一种大功率波导负载
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106785282A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611119555.3

    申请日:2016-12-07

    IPC分类号: H01P1/26 H01P1/22

    CPC分类号: H01P1/26 H01P1/22

    摘要: 本发明公开了一种大功率波导负载,包括:连接法兰、过渡腔体、吸收体、后盖板和散热体;过渡腔体分别与连接法兰和散热体连接;后盖板与散热体远离所述过渡腔体的末端连接;吸收体设置在散热体的空腔内;吸收体包括:第一矩形陶瓷吸收片、第二矩形陶瓷吸收片、第一渐变陶瓷吸收片和第二渐变陶瓷吸收片;第一矩形陶瓷吸收片、第二矩形陶瓷吸收片、第一渐变陶瓷吸收片和第二渐变陶瓷吸收片的各个侧面闭合连接,连接后得到的吸收体的内部中空。通过本发明在实现波导负载大功率要求的基础上降低了吸收体结构的加工难度,提高了加工效率和整体装配的精确性。

    一种波导水负载
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105762474A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610130589.6

    申请日:2016-03-08

    发明人: 伍捍东 魏茂华

    IPC分类号: H01P1/26

    CPC分类号: H01P1/26

    摘要: 本发明提供一种波导水负载,属于电磁波传输技术领域,包括有水箱、一端开口的陶瓷管以及圆形波导,水箱的一端设有法兰盘,陶瓷管设置于所述水箱内,陶瓷管的开口端与法兰盘连接,圆形波导设置于陶瓷管内,圆形波导的一端穿过法兰盘的通孔伸出水箱外,圆形波导的管壁开有多个条形缝隙,水箱还设有进水口和出水口,圆形波导传输电磁波时,进水口与出水口共同配合形成水的流通通道。这种波导水负载的吸收比率高,反射驻波比小,通过水的流动将吸收的热量带出水箱外,避免了水负载自身产生过高的温度,并且通过在圆形波导管壁上开设多个条形缝隙,使得该种水负载对于TE01模电磁波不需要进行模式转换,直接馈入圆形波导中即可进行功率吸收。

    一种厚膜高频20瓦负载片及其生产方法

    公开(公告)号:CN106654490A

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201611038730.6

    申请日:2016-11-23

    发明人: 陈建良

    IPC分类号: H01P1/26 H01P11/00

    CPC分类号: H01P1/26 H01P11/00

    摘要: 本发明公开了一种厚膜高频20瓦负载片,包括一5×2.5×0.635mm的氮化铝基板(1),所述氮化铝基板的背面印刷背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有电阻(3)及导线(2),所述导线连接所述电阻形成负载电路,所述负载电路的接地端与背导层通过银浆电连接,所述电阻上印刷有玻璃保护膜(4),所述导线和玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜(5),印刷基板正面电阻的浆料采用粘度为50000‑55000cps的触变型浆料,通过400目的高精度钢丝网版印刷浆料,该负载片具有良好的VSWR性能,在5×2.5×0.635mm的氮化铝陶瓷基板上的功率达到20W,使用频率达到了20GMHz,不仅可以满足目前的4G网络应用要求,也可以满足将来5G网络的应用要求,并且本发明的生产工艺对保证产品的性能起到充分的保障作用。

    一种镍锌铁氧体基氮化钽薄膜微波负载及其制备方法

    公开(公告)号:CN105811066A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610168324.5

    申请日:2016-03-21

    摘要: 本发明涉及一种微波通信工程领域的微波负载,尤其是能够在常用旋磁材料上制备的,应用于高频段、高功率场合的氮化钽薄膜微波负载及其制备方法。通过在现有的镍锌铁氧体基氮化钽薄膜微波负载制作工艺中,首先对镍锌铁氧体基片进行表面处理,即利用中频磁控溅射的方法在基片表面镀上一层2?100微米厚的氮化铝薄膜缓冲层后,再进行其余工艺操作完成整个镍锌铁氧体基氮化钽薄膜微波负载的制备。本发明在拥有良好的频率特性的同时,其额定功率在10瓦到30瓦之间,满足微波通信领域对微波负载的高功率要求,并且氮化铝薄膜缓冲层的制备工艺成熟简单且与之前氮化钽薄膜微波负载的制备工艺可以很好的兼容。

    微波负载和制作方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105428768A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510999869.6

    申请日:2015-12-25

    IPC分类号: H01P1/26

    CPC分类号: H01P1/26

    摘要: 本发明提出一种微波负载和制作方法,涉及微波技术领域。其中,本发明的微波负载为长方体中空结构,金属材质,包括:吸收匹配段,位于微波负载靠近入口的一侧,内部两侧包括凸起高度从入口端沿长度方向平滑增加的金属片;均匀吸收段,与吸收匹配段相连,内部两侧包括凸起高度固定的金属片。这样的微波负载能够在常温工作环境下实现对S波段微波的高功率吸收,采用金属材质,对制作工艺要求较低,不易携带空气,且不易损坏,在优化吸收效果的同时,降低了制作和使用成本。

    具有平面层结构的高频电阻器及其特征阻抗的匹配方法

    公开(公告)号:CN101288134B

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN200680037957.7

    申请日:2006-10-09

    发明人: F·魏斯

    IPC分类号: H01C17/24 H01P1/26

    CPC分类号: H01P1/268 H01P1/26

    摘要: 本发明涉及高频电阻器,所述电阻器包括一平面层结构,该平面层结构在衬底(16)上具有用于将高频能量转变成热量的电阻层(10)、用于馈入高频能量的输入印制导线(12)和用于电连接到接地触点上的接地印制导线(14),其中输入印制导线电连接到电阻层的第一端(18)上,而接地印制导线电连接到电阻层的第二端(20)上,所述第二端与第一端相对,并且电阻层在垂直于高频能量电阻层上的传播方向(22)和垂直于平面层结构的法线(24)的方向上在第一端和第二端之间通过侧表面(26)界定,为了使波电阻与预定值匹配,电阻层具有至少一个切口(28),所述切口至少部分地减小电阻层的横截面。在此切口构造成与电阻层的侧表面间隔一定距离。本发明还涉及匹配高频电阻器的特征阻抗的方法。

    具有平面层结构的匹配式高频电阻器

    公开(公告)号:CN101288134A

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:CN200680037957.7

    申请日:2006-10-09

    发明人: F·魏斯

    IPC分类号: H01C17/24 H01P1/26

    CPC分类号: H01P1/268 H01P1/26

    摘要: 本发明涉及高频电阻器,尤其是高频终端电阻器,所述电阻器包括一平面层结构,该平面层结构在衬底(16)上具有用于将高频能量转变成热量的电阻层(10)、用于馈入高频能量的输入印制导线(12)和用于电连接到接地触点上的接地印制导线(14),其中输入印制导线(12)电连接到电阻层(10)的第一端(18)上,而接地印制导线(14)电连接到电阻层(10)的第二端(20)上,所述第二端(20)与第一端(18)相对,并且电阻层(10)在垂直于高频能量电阻层(10)上的传播方向(22)和垂直于平面层结构的法线(24)的方向上在第一端(18)和第二端(20)之间通过侧表面(26)界定,为了使波电阻与预定值匹配,电阻层(10)具有至少一个切口,所述切口至少部分地减小电阻层(10)的横截面。在此切口(28)构造成与电阻层(10)的侧表面(26)间隔一定距离。