-
公开(公告)号：CN101651447A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910162605.X
申请日：2009-08-13
申请人： 意法半导体(格勒诺布尔)公司
IPC分类号： H03F1/32
CPC分类号： H03F3/3027 , H03F1/0261 , H03F1/308 , H03F1/3205 , H03F1/3217 , H03F1/342 , H03F2200/135 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/513
摘要： 本发明涉及一种放大器，其具有输出级，该输出级具有一对互补的第一和第二晶体管(106，108)，每个晶体管耦合到该放大器的输出节点(104)；控制电路(110，114，116，118)，布置以基于该放大器的输入节点(102)处的电压在该第一晶体管的控制节点处提供控制信号；和调节电路(210)，布置以调节该控制信号，以保持通过该第一晶体管的电流在最小值(I MIN )以上。
-
公开(公告)号：CN1751433A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004288.4
申请日：2004-01-30
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人： J·B·胡赫斯
CPC分类号： H03F3/3027
摘要： 一种甲乙类跨导电路，包括互补的PMOS和NMOS晶体管(10，12)，所述互补PMOS和NMOS晶体管的源极－漏极路径被串联连接在第一和第二电压源轨(14，16)之间。一个输出端(20)被耦合到所述串联连接的源极－漏极路径的结点。所述PMOS和NMOS晶体管的栅极电极分别通过所述第一和第二路径被耦合到一个输入端(18)，其中第一和第二路径中的每一个包括第一和第二偏置电压源(32，34)。所述PMOS和NMOS的静态栅极电压由第一和第二偏置电压源的相等且反向的电压(Vb)从静态输入电压偏移，从而通过所述偏置电压源的值来减小PMOS和NMOS晶体管的表面阈值电压(V1’)。也公开了平衡甲乙类跨导电路。
-
公开(公告)号：CN1088288C
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN98119906.2
申请日：1998-09-04
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 加藤文彦
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45278 , H03F3/3008 , H03F3/3027 , H03F3/4521 , H03F2203/45454 , H03F2203/45658 , H03F2203/45674
摘要： 本发明的目的是不增加消耗电流而能够迅速地得到上升输出信号或者下降输出信号。本发明的运算放大器包括独立地与恒流源I1、I2并联连接的N型场效应晶体管M15、P型场效应晶体管M16，与输出级的P型场效应晶体管M13、N型场效应晶体管M14的栅极中所输入的输入级的输出及其电平移动信号相对应，来单独地并列控制提供给由P型场效应晶体管M5、M6组成的差动晶体管对和由N型场效应晶体管M1、M2组成的差动晶体管对的各偏置电流。
-
公开(公告)号：CN101651447B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN200910162605.X
申请日：2009-08-13
申请人： 意法半导体(格勒诺布尔)公司
IPC分类号： H03F1/32
CPC分类号： H03F3/3027 , H03F1/0261 , H03F1/308 , H03F1/3205 , H03F1/3217 , H03F1/342 , H03F2200/135 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/513
摘要： 本发明涉及一种放大器，其具有输出级，该输出级具有一对互补的第一和第二晶体管(106，108)，每个晶体管耦合到该放大器的输出节点(104)；控制电路(110，114，116，118)，布置以基于该放大器的输入节点(102)处的电压在该第一晶体管的控制节点处提供控制信号；和调节电路(210)，布置以调节该控制信号，以保持通过该第一晶体管的电流在最小值(IMIN)以上。
-
公开(公告)号：CN102549917A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080046184.5
申请日：2010-10-15
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 维贾雅库马尔·哈纳斯凯伦
IPC分类号： H03F1/30
CPC分类号： H03F1/308 , H03F3/3027 , H03F2200/447
摘要： 本发明提供用于产生AB类放大器的偏压电压的技术，所述AB类放大器具有第一有源晶体管及第二有源晶体管。在示范性实施例中，二极管耦合式第一晶体管支持第一电流，且所述第一晶体管的栅极电压耦合到所述第一有源晶体管的栅极电压。将所述第一电流分成第二电流及由第二晶体管支持的第一辅助电流，用所述AB类放大器的所要共模输出电压对所述第二晶体管加偏压。所述第一辅助电流进一步与将由第三晶体管支持的第三电流组合，其中所述第三晶体管经配置以复制所述第二有源晶体管的特性。此外，提供用于将所述第三晶体管的漏极电压设定成接近于所述共模输出电压的技术。可使用本文中所描述的技术为AB类放大器中的NMOS有源晶体管及/或PMOS有源晶体管提供偏压电压。
-
公开(公告)号：CN102549917B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201080046184.5
申请日：2010-10-15
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 维贾雅库马尔·哈纳斯凯伦
IPC分类号： H03F1/30
CPC分类号： H03F1/308 , H03F3/3027 , H03F2200/447
摘要： 本发明提供用于产生AB类放大器的偏压电压的技术，所述AB类放大器具有第一有源晶体管及第二有源晶体管。在示范性实施例中，二极管耦合式第一晶体管支持第一电流，且所述第一晶体管的栅极电压耦合到所述第一有源晶体管的栅极电压。将所述第一电流分成第二电流及由第二晶体管支持的第一辅助电流，用所述AB类放大器的所要共模输出电压对所述第二晶体管加偏压。所述第一辅助电流进一步与将由第三晶体管支持的第三电流组合，其中所述第三晶体管经配置以复制所述第二有源晶体管的特性。此外，提供用于将所述第三晶体管的漏极电压设定成接近于所述共模输出电压的技术。可使用本文中所描述的技术为AB类放大器中的NMOS有源晶体管及/或PMOS有源晶体管提供偏压电压。
-
公开(公告)号：CN1211855A
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：CN98119906.2
申请日：1998-09-04
申请人： 日本电气株式会社
发明人： 加藤文彦
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45278 , H03F3/3008 , H03F3/3027 , H03F3/4521 , H03F2203/45454 , H03F2203/45658 , H03F2203/45674
摘要： 本发明的目的是不增加消耗电流而能够迅速地得到上升输出信号或者下降输出信号。本发明的运算放大器包括独立地与恒流源I1、I2并联连接的N型场效应晶体管M15、P型场效应晶体管M16,与输出级的P型场效应晶体管M13、N型场效应晶体管M14的栅极中所输入的输入级的输出及其电平移动信号相对应,来单独地并列控制提供给由P型场效应晶体管M5、M6组成的差动晶体管对和由N型场效应晶体管M1、M2组成的差动晶体管对的各偏置电流。
-
-
-
-
-
-
搜索结果
7 条记录 (耗时 0.01 秒)
