用于读取信息的读取方法

    公开(公告)号:CN111223499B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202010019399.3

    申请日:2015-03-02

    摘要: 本发明公开了一种用于利用激光从具有多个记录层的光盘读取信息的读取方法。本发明的一实施形态的光盘至少具备有3层记录层,该记录层在信息轨道记录信息。记录层具备有:位于内周侧的内周侧区域;相对内周侧区域位于外周侧、且记录内容信息的数据区域;及相对数据区域位于外周侧的外周侧区域。内容信息被记录在3层以上的记录层的数据区域,并且由朝向内周再生中的上层的内容信息再生切换成其下一层的内容信息的上层的点及下层的点被设定在数据区域的最内周位置的外侧。

    同轴式全息数据存储方法和存储装置

    公开(公告)号:CN111833912A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010677998.4

    申请日:2020-07-15

    申请人: 谭小地

    发明人: 谭小地

    摘要: 本发明属于信息数据存储技术领域,公开了同轴式全息数据存储方法和存储装置,所述存储方法在信息记录时包括:将参考光束为包围在信息光束外部的、且与信息光束同轴的环形参考光束,且参考光束和信息光束同轴;将参考光束和信息光束通过第一凸透镜在会聚点处会聚,第一凸透镜与参考光束和信息光束均同轴;将所述会聚点处放置记录媒体,以实现数据的三维全息记录;其实现对数据的三维全息记录,减少环境震动带来的影响,能利用二维调制数据页和二维图案的传输提高速率,利用三维存储提高密度,解决现有的全息存储方式的振动影响及传统光盘信息读取时的兼容等问题。

    以二次谐波为读写方式的多级相变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110459243A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910638968.X

    申请日:2019-07-16

    摘要: 本发明提供了一种以二次谐波为读写方式的多级相变存储器,包括非晶态的相变记录层,通过调节记录光作用于相变记录层的偏振方向,在相变记录层上形成不同晶粒取向的晶态记录点,利用探测光照射不同晶粒取向的晶态记录点,得到不同信号强度的二次谐波,从而完成数据读写。同时提供了一种以二次谐波为读写方式的多级相变存储器的制备方法。本发明以二次谐波为读出信号,能够达到多级存储的效果;通过调节记录光的不同偏振方向,使读出光二次谐波的强度不同,从而达到多级存储的目的;本发明既保存了传统相变存储器读出速度快、可擦写性好的特点;同时,由于其读出方式不是反射率,存储器中不需要反射层,其结构更为简单。

    用于光记录介质的记录层和光记录介质

    公开(公告)号:CN105793056B

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201480065179.7

    申请日:2014-11-19

    申请人: 索尼公司

    发明人: 曾根康宏

    摘要: 一种光记录介质,所述光记录介质包括透射型记录层,所述透射型记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物。金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种。金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种。金属MC是Zr。金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31。所述透射型记录层中的金属MC的含量不小于0.9原子%且不大于27.5原子%。

    一种基于分色反射层的全息存储装置

    公开(公告)号:CN107767887A

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201711273944.6

    申请日:2017-12-06

    发明人: 谭小地

    摘要: 本发明公开一种基于分色反射层的全息存储装置,包括光盘,光盘包括光盘基板,光盘基板上设置有记录光信息用的可变数据层,可变数据层的上面由下至上依次设置有地址层、分色反射层和记录层,其中分色反射层使得绿光全部反射,且使得红光透过并到达地址层,红光到达地址层,获得地址信息,其能够解决现有技术中所存在的无法实现对不同质量的存储材料改变其存储密度的问题,记录层上形成全息图像的位置由红色激光的伺服信号决定,实现全息光盘的存储密度调节,以实现光盘不同版本之间的上下兼容,提高光盘更新换代过程中其应用的可持续性。

    记录控制设备及方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103730138A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201310462872.5

    申请日:2013-09-30

    申请人: 索尼公司

    发明人: 仓冈知孝

    IPC分类号: G11B7/24035

    摘要: 本发明涉及记录控制设备及方法。提供了一种记录控制设备,其包括记录控制部,以及划分部,所述记录控制部通过向记录介质照射激光来控制对记录介质的数据记录,在没有将数据记录到两个连续记录范围中的一个的区域的情况下,通过在两个连续记录范围的另一侧上沿连接记录介质的中心和外周的方向,将与当从所述记录介质的激光入射表面观察时位于规定记录层的背面的所述记录层的两个相互相邻的连续记录范围的边界的位置相同的位置仅间隔规定距离的位置设置为所述规定记录层中的划分位置,所述划分部靠近所述边界划分所述规定记录层的连续记录范围。

    记录装置和记录方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103514911A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310250542.X

    申请日:2013-06-21

    申请人: 索尼公司

    发明人: 仓冈知孝

    IPC分类号: G11B7/24035 G11B7/24073

    摘要: 本发明公开了记录装置和记录方法,其中该记录装置包括:记录单元,被配置为在具有用作记录层的多个层的记录介质上执行信息的记录,其中信息的记录在记录层上执行,以及用作连续记录区域的轨迹形成在多个层中,并且在轨迹内执行数据的记录;以及控制单元,被配置为根据来自主机装置的请求,使记录单元对记录介质执行记录,并且在确定记录介质的特定层处于不能记录的状态的情况下,还使主机装置能够识别这个层中的所有轨迹处于不能记录的状态。

    基于纳米光刻光盘及其物理存储介质结构和写入读出方法

    公开(公告)号:CN111508533B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN201910093281.2

    申请日:2019-01-30

    发明人: 王中阳 张力

    摘要: 本发明提供基于纳米光刻光盘及其物理存储介质结构和写入读出方法,其中,根据纳米光刻信息写入方法的不同,基于纳米光刻光盘可分为:单光束光盘的物理存储介质结构和双光束光盘的物理存储介质结构;根据不同的光盘读取方法不同则可分为:1)多层介质膜反射光盘;2)超分辨荧光暗态光盘;3)双折射偏振光盘。本发明的技术方案结合基于纳米光刻光盘的读写方法可有效提高光盘信息读取速率和分辨能力,并极大地提升了光盘的存储密度和存储维度。

    基于纳米光刻光盘的偏振平衡测量读取方法及装置

    公开(公告)号:CN111508534B

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN201910093645.7

    申请日:2019-01-30

    发明人: 王中阳 张力

    摘要: 本发明提供一种基于纳米光刻光盘的偏振平衡测量读取方法及装置。通过采用纳米光刻方法进行超高密度光盘存储信息刻写,采用双折射刻写记录材料进行信息存储,采用光致双折射记录材料进行可擦除信息存储,可实现纳米光刻光盘的可擦除多次重复信息记录。读取方法则包括:偏振平衡测量读取方法进行光盘信息读取;采用数字信息编解码方法可实现光盘的多维存储信息的快速读取。本发明有利于缩小信息记录点的尺寸与间距,提升光盘的存储密度,实现光盘存储信息的稳定、长久存储,以及对超高密度光盘存储信息的有效、高速提取。