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公开(公告)号:CN103261934B
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201180061426.2
申请日:2011-12-23
申请人: 阿尔卡特朗讯
IPC分类号: G02B6/38
CPC分类号: G02B6/4204 , G02B6/02042 , G02B6/4249 , H01S3/0637 , H01S3/06737 , H01S3/094019 , H01S3/1608 , H01S3/302
摘要: 一个方面提供一种光学装置。所述光学装置包括位于衬底的表面上的光耦合器的第一阵列及第二阵列、多个波导及多个泵耦合器。所述第一阵列的所述光耦合器能够以一对一方式端耦合到第一多芯光纤的光芯,所述第一多芯光纤具有面向且邻近于所述第一阵列及所述表面的末端。所述第二阵列的所述光耦合器能够以一对一方式端耦合到具有面向且邻近于所述第二阵列的末端的光芯。所述多个光波导以一对一方式将所述第一阵列的所述光耦合器连接到所述第二阵列的所述光耦合器。每一光波导具有在所述波导的末端之间连接到所述光波导的泵耦合器。
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公开(公告)号:CN100389334C
公开(公告)日:2008-05-21
申请号:CN03125050.5
申请日:2003-05-03
申请人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
CPC分类号: G02B6/132 , G02B6/138 , G02B2006/1215 , H01S3/0637 , H01S3/1608 , H01S3/178
摘要: 本发明揭示了一种掺稀土元素聚合物波导的制造方法,包括如下步骤:准备基片;在基片上旋转涂覆聚合物,形成下包层;在下包层上旋转涂覆由聚合物及可受激发光的稀土金属离子络合物组成的混合物,形成芯层;利用掩模板、紫外线曝光及蚀刻技术,形成至少一个信道波导;在信道波导及下包层暴露的部分上面旋转涂覆聚合物,形成上包层。本发明是利用稀土金属离子与有机化合物络合形成络合物,再将此络合物溶于聚合物中,从而增大了稀土金属离子在聚合物基质中的溶解度。为得到相同浓度的掺稀土金属离子的波导,本发明所需的稀土金属离子量与现有技术相比更少,因此可减少稀土金属离子的使用量,降低制造成本。
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公开(公告)号:CN1455273A
公开(公告)日:2003-11-12
申请号:CN03125050.5
申请日:2003-05-03
申请人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
CPC分类号: G02B6/132 , G02B6/138 , G02B2006/1215 , H01S3/0637 , H01S3/1608 , H01S3/178
摘要: 本发明揭示了一种掺稀土元素聚合物波导的制造方法,包括如下步骤:准备基片;在基片上旋转涂覆聚合物,形成下包层;在下包层上旋转涂覆由聚合物及可受激发光的稀土金属离子络合物组成的混合物,形成芯层;利用掩模板、紫外线曝光及蚀刻技术,形成至少一个信道波导;在信道波导及下包层暴露的部分上面旋转涂覆聚合物,形成上包层。本发明是利用稀土金属离子与有机化合物络合形成络合物,再将此络合物溶于聚合物中,从而增大了稀土金属离子在聚合物基质中的溶解度。为得到相同浓度的掺稀土金属离子的波导,本发明所需的稀土金属离子量与现有技术相比更少,因此可减少稀土金属离子的使用量,降低制造成本。
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公开(公告)号:CN104756329A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201280076475.8
申请日:2012-12-03
申请人: 三菱电机株式会社
IPC分类号: H01S3/063 , H01S3/0941
CPC分类号: H01S3/0941 , G02F1/377 , H01S3/0092 , H01S3/025 , H01S3/0405 , H01S3/042 , H01S3/0606 , H01S3/0612 , H01S3/0623 , H01S3/0625 , H01S3/0632 , H01S3/0637 , H01S3/08077 , H01S3/094038 , H01S3/109 , H01S3/1608 , H01S3/1618 , H01S3/1643 , H01S3/1653 , H01S3/1673 , H01S3/1685 , H01S3/1698 , H01S3/17 , H01S3/2383
摘要: 将透明部件(4)和激光介质(5)夹在第1包层(3-1)和第2包层(3-2)之间构成波导,使激励光(8)从与第1~第4激光振荡光(9-1~9-4)的光轴方向垂直的方向入射,并以仅在激光介质(5)内的谐振器模式区域中激励的方式,在透明部件(4)和激光介质(5)中交替地呈Z字状传播。
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公开(公告)号:CN103282811A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201180061075.5
申请日:2011-12-23
申请人: 阿尔卡特朗讯
CPC分类号: G02B6/4204 , G02B6/02042 , G02B6/4249 , H01S3/0637 , H01S3/06737 , H01S3/094019 , H01S3/1608 , H01S3/302
摘要: 一种光学装置包含衬底以及沿着所述衬底的平坦表面定位的光耦合器的第一和第二阵列。所述第一阵列的光耦合器沿着所述表面横向布置以便以一对一方式端耦合到第一多芯光纤的对应光芯,所述第一多芯光纤的末端面向且邻近于所述第一阵列。光耦合器的所述第二阵列中的光耦合器沿着所述表面横向布置以便以一对一方式端耦合到面向且邻近于所述第二阵列的一个或一个以上光纤末端的对应光纤芯。以光学方式连接光学切换器网络以选择性地将所述第一阵列的光耦合器中的一些以一对一方式耦合到所述第二阵列的光耦合器。
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公开(公告)号:CN101356655A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200680050370.X
