公开(公告)号：CN101621069B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200910149528.4

申请日：2009-07-02

申请人： 索尼株式会社

发明人： 藤冈丈志

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14837 ,  H01L27/14887

摘要： 本发明公开了固态成像装置和电子设备。该固态成像装置包括：多个感光部分，其设置成以二维的方式成排并成列地布置，每个感光部分执行光电转换；竖直转移寄存部分，其布置成与每列所述感光部分对应；水平转移寄存部分；以及纵型溢流沟道结构，其布置在所述竖直转移寄存部分的与所述水平转移寄存部分相邻的最终段处。

公开(公告)号：CN101237532B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810000267.5

申请日：2008-01-30

申请人： 索尼株式会社

发明人： 泷口亮 ,  沼口将吾 ,  田中弘明 ,  广田功

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14818 ,  H01L27/14837 ,  H04N5/335 ,  H04N5/372

摘要： 本发明提供了固态成像器件和固态成像装置。该成像器件包括成像部分、水平转移部分、输出部件、第一基准电势施加装置和第二基准电势施加装置，所述成像部件包括光接收部分和垂直转移寄存器，所述输出部件用于输出从电荷转换而成的电信号，所述电荷是从水平转移部分转移而来的。成像部分、水平转移部分和输出部件被形成在具有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体基片中，基准电势被施加到第二导电类型半导体区域。第一基准电势施加装置向与形成输出部件的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。第二基准电势施加装置向与形成成像部分的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。

公开(公告)号：CN101627475A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780052071.4

申请日：2007-12-26

申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司

发明人： 舛冈富士雄 ,  中村广记

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14837 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法，提供一种减少读出沟道的面积，且受光部(光电二极管)的表面积相对于一像素的面积的比例较大的CCD固体摄像元件。提供一种固体摄像元件，其特征在于，包括：第1导电型半导体层；形成在第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层；形成在第1导电型柱状半导体层的上部，且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域；以及与第1导电型柱状半导体的上端隔着规定间隔而形成在第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域，在第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极，在传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域，在第2导电型光电转换区域与第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。

公开(公告)号：CN100568521C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200710148547.6

申请日：2007-08-29

申请人： 索尼株式会社

发明人： 神户秀夫

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H04N5/3728 ,  H01L27/14837 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378

摘要： 本发明公开了一种固态成像装置和成像设备。该固态成像装置包括信号电荷检测单元，将信号电荷转换为电压以被输出，信号电荷通过光电转换入射光而获得，其中信号电荷检测单元在固态成像装置的输出栅极和复位栅极之间的沟道区上方通过绝缘膜设置具有碳纳米管沟道的驱动晶体管。

公开(公告)号：CN101627475B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200780052071.4

申请日：2007-12-26

申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司

发明人： 舛冈富士雄 ,  中村广记

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14837 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种固体摄像元件、固体摄像装置及其制造方法，提供一种减少读出沟道的面积，且受光部(光电二极管)的表面积相对于一像素的面积的比例较大的CCD固体摄像元件。提供一种固体摄像元件，其特征在于，包括：第1导电型半导体层；形成在第1导电型半导体层上的第1导电型柱状半导体层；形成在第1导电型柱状半导体层的上部，且电荷量根据受光的不同而变化的第2导电型光电转换区域；以及与第1导电型柱状半导体的上端隔着规定间隔而形成在第2导电型光电转换区域的表面的第1导电型高浓度杂质区域，在第1导电型柱状半导体层的侧面隔着栅极绝缘膜而形成有传送电极，在传送电极的下方形成有第2导电型CCD沟道区域，在第2导电型光电转换区域与第2导电型CCD沟道区域所夹着的区域形成有读出沟道。

公开(公告)号：CN100382327C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410071405.0

申请日：2004-04-02

申请人： 索尼株式会社

发明人： 北野良昭 ,  唐泽信浩 ,  黑岩淳 ,  阿部秀司 ,  佐藤充 ,  大木洋昭

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14843 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14837

