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公开(公告)号：CN105406823A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510964758.1
申请日：2015-12-21
申请人： 东南大学
CPC分类号： H03F1/223 , H03F3/245 , H03F3/45188 , H03F2200/513 , H03F2203/45292 , H03F2203/45302
摘要： 本发明公开了一种双负反馈前馈共栅结构的差分跨阻放大器电路，包括一对单元电路，所述一对单元电路的输入信号相反，对称连接设置；所述单元电路包括第一反馈环路、第二反馈环路和前馈环路。本发明采用两个负反馈环路降低等效输入电阻，进而可以减小对于前端光电探测器寄生电容的敏感度，从而提高整个跨阻放大器的工作带宽；且整个电路没有采用任何电感，因此集成度较高，具有成本低，功耗低，带宽高的优势。
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公开(公告)号：CN102820859B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210171148.2
申请日：2012-05-29
申请人： 全视科技有限公司
IPC分类号： H03F3/45 , H03K19/0175
CPC分类号： H03F3/45237 , G05F1/56 , H03F3/45654 , H03F2200/411 , H03F2200/453 , H03F2200/555 , H03F2203/45112 , H03F2203/45154 , H03F2203/45292 , H03F2203/45352 , H03F2203/45374 , H03F2203/45418 , H03K19/018528 , H04L25/0276
摘要： 本发明涉及提供用于高速及低电压共模驱动器的复制偏置电路的技术。在一实施例中，前置驱动器经耦合以将驱动器输入电压提供到驱动器，所述驱动器包含经耦合以基于所述驱动器输入电压提供差分输出的输出信号的一组电路元件。在另一实施例中，调节器电路经耦合以将经调节电力提供到所述前置驱动器及所述驱动器，其中所述调节器电路包含具有第一组电路元件的复制的比例复制电路。
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公开(公告)号：CN105429599A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510963887.9
申请日：2015-12-21
申请人： 东南大学
CPC分类号： H03F1/223 , H03F3/245 , H03F3/45188 , H03F2200/513 , H03F2203/45292 , H03F2203/45302
摘要： 本发明公开了一种具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路，包括前馈共栅跨阻放大器电路和有源电感电路；所述前馈共栅跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感电路后，连接电压电源；所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4。本发明采用的是有源电感的结构，缓解了跨阻增益与带宽之间的制约关系。在相同工作带宽的同时可以获得更大的跨阻增益。因为采用的是有源电感，并没有增大版图的面积。
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公开(公告)号：CN102957386A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110241731.1
申请日：2011-08-19
申请人： 凹凸电子(武汉)有限公司
发明人： 汤小虎
CPC分类号： H03F3/45192 , G01R31/3658 , H03F1/0211 , H03F1/523 , H03F3/3023 , H03F3/45475 , H03F2200/411 , H03F2200/516 , H03F2203/30033 , H03F2203/45292 , H03F2203/45302 , H03F2203/45454 , H03F2203/45466 , H03F2203/45476 , H03F2203/45616
摘要： 一种对电光源进行控制的运算放大器以及电池管理系统，该运算放大器包括输入级和输出级，输入级包括：第一电流源，用于产生第一偏置电流；差分输入电路，用于接收所述第一偏置电流以及差分输入信号，并将所述差分输入信号转换为差分输入电流，其中，输入级通过第一电源供电电压供电；输出级包括：负载电路，与所述差分输入电路相连，用于接收所述差分输入电流并输出单端输出信号，其中，输出级通过第二电源供电电压供电，所述第二电源供电电压小于所述第一电源供电电压。本发明提供的运算放大器以及电池管理系统，通过使用不同的电源供电电压供电，无需额外的电平转换电路，因此减小了运算放大器的面积，降低了运算放大器的成本以及功耗。
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公开(公告)号：CN102365820A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080014652.0
申请日：2010-02-24
申请人： 标准微系统公司
发明人： M·J·拜尔
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F3/45654 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/78 , H03F2203/45008 , H03F2203/45074 , H03F2203/45292 , H03F2203/45418 , H03F2203/45424 , H03F2203/45631 , H04L25/0276
摘要： 一种用于快速稳定输出缓冲的系统和方法。差分驱动器电路具备放大级，该放大级用于接收差分输入信号并基于该输入信号产生差分输出。差分输出具有相应的共模(CM)电压水平，典型地，基于电源值的一半。共模反馈缓冲(CMFB)级检测CM电压水平的变化，并且，基于超高的总线频率，在非常快的稳固时间内将CM电压水平恢复到它的期望值。CMFB级使用仅包含单设备的拓扑结构。在一个实施例中，单设备是作为跨阻抗级而使用的n型金属氧化物半导体晶体管。CMFB级内部的电流偏置级和分路电容器提供稳定性。
