一种应用于回旋行波管的分布式辐射耦合损耗电路

    公开(公告)号:CN114512387A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202111658567.4

    申请日:2021-12-31

    IPC分类号: H01J23/54 H01J23/00

    摘要: 该发明公开了一种应用于回旋行波管的分布式辐射耦合损耗电路,属于微波、毫米波真空器件技术领域。本发明可以分别有效的抑制TE11模式的自激振荡和TE21模式的返波振荡。同时,因注‑波互作用产生的高功率电磁能量导入到菱形波导,可以被紧贴矩形波导两宽边侧壁的衰减材料吸收。并且紧贴矩形波导两宽边侧壁的连续衰减材料的表面积远远大于传统介质加载回旋行波管高频互作用电路中衰减陶瓷环的表面积,增加了散热面积,解决了传统介质加载回旋行波管介质加载段因吸收过量能量产生高温而过热出气的问题。因此,有效的提高了回旋行波管的注‑波互作用效率、稳定性和功率容量。

    一种能够抑制谐波的宽带折叠波导行波管

    公开(公告)号:CN107452582B

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201710700517.5

    申请日:2017-08-16

    IPC分类号: H01J25/34 H01J23/54

    摘要: 本发明公开了一种能够抑制谐波的宽带折叠波导行波管,包括电子枪、折叠波导慢波结构、磁聚焦结构、输入输出耦合结构和收集级;所述折叠波导慢波结构包括输入段和输出段,输入段和输出段分别由多个结构均匀的U型弯曲曲折波导相互链接而成,其中输入段的长度大于输出段的长度,输入段的结构周期大于输出段的结构周期;在输入段靠近输出段的位置,使任意连续的某几个U型弯曲曲折波导发生周期负跳变来抑制谐波。本发明在输入段均匀结构周期靠近输出段的位置,使连续的某几个U型弯曲曲折波导发生周期负跳变,对抑制谐波放大起到了很好的效果,并且增大了基波的输出功率,从而提升了折叠波导行波管的整管性能。

    杂散能量回收注入锁频磁控管微波发射系统

    公开(公告)号:CN104701117B

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201510109032.X

    申请日:2015-03-12

    申请人: 四川大学

    IPC分类号: H01J23/54 H01J25/50

    CPC分类号: H01J25/50

    摘要: 本发明涉及微波功率发生器。本发明公开了一种利用选频反射器来实现磁控管杂散能量回收利用,以较小的注入信号功率,满足大功率磁控管输出频率的锁定要求的微波发射系统。本发明的技术方案是,杂散能量回收注入锁频磁控管微波发射系统,包括n只磁控管及n个锁频装置,所述锁频装置向磁控管注入锁频信号,其特征在于,所述n个锁频装置与同一个微波源连接,所述磁控管输出端连接有选频反射器,将磁控管输出的杂散微波信号反射回磁控管,n≥1。本发明微波发射系统,制造简单,能够有效地实现磁控管输出信号杂散能量回收,降低注入信号功率,降低微波源的成本,从而降低整个微波发射系统的成本,特别适用于多只磁控管相干功率合成的应用场合。

    磁控管的阴极封盖
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102237241A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN201010159563.7

    申请日:2010-04-29

    发明人: 韩良柱

    IPC分类号: H01J23/54

    摘要: 一种磁控管的阴极封盖,设置在磁控管下磁极的下部,与磁控管的阳极外壳密封连接形成下部密封室,在阴极封盖内部即下部密封室中形成筒状的扼流壁,扼流壁与阴极封盖同轴,并且扼流壁围绕阴极封盖下部的开口与阴极封盖密封连接,在扼流壁与阴极封盖内壁间形成扼流槽。进入到阴极封盖中扼流壁和阴极封盖内壁之间形成的扼流槽的基本波整数倍的高频谐波容易在扼流槽出口的突起处发生反射,留在扼流槽内继续振荡衰减,直至转化为热量。因此对磁控管在工作时产生的谐波噪声和线传导噪声具有良好的屏蔽作用,能够降低磁控管对其周围设备的电磁干扰,同时也降低了磁控管工作时对操作人员的身体健康所带来的损害。

    磁控管装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101635244B

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:CN200910160534.X

    申请日:2009-07-22

    发明人: 土肥早百合

    IPC分类号: H01J25/50 H01J23/54

    CPC分类号: H01J23/15 H01J25/587

    摘要: 本发明提供一种磁控管,它既能缩小扼流圈的线径和磁芯的截面积,又能确保所期望的回热值,还能使滤波箱小型化。该磁控管装置的扼流圈(35)收纳于配置成覆盖磁控管主体(10)的阴极端子(33)的滤波箱(31)内,通过将具有磁芯(36a)的磁芯型电感器(36)和空芯型电感器(37)串联连接而形成,在该扼流圈(35)中,磁芯型电感器和空芯型电感器的线圈的线径为1.0~1.4mm,磁芯的截面积为5~16mm2,空芯型电感器的线圈的圈数T为55<2π((D+A)/2)T≤90,其中,线圈的线径:A(mm),磁芯直径:D(mm)。

