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    电压可变增益放大电路
    2.
    发明授权
    电压可变增益放大电路 有权

    公开(公告)号：CN102969994B

    公开(公告)日：2017-06-13

    申请号：CN201210303484.8

    申请日：2012-08-23

    申请人： 半导体元件工业有限责任公司

    发明人： 河合多一郎 ,  户叶贵士

    IPC分类号： H03G3/20

    CPC分类号： H03G1/0035 ,  H03F3/45 ,  H03G1/0023 ,  H03G1/0029

    摘要： 本发明提供一种增益相对于增益控制电压线性且连续地变化的电压可变增益放大电路。电压可变增益放大电路(100)构成为包括第1差动放大器(1)、第2差动放大器(2)、增益控制电压电流变换电路(3)、及基准电流产生电路(4)。第1差动放大器(1)与第2差动放大器(2)串联连接。增益控制电压电流变换电路(3)将增益控制电压(VC)变换为相对于增益控制电压(VC)线性地变化的增益控制电流(IC)。构成为第1及第2差动输入晶体管(11、12)的漏极电流(Id1、Id2)相对于增益控制电流(IC)线性地变化。

    可编程增益MOS放大器
    5.
    发明授权
    可编程增益MOS放大器 有权

    公开(公告)号：CN101908863B

    公开(公告)日：2012-08-08

    申请号：CN200910169505.X

    申请日：2009-09-08

    申请人： 联发科技股份有限公司

    发明人： 李亦斌 ,  曾柏森

    IPC分类号： H03F3/16 ,  H03G1/00

    CPC分类号： H03G1/0023 ,  H03F1/223 ,  H03F3/72 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0029

    摘要： 提供一种可编程增益MOS放大器。所述可编程增益MOS放大器用于根据增益级别数据，于负载的第一端以可编程增益输出放大信号，可编程增益MOS放大器包含：多个增益供应器，每一增益供应器提供预设增益；以及多个增益调谐器，每一增益调谐器调整来自于多个增益供应器之中相应的增益供应器的预设增益，每一增益调谐器包含增益使能模块；当相应增益调谐器的增益使能模块的MOS晶体管由译码自增益级别数据的相应控制信号开启时，由多个增益供应器中之一提供的预设增益被加至可编程增益MOS放大器的可编程增益中。藉此，本发明可通过线性地调整控制数据而在dB域内线性地调整增益，用于高增益调整时，提供一种简单的机制，可节约所需的元件而增加了极大的便利。

    模拟乘法器
    6.
    发明授权
    模拟乘法器 失效 复审申请

    公开(公告)号：CN1855695B

    公开(公告)日：2012-04-25

    申请号：CN200610072733.1

    申请日：2006-04-06

    申请人： 阿尔卡特公司

    发明人： 德特勒夫·勒泽纳

    IPC分类号： H03C1/54 ,  H03D7/14 ,  H03D13/00

    CPC分类号： H03G1/0023

    摘要： 一种模拟乘法器电路，其具有基于输入系数电压的频率响应调整。该乘法器包括一个具有RF(射频)输入(Vin+，Vin-)和系数信号输入(Vcoeff+，Vcoeff-)的乘法器单元(MC)，一个或者多个作为峰化电容的电容器(Cp1，Cp2)和一个用于控制可变阻抗(Mp1，Mp2)的控制电路(CT)，其中所述峰化电容的一个触点连接到该乘法器单元(MC)而另一触点连接到该可变阻抗(Mp1，Mp2)，即MOS晶体管。该控制电路(CT)连接到该乘法器的系数信号输入(Vcoeff+，Vcoeff-)。在四象限乘法器的情况下，在该乘法器的系数输入(Vcoeff+，Vcoeff-)与该控制电路(CT)之间连接一个整流器(RT)。

