半导体材料的像素掺杂部(131，132，133)，这些像素掺杂部用于连接到至少一个像素电压以创建对应于像素掺杂部的像素，其特征在于，该装置包括第一导电类型的第一接触部，像素电压被限定为像素掺杂部和第一接触部之间的电势差。
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公开(公告)号：CN102460734A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026859.X
申请日：2010-02-01
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L31/10 , G02F1/1333 , G02F1/135 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , H01L27/14612 , H01L27/14678 , H01L27/14681 , H01L27/14692 , H01L31/1136
摘要： 一种光电晶体管，其源极电极和栅极电极设为彼此相同的电位，具备：透明电极，其以与沟道区域重叠的方式形成于层间绝缘膜的表面；以及刷新控制部，其在透明电极与栅极电极以及源极电极之间施加电压，由此使蓄积于沟道区域的透明电极侧部分的电荷减少。
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公开(公告)号：CN106561048B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610028513.2
申请日：2016-01-15
申请人： 原相科技股份有限公司
发明人： 林炜绩
CPC分类号： H01L27/14681 , G06F3/0317 , G06F3/03543 , G06F3/038
摘要： 本发明提供一种预闪时间调整电路。所述预闪时间调整电路包括第一预闪时间调整单元。第一预闪时间调整单元耦接于影像感测阵列。影像感测阵列包括多个像素单元。所述第一预闪时间调整单元包括连结切换模块以及储能电容。当影像感测阵列感测到光束时，连结切换模块选择性地导通其第一开关与储能电容，使储能电容开始向第一像素群中的多个第一像素单元充电，直至所述多个第一像素单元的多个双极性晶体管的基极‑射极电压达稳态。
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公开(公告)号：CN106561048A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201610028513.2
申请日：2016-01-15
申请人： 原相科技(槟城)有限公司
发明人： 林炜绩
CPC分类号： H01L27/14681 , G06F3/0317 , G06F3/03543 , G06F3/038 , H04N5/369 , H04N5/351
摘要： 本发明提供一种预闪时间调整电路。所述预闪时间调整电路包括第一预闪时间调整单元。第一预闪时间调整单元耦接于影像感测阵列。影像感测阵列包括多个像素单元。所述第一预闪时间调整单元包括连结切换模块以及储能电容。当影像感测阵列感测到光束时，连结切换模块选择性地导通其第一开关与储能电容，使储能电容开始向第一像素群中的多个第一像素单元充电，直至所述多个第一像素单元的多个双极性晶体管的基极-射极电压达稳态。
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公开(公告)号：CN101421848B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780012926.0
申请日：2007-04-12
申请人： 阿雷光电公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14679 , H01L27/1463 , H01L27/14681
摘要： 用于计算机断层成像和其它成像应用的背照式光电晶体管阵列。公开了实施例，其使用每一像素具有单个光电传感器和晶体管或每一像素具有多个光电传感器和晶体管的双极晶体管和JFET。
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公开(公告)号：CN101449389A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018744.4
申请日：2007-04-03
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 岩井誉贵
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/14 , H01L27/06 , H01L21/8222
CPC分类号： H01L31/10 , H01L27/1443 , H01L27/14681 , H01L27/14683
摘要： 一种光学半导体器件，其被提供有被形成在低浓度p型硅衬底(1)上的低掺杂浓度的n型外延层(第二外延层)(24)；通过离子注入或类似方法被选择性地形成在n型外延层(24)中的低掺杂浓度的p型阳极层(第一扩散层)(25)；被形成在阳极层(25)上的高浓度n型阴极层(第二扩散层)(9)；包括阳极层(25)和阴极层(9)的光接收元件(2)；以及被形成在n型外延层(24)上的晶体管(3)。对于短波长光具有高速度和高光接收灵敏度的光电二极管以及高速度晶体管可以被混合安装在同一半导体衬底上。
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公开(公告)号：CN1053340A
公开(公告)日：1991-07-24
申请号：CN91100218.9
申请日：1991-01-09
申请人： 精工电子工业株式会社
IPC分类号： H04N1/028
CPC分类号： H04N5/361 , H01L27/14681 , H04N5/3692 , H04N5/374
摘要： 由工作双极晶体管阵列构成的图象传感器。在工作双极晶体管旁形成另一光屏蔽的虚设双极晶体管阵列。将复位开关与工作和虚设双极晶体管的基区相连以减少暗图象输出的变化，确保输出信号线性，消除图象存储。
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公开(公告)号：CN108352392A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680045171.3
申请日：2016-05-31
申请人： 新成像技术公司
发明人： Y·尼
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14681
摘要： 本发明涉及一种光学传感器，该光学传感器包括：一个或多个电荷转移像素(10)，每个电荷转移像素包括在照明时生成光电荷的掩埋式光电二极管(11)；转换元件(12)，该转换元件接收所述光电荷的至少一部分且趋向于将满足与光电荷的生成强度的非线性关系的电势强加于光电二极管上；以及电荷转移元件(14)，该电荷转移元件用于读取由光电二极管(11)存储的电荷，从而通过转移，在读取之后，在该光电二极管中剩余的电荷为零。
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