    磁控管的扼流圈
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101452802B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200710032004.8

    申请日:2007-12-05

    发明人: 陈锦聪

    IPC分类号: H01J23/54 H01J25/50

    摘要: 一种磁控管的扼流圈,扼流圈连接在穿芯电容端子和阴极端子之间,扼流圈包括依次串接的第一磁芯电感器、第二磁芯电感器和第三磁芯电感器,第一磁芯设置在第一磁芯电感器的密集型绕线内,第二磁芯穿套在第二磁芯电感器的密集型绕线和第三磁芯电感器的密集型绕线内,第一磁芯和第二磁芯之间设置有间隙D1。第一磁芯电感器和第二磁芯电感器通过第一空心电感器的疏散型绕线相接。第二磁芯电感器和第三磁芯电感器通过第四磁芯电感器的疏散型绕线相接。本发明中的扼流圈由多段组合而成,故能形成多个滤波电路,能有效吸收磁控管的扼流圈电路中较低频段的杂波,延长磁芯的长度以利于更好的吸收0~1GHZ频段内的杂波。

    磁控管输出部的抗流体结构

    公开(公告)号:CN101178999B

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN200610129219.7

    申请日:2006-11-06

    发明人: 高圆

    IPC分类号: H01J23/54 H01J23/00 H01J25/50

    摘要: 本发明提供一种磁控管输出部的抗流体结构,包括抗流槽以及与抗流槽一体成型的圆形环面,该抗流槽为中空圆柱体,圆形环面组装在A封盖上;其改进之处在于,圆形环面对应两侧分别开设有半月形槽而构成具有半月形缺面的环面,两个半月形缺面的直线边相互平行,距圆柱体中心的距离在0mm至2mm之间,该圆形环面的弧形边固定在A封盖阶梯部向下0mm至2mm位置;其通过改变磁控管输出部抗流槽的结构及其安装位置,可在一个抗流体上同时抑制两种高次谐波,有效提高磁控管的抗电磁波干扰性能,改善磁控管的工作性能。

    一种用于回旋管放大器的高频结构和对中方法

    公开(公告)号:CN101908456A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200910085883.X

    申请日:2009-06-03

    IPC分类号: H01J23/36 H01J23/54 H01P3/127

    摘要: 一种用于回旋管放大器的高频结构,于加载圆波导上开有复数个耦合槽缝,各耦合槽缝方向上各自对应长方体衰减瓷,以吸收由耦合槽缝泄漏的高频场;加载圆波导和无加载圆波导上各开设有两个呈60°的对中孔;无加载圆波导的两侧圆周上开设的焊料槽。其对中方法,在加载圆波导的中心孔和其中一个对中孔内放入各自的对中杆,然后将无加载圆波导插入对中杆压紧,接着将另一个加载圆波导按照对中孔方向插入对中杆并压紧,接着顺着对中孔的方向插入另一个无加载圆波导,往后依次重复前面的操作,根据需要的衰减量来确定周期数和整个长度;整个圆波导压紧后,在焊料槽中放入焊料进行钎焊焊接。

    磁控管的扼流结构
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101640156A

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200810054042.8

    申请日:2008-08-01

    发明人: 李军

    IPC分类号: H01J23/15 H01J23/54 H01J25/50

    摘要: 一种磁控管的扼流结构,包括:设置于磁控管的正极外壳上部并形成上部密封室的天线封盖和密闭焊接于天线封盖内部并与天线封盖内壁共同形成扼流槽的筒状扼流壁;天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲,天线封盖与扼流壁共轴,扼流壁下部向其外侧均匀扩展突出,形成扩张部,扩张部与天线封盖内壁间的距离小于扼流壁其他位置与天线封盖内壁间的距离。大部分基本波整数倍的高频谐波尤其是第四、第五高频谐波容易在扼流槽出口处发生反射,不会轻易发散,从而留在扼流槽内继续振荡衰减,直至转化为热量。因此,减少了基本波整数倍的高频谐波向外界的发散量,减小了高频谐波对周围人体和电器元件的不利影响。

    磁控管
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100342478C

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN03806170.8

    申请日:2003-03-17

    IPC分类号: H01J25/50 H01J23/54

    CPC分类号: H01J23/54 H01J25/50

    摘要: 一种磁控管,包括具有至少一个叶片(3)的阳极(2),其中该阳极限定多个腔体。介质谐振器(7)设置成与至少一个叶片连接。介质谐振器包括损耗部分。该谐振器在使用中至少部分吸收在磁控管的预定工作模式所下产生的辐射,例如pi-1模式。如果传输,在pi-1模式中产生的功率将对其它电子器件进行干扰。谐振器可以具有陶瓷材料,如氧化铝。损耗材料可以包括含碳陶瓷。