申请日:2006-11-10
申请人: 康乃尔研究基金会有限公司
IPC分类号: H01L33/00
CPC分类号: H01S5/1071 , H01L33/24 , H01L33/28 , H01S3/0632 , H01S3/0637 , H01S3/083 , H01S3/0933
摘要: 一个场致发光材料缝隙波导(110)响应电流注入产生光。在一个实施方案中,该波导(110)组成如环形共振腔(100)波导或分布式布拉格反射器等光学共振腔的一部分,所述光学共振腔带有用于电激发的阳极(130,135)以及阴极(140)。可以形成一个用于硅微光子器件的紧凑的电驱动的共振腔发光器件(RCLED)。为了发射不同波长的光,可以利用几个不同的稀土离子,如铒、铽和镱来掺杂二氧化硅。
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公开(公告)号:CN101326690A
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN200680045961.8
申请日:2006-11-23
申请人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人: H·莫恩克
IPC分类号: H01S3/063 , H01S3/0941 , H01S3/08 , H01S3/16 , H01S3/17
CPC分类号: H01S3/0632 , H01S3/0617 , H01S3/0637 , H01S3/09415 , H01S3/1608 , H01S3/173
摘要: 本发明涉及一种光泵浦波导激光器(2),这种光泵浦波导激光器(2)包括波导,这种波导带有光学传播层(3、4)和两个谐振器镜(6、7)。这种传播层(3、4)包括至少沿着波导的节段的增益介质,这种增益介质允许入射泵浦光的上变换或下变换。这种泵浦光至少部分地透过锥形谐振器镜中的至少一个,以允许这种波导激光器穿过波导的第一端面(8)的端面泵浦。传播层(3、4)的几何厚度在波导的第一节段中减小,这种波导的第一节段从第一端面(8)开始到第二端面(9),从而在朝向第二端面(9)在第一节段中传播时增加入射泵浦光的能量密度。在所提出的波导激光器中,将泵浦光聚集在波导的第一节段中,从而导致更高的能量密度,这种更高的能量密度降低了激光阈值并提高了效率。这种传播层(3、4)由折射指数低于传播层(3、4)的材料的折射指数的覆层(5)包围。
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公开(公告)号:CN100407526C
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200610008938.3
申请日:2006-01-11
申请人: 日本电气株式会社
CPC分类号: G02B6/12007 , H01S3/0637 , H01S5/1032 , H01S5/142
摘要: 提供一种包括具有多个允许稳定波长控制的参数的多重谐振器的外部谐振器,以及一种包括这样的外部谐振器的可变波长光源。该外部谐振器是由第一到第三环形谐振器构成的多重谐振器,第一到第三环形谐振器的各个环形谐振器具有不同的光程长并且经由光耦合装置串联连接。该多重谐振器的参数在下列方程式中限定,其中L0是第一谐振器的光程长,L1是第二谐振器的光程长,L2是第三谐振器的光程长,并且M1和M2是3或大于3的整数,这些方程限定如下:L1={M1/(M1-1)}L0… ,L2={M2/(M2-1)}L0… ,M2-1=(M1-1)2… 。
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公开(公告)号:CN106415345B
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201580027383.4
申请日:2015-01-09
申请人: 三菱电机株式会社
CPC分类号: H01S3/1317 , G02B6/4266 , G02B6/4293 , G02B6/43 , H01S3/0632 , H01S3/0637 , H01S3/08054 , H01S3/1028 , H01S3/1603 , H01S3/163 , H01S3/17
摘要: 本发明的目的在于,提供一种能够放宽在光学装置中使用的光波导的制作条件的光学装置。光学装置(500)具有:光波导(200),其具有被光学耦合的芯区及包层;以及温度控制单元(600),其控制光波导的温度,光波导具有以如下方式形成的所述芯区及所述包层:在芯区的折射率表现为比包层的折射率大的折射率的温度范围内,针对在光波导中传播的光规定的归一化频率跨越由光波导的构造决定的导模的截止频率而变化。温度控制单元构成为,在如下的温度范围中控制光波导的温度,该温度范围跨越归一化频率与截止频率相等的温度。
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公开(公告)号:CN104040419A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201380005075.2
申请日:2013-03-08
申请人: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号: G02F1/365
CPC分类号: G02B6/1225 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02F1/025 , G02F1/365 , G02F2202/10 , G02F2202/32 , G02F2203/15 , H01S3/0635 , H01S3/0637 , H01S3/09415 , H01S3/30
摘要: 本发明提供一种拉曼散射光增强设备。在半导体基板中形成有空孔(20a)的光子结晶(20)中,相对于入射光具备以多个频率具有共振模式的波导,一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等,并且设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向,以使得通过所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。
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