公开(公告)号：CN1327283C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200410054429.5

申请日：2000-06-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  山本一宇 ,  小沼利光

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。

公开(公告)号：CN1577016A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410054429.5

申请日：2000-06-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  山本一宇 ,  小沼利光

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。

公开(公告)号：CN100595932C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200510055941.6

申请日：2000-06-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  山本一宇 ,  小沼利光

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  G09G3/30

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。

公开(公告)号：CN1662106A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510055941.6

申请日：2000-06-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  小山润 ,  山本一宇 ,  小沼利光

IPC分类号： H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05K7/00

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的是提供一种具有高工作性能和可靠性的EL显示装置。开关TFT(201)形成在具有多栅极结构的像素中，多栅极结构是一种把重要性关注在减少关断电流值的结构。而且，电流控制TFT(202)具有比开关TFT更宽的沟道宽度，以制成适合于电流流动的结构。此外，形成有电流控制TFT(202)的LDD区域(33)以便重叠一栅极(35)的一部分，从而制成一种关注于防止热载波信号注入和降低关断电流值的结构。