羟基镓酞菁化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN1075831C

    公开(公告)日:2001-12-05

    申请号:CN97111270.3

    申请日:1997-04-25

    发明人: 田中正人

    IPC分类号: C09B67/50 G03G5/09

    摘要: 对半导体激光器发射的长波光呈现高感光性和在重复使用时电位变化小的电照相感光元件是通过用一种晶型的特征在于CuKα特征X射线衍射图中最强峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)的羟基镓酞菁作为电荷生成材料来形成的。这种羟基镓酞菁优选地是通过下面方法制备的,包括处理卤代镓酞菁以转换成水合羟基镓酞菁,将水合羟基镓酞菁冷冻干燥成低结晶度的羟基镓酞菁,和研磨该低结晶度的羟基镓酞菁。

    电照相感光元件、电照相设备和处理盒

    公开(公告)号:CN100380236C

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN01121638.7

    申请日:1997-04-25

    发明人: 田中正人

    IPC分类号: G03G5/09 C09B67/50

    摘要: 对半导体激光器发射的长波光呈现高感光性和在重复使用时电位变化小的电照相感光元件是通过用一种晶型的特征在于CuKα特征X射线衍射图中最强峰的布拉格角在28.1度(2θ±0.2度)的羟基镓酞菁作为电荷生成材料来形成的。这种羟基镓酞菁优选地是通过下面方法制备的,包括处理卤代镓酞菁以转换成水合羟基镓酞菁,将水合羟基镓酞菁冷冻干燥成低结晶度的羟基镓酞菁,和研磨该低结晶度的羟基镓酞菁。