    具有可选择增益的差分放大器
    7.
    发明授权
    具有可选择增益的差分放大器 失效

    公开(公告)号：CN1813403B

    公开(公告)日：2011-06-08

    申请号：CN200480018414.1

    申请日：2004-03-24

    申请人： 英特尔公司

    发明人： 詹姆斯·耀斯

    IPC分类号： H03F3/45

    CPC分类号： H03G1/0088 ,  H03F3/45183 ,  H03F2203/45466 ,  H03F2203/45641 ,  H03G1/0023

    摘要： 本申请公开了一种具有可选择增益的差分放大器。该差分放大器包括一对输入晶体管、第一负载晶体管对和第二负载晶体管对。所述第一负载晶体管对的漏极-源极-路径连接在参考电位和输入晶体管对的输出两个端子之间，而栅极则共同连接到控制电压。所述第二负载晶体管对的漏极-源极-路径并联连接到所述第一负载晶体管对的漏极-源极-路径。通过控制电路，所述第二负载晶体管对的栅极或者连接到参考电位(第二对未激活)，或者交叉耦合到输入晶体管对的输出端子(第二对被激活)以提供正反馈。通过激活/不激活第二负载晶体管对，在高增益模式和低增益模式之间粗略地切换所述差分放大器的增益，而通过改变能够获得对增益的细调。

    内置可变增益放大器的半导体集成电路
    8.
    发明授权
    内置可变增益放大器的半导体集成电路 失效 转让

    公开(公告)号：CN101414805B

    公开(公告)日：2011-05-18

    申请号：CN200810166541.6

    申请日：2008-10-17

    申请人： 瑞萨电子株式会社

    发明人： 白水信弘 ,  增田彻

    IPC分类号： H03F1/34 ,  H03F3/189

    CPC分类号： H03F3/50 ,  H03F1/342 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/135 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/5036 ,  H03G1/0023

    摘要： 一种内置有可变增益放大器的半导体集成电路，该可变增益放大器具有偏置电路(BC)(1)、匹配电路(MC)(2)、可变增益电阻反馈放大器(FA)(3)、输出跟随器(EA)(4)。负载电阻(Rc)和反馈电阻(Rf)的电阻值协调性地改变。由于使低噪声放大器为高增益，因而处于负载电阻的高电阻时反馈电阻也为高电阻，可变增益电阻反馈放大器(3)的闭环的反馈时间常数τ大致恒定，在宽带下具有频率依赖性较小的增益。由于使低噪声放大器为低增益，因而处于负载电阻的低电阻时反馈电阻也为低电阻。负反馈量随着低电阻的反馈电阻而增大，成为低增益。负载电阻也为低增益，反馈时间常数T fb(c1)大致恒定，在高频区域下不会进一步降低增益。

    具有转换/控制装置的自动校准直接转换发射器
    10.
    发明授权
    具有转换/控制装置的自动校准直接转换发射器 有权

    公开(公告)号：CN101136642B

    公开(公告)日：2011-04-13

    申请号：CN200710147775.1

    申请日：2007-08-28

    申请人： 联发科技股份有限公司

    发明人： 郭秉捷 ,  屈庆勋

    IPC分类号： H04B1/04 ,  H03D7/14 ,  H03G3/20 ,  H04B7/005

    CPC分类号： H04L27/367 ,  H03C3/406 ,  H03G1/0023 ,  H04L27/368

    摘要： 本发明提供一种具有转换/控制装置的自动校准直接转换发射器，该转换/控制装置具有两种工作模式：正常模式和校准模式。转换/控制装置包括整合的混频器/可变增益放大器和模式控制器。整合的混频器/可变增益放大器有一个混频级和一个放大级。在正常模式下，模式控制器除动整合的混频器/可变增益放大器的混频级，而转换/控制装置操作为RF VGA。在校准模式下，模式控制器激活整合的混频器/可变增益放大器的混频级，并传递本机振荡器信号至混频级，以使转换/控制装置操作为降混频器。本发明可以减少甚至消除载波泄漏。