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公开(公告)号：CN117666709A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311403649.3
申请日：2017-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括大显示区域并提高可携带性的电子设备。此外，还提供提高可靠性的电子设备。本发明的一个方式是一种数据处理装置，包括第一薄膜及面板衬底，至少包括第一框体。面板衬底具有柔性并包括显示区域，第一薄膜具有柔性及可见光透过性。第一框体包括第一狭缝，面板衬底包括夹在第一薄膜和第二薄膜之间的区域，第一狭缝具有容纳该区域的功能，面板衬底和第一薄膜中任一个或两个能够沿着第一狭缝滑动。
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公开(公告)号：CN107947763B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201711425966.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: H03K3/012 , G11C5/14 , G11C8/04 , H01L21/8258 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/12 , H01L29/04 , H01L29/786 , H03K3/037 , H03K19/00
Abstract: 本申请涉及半导体集成电路。降低半导体集成电路的耗电量，并降低半导体集成电路中的工作延迟。包括在存储电路中的多个时序电路分别包括：晶体管，该晶体管的沟道形成区使用氧化物半导体形成；以及电容器，该电容器的一个电极电连接到当所述晶体管截止时成为浮动状态的节点。通过将氧化物半导体用于晶体管的沟道形成区，可以实现断态电流(泄漏电流)极小的晶体管。因此，通过在不向存储电路供应电源电压的期间中使该晶体管截止，可以将该期间中的与电容器的一个电极电连接的节点的电位保持为恒定或大致恒定。结果，可以实现上述目的。
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公开(公告)号：CN110908203A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911225746.1
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN110824800A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911225794.0
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786 , G09G5/18
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN105513644B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201610068680.X
申请日：2010-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器。本发明的目的是提供包括正常导通的薄膜晶体管的驱动器电路，其中该驱动器电路确保了故障少的且高可靠性的操作。该驱动器电路包括包含具有第一晶体管和第二晶体管的反相器电路以及具有第三晶体管的开关的静态移位寄存器。第一至第三晶体管各自包括包含氧化物半导体的半导体层并且是耗尽模式晶体管。用于驱动第三晶体管的时钟信号的振幅电压高于用于驱动反相器电路的电源电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702631B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610231158.9
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C11/402 , G11C11/405
CPC classification number: H01L27/105 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , H01L21/84 , H01L27/108 , H01L27/11517 , H01L27/1156 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/13
Abstract: 本发明的半导体器件，包括源极线、位线、第一信号线、第二信号线、字线、并联连接在该源极线和位线之间的存储单元、电连接至该源极线和位线的第一驱动器电路、电连接至第一信号线的第二驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、以及电连接至字线的第四驱动器电路。该存储单元包括包含第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管，包含第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管、以及电容器。第二晶体管包括氧化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN106026245B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201610422736.7
申请日：2011-02-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及一种汽车。本发明的目的之一是提供可以减少以无线方式从馈电设备向移动体供电时的电力损耗的移动体结构。此外，本发明的目的之一是提供能够将辐射到周围的电波的强度抑制得低的移动体结构。在具有多个天线的移动体中接收从馈电设备发送的电波。上述多个天线中的至少一个设置成与移动体中的其它天线分离。而且，使用所有上述多个天线接收从馈电设备发送的电波，并将它们转换为电能。或者，使用选自上述多个天线中的任一个或多个接收从馈电设备发送的电波，并将它们转换为电能。
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公开(公告)号：CN109037207A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810867703.2
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/0296 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：像素部；设置在像素部的外侧的驱动电路部；以及与像素部和驱动电路部中的一方或双方连接且包括一对电极的保护电路，其中，像素部包括配置为矩阵状的像素电极和与像素电极电连接的晶体管，晶体管包括包含氮和硅的第一绝缘层和包含氧、氮和硅的第二绝缘层，并且，保护电路在一对电极之间具有第一绝缘层。
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公开(公告)号：CN103794612B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410074885.X
申请日：2010-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1207 , H01L27/1225
Abstract: 本发明的目的是提供具有新结构的半导体装置。公开了半导体装置，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。
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公开(公告)号：CN103913707B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310739246.6
申请日：2013-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01R31/3617 , G01R1/203 , G01R19/25 , G01R31/3613 , G01R31/3696
Abstract: 本发明提供一种用于测量二次电池的充电电容等的库仑计。在二次电池的充电或者放电中所产生的电流通过电阻器转换为电压，并由放大电路进行放大。由放大电路放大后的电压被电压电流转换电路转换为电流，并输入到累积加法电路。累积加法电路利用从电压电流转换电路输入的电流对电容元件充电，并生成对应于电容元件中所产生的电压的信号。该电容元件的一个端子通过开关连接到电压电流电路的输出端，另一个端子被施加恒电位。通过开关的导通和截止对电容元件的电荷的供应和该电荷的保持进行控制。
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