摘要： 一种固态图像拾取装置，包括：位于一衬底上的用于接收入射光以进行光电转换的多个光电转换区域；一读取栅，用于读取来自光电转换区域的信号电荷；和一转移寄存器(垂直寄存器)，用于转移由读取栅读取的信号电荷。其中，在所述衬底的表面侧上形成有一个凹槽，和所述转移寄存器和读取栅被形成在所述凹槽的底部处。根据这种结构，在所述固态图像拾取装置中，可实现拖影特性、读取电压、噪音等的减小。

公开(公告)号：CN1638137A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410100288.6

申请日：2004-12-10

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 东堤良仁

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N9/04 ,  H04N5/225 ,  H04N5/238

CPC分类号： H01L27/14837 ,  G01J2003/516 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/1485

摘要： 提供一种彩色摄像元件(12)，包括：引导入射光的红色过滤器(38)设置在光接收面上的用于选择输出红色信号的第一光电变换元件(22)；引导入射光的绿色过滤器(34)设置在光接收面上的用于选择输出绿色信号的第二光电变换元件(22)；引导入射光的蓝色过滤器(36)设置在光接收面上的用于选择输出蓝色信号的第三光电变换元件(18)；引导入射光的通过红色过滤器(38)和所述蓝色过滤器(36)重叠构成的红外光透射过滤器设置在光接收面上的、用于选择输出用来校正在所述第一～第三光电变换信号中包含的红外光成分的红外光信号的红外光成分光电变换元件(24)。这样，可以在高灵敏度下进行良好的颜色再现。

公开(公告)号：CN1571163A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410071405.0

申请日：2004-04-02

申请人： 索尼株式会社

发明人： 北野良昭 ,  唐泽信浩 ,  黑岩淳 ,  阿部秀司 ,  佐藤充 ,  大木洋昭

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14843 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14837

摘要： 一种固态图像拾取装置，包括：位于一衬底上的用于接收入射光以进行光电转换的多个光电转换区域；一读取栅，用于读取来自光电转换区域的信号电荷；和一转移寄存器(垂直寄存器)，用于转移由读取栅读取的信号电荷。其中，在所述衬底的表面侧上形成有一个凹槽，和所述转移寄存器和读取栅被形成在所述凹槽的底部处。根据这种结构，在所述固态图像拾取装置中，可实现拖影特性、读取电压、噪音等的减小。

公开(公告)号：CN101820506A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010141138.5

申请日：2008-01-30

申请人： 索尼公司

发明人： 泷口亮 ,  沼口将吾 ,  田中弘明 ,  广田功

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14818 ,  H01L27/14837 ,  H04N5/335 ,  H04N5/372

摘要： 本发明提供了固态成像器件和固态成像装置。该成像器件包括成像部分、水平转移部分、输出部件、第一基准电势施加装置和第二基准电势施加装置，所述成像部件包括光接收部分和垂直转移寄存器，所述输出部件用于输出从电荷转换而成的电信号，所述电荷是从水平转移部分转移而来的。成像部分、水平转移部分和输出部件被形成在具有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体基片中，基准电势被施加到第二导电类型半导体区域。第一基准电势施加装置向与形成输出部件的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。第二基准电势施加装置向与形成成像部分的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。

公开(公告)号：CN101237532A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810000267.5

申请日：2008-01-30

申请人： 索尼株式会社

发明人： 泷口亮 ,  沼口将吾 ,  田中弘明 ,  广田功

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L27/14818 ,  H01L27/14837 ,  H04N5/335 ,  H04N5/372

摘要： 本发明提供了固态成像器件和固态成像装置。该成像器件包括成像部分、水平转移部分、输出部件、第一基准电势施加装置和第二基准电势施加装置，所述成像部件包括光接收部分和垂直转移寄存器，所述输出部件用于输出从电荷转换而成的电信号，所述电荷是从水平转移部分转移而来的。成像部分、水平转移部分和输出部件被形成在具有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体基片中，基准电势被施加到第二导电类型半导体区域。第一基准电势施加装置向与形成输出部件的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。第二基准电势施加装置向与形成成像部分的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。