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公开(公告)号：CN101068106B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200710101068.9
申请日：2007-04-26
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H03F1/223 , H03F3/45192 , H03F3/45632 , H03F2200/513 , H03F2203/45052 , H03F2203/45292 , H03F2203/45302 , H03F2203/45652
摘要： 一种稳压共源共栅放大电路，包括：第一PMOS FET和第二PMOS FET，其串联连接在接收第一供电电压的第一端和输出端之间；第一NMOS FET和第二NMOS FET，其串联连接在输出端和接收第二供电电压的第二端之间；以及稳压电路。稳压电路基于第一PMOS FET的漏极的电压，将用于稳定在第一PMOSFET的漏极的电压的第一控制信号输出到第二PMOS FET的栅极，并基于第一NMOS FET的源极的电压，将用于稳定在第一NMOS FET的源极中电压变化的第二控制信号输出到第一NMOS FET的栅极。
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公开(公告)号：CN101409533B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200810088415.3
申请日：2008-03-26
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H03F3/45201 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0043 , H03F1/3211 , H03F3/195 , H03F3/45179 , H03F2200/451 , H03F2203/45292 , H03F2203/45318 , H03F2203/45322 , H03F2203/45366 , H03F2203/45394 , H03F2203/45544 , H03F2203/45638
摘要： 一种将输入电压转换为输出电流的跨导器，包括：由输入电压和驱动电流提供输出电流的初级跨导级；与该初级跨导级串联耦接以便由输入电压产生驱动电流的自适应跨导级；以及耦接为向初级跨导级提供初级偏置电压以及向自适应跨导级提供自适应偏置电压的偏置电路。
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公开(公告)号：CN100553124C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710091436.6
申请日：2007-03-28
申请人： 株式会社理光
发明人： 安达幸一郎
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45219 , H03F3/3022 , H03F2203/45028 , H03F2203/45236 , H03F2203/45292 , H03F2203/45366
摘要： 所公开的运算放大器包括：一对差分级；共源共栅放大器级；以及输出级。构成输出级的输出晶体管的阈值电压高于其它晶体管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN106575945A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580042656.2
申请日：2015-06-15
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/505 , H03F1/0272 , H03F3/45183 , H03F3/4565 , H03F3/45708 , H03F2200/453 , H03F2200/78 , H03F2203/45292 , H03F2203/45416 , H03F2203/45418 , H03F2203/45424 , H03F2203/45594 , H03F2203/45604 , H03F2203/45664 , H03F2203/45702 , H04L25/0276
摘要： 本文描述了用于将信号从小信号格式转换成轨到轨格式的诸技术。在一个实施例中，一种接收机包括：电压电平移位器，其被配置成将差分信号的共模电压移位以获得经电平移位的差分信号；放大器，其被配置成将经电平移位的差分信号放大成经放大的差分信号；以及驱动器级，其被配置成将经放大的差分信号转换成轨到轨信号。该接收机还包括共模反馈电路，其被配置成：生成与放大器的输出共模电压成比例的反馈电压，并基于反馈电压与参考电压之差来生成用于输入到放大器的偏置电压，其中，放大器的输出共模电压取决于该偏置电压。
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公开(公告)号：CN104335485B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201380028590.2
申请日：2013-05-30
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04B17/0062 , G01R21/10 , G01R21/14 , G01R29/0871 , H03F3/245 , H03F3/45183 , H03F3/45188 , H03F2200/447 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/465 , H03F2203/45112 , H03F2203/45156 , H03F2203/45292 , H03F2203/45302 , H03F2203/45481 , H03G1/04 , H03G3/3036 , H04B17/21
摘要： 公开了具有温度补偿且具有改进的随温度的准确性的功率检测器。通过改变功率检测器内的MOS晶体管的栅极电压和漏极电压两者来减小功率检测器增益随温度的变化。在示例性设计中，一种装置包括至少一个MOS晶体管(320)，该至少一个MOS晶体管接收输入信号(V输入)，基于功率检测增益来检测该输入信号(V输入)的功率，以及提供指示该输入信号(V输入)的功率的输出信号(l输出)。该至少一个MOS晶体管(320)被施加可变栅极偏置电压和可变漏极偏置电压，以减小功率检测增益随温度的变化。至少一个附加MOS晶体管(322)可以接收第二可变栅极偏置电压，并且提供用于该至少一个MOS晶体管的可变漏极偏置